公开(公告)号：KR1019990021395A

公开(公告)日：1999-03-25

申请号：KR1019970044936

申请日：1997-08-30

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  국방과학연구소

Inventor： 임승무 ,  우병일 ,  정해원 ,  정명득 ,  김종명

IPC: H01L29/80

Abstract: 본 발명은 초고주파 집적회로소자용 전계효과 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 반도체기판 상에 제1절연막을 증착하는 단계와, 상기 제1절연막 상에 일정한 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴 상부에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 제2절연막을 적층하여 이후에 형성되는 게이트 길이와 동일한 폭을 갖도록 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계 후에 식각된 제2절연막의 하부에 있는 보호막을 식각된 제2절연막과 동일한 폭으로 선택적으로 식각하는 단계와, 상기 단계 후에 보호막의 하부로 드러난 제1산화막과 제2산화막의 나머지 부분을 모두 식각하는 단계와, 상기 단계 후에 리세스 에칭을 하여 반도체기판 상에 홈부 B를 형성하는 단계와, 상기 홈부 B내에 게이트용 금속을 주입하여 T형 게이트를 형성� ��고, 이 T형 게이트의 주위에 있는 반도체기판 상의 제1산화막을 제외한 나머지 부분을 제거하여 T형 게이트를 상부로 노출시키는 단계로 이루어진 초고주파 집적회로소자의 전계효과트랜지스터 제조방법인 바, 케이트 전극의 길이를 감소시켜 저항을 저하시키므로 전류의 흐름을 좋게하여서 고주파특성을 향상시키도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.