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公开(公告)号:KR1020180123854A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:KR1020170058113
申请日:2017-05-10
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F1/0233 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/45475 , H03F2200/135 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2200/78 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45528
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전력증폭장치는, 바이어스전압을생성하고, 배터리전압및 기준전압을이용하여제어신호를생성하는제어회로; 및상기제어신호에따라상기배터리전압을승압하여동작전압를제공하고, 상기바이어스전압및 상기동작전압에따라동작하여, 입력되는신호를증폭하는파워증폭회로; 를포함하고, 상기파워증폭회로는상기동작전압을검출하여검출전압을상기제어회로에제공하고, 상기제어회로는상기검출전압에따라상기제어신호를제어한다.
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公开(公告)号:KR101823269B1
公开(公告)日:2018-01-29
申请号:KR1020160154236
申请日:2016-11-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
CPC classification number: H04B1/109 , H01P1/15 , H03K17/162 , H03K17/693 , H03K2217/0018 , H03K2217/0054 , H04B1/50 , H03K17/145 , H03K17/687
Abstract: 본발명의일 실시예에따른고주파스위치장치는, 제1 신호단자와입력단자사이에접속된제1 고주파스위치회로를포함하고, 상기제1 고주파스위치회로는직렬스위치와션트스위치를포함하는고주파스위치; 배터리전압을이용하여, 상기배터리전압보다기설정된전압만큼낮은바이어스전압및 버퍼전압을생성하여, 상기바이어스전압을상기입력단자에접속된신호라인에제공하는다이나믹바이어스회로; 및상기배터리전압및 버퍼전압을이용하여, 밴드선택신호에따라상기제1 고주파스위치회로의스위칭을위한제1 및제2 게이트전압을생성하는스위치제어회로; 를포함한다.
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公开(公告)号:KR1020170136709A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:KR1020160068537
申请日:2016-06-02
CPC classification number: H03F1/02 , H03F1/0227 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/20 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/471 , H03K3/017 , H03K4/08
Abstract: 본발명의일 실시예에따른멀티페이즈전원장치는, 동작페이즈가서로다른적어도제1 및제2 컨버터를포함하고, 각컨버터는복수의듀티제어신호중해당듀티제어신호에따라입력전력을전력증폭기의구동전력으로변환하는멀티페이즈컨버터; 상기멀티페이즈컨버터의구동전력을상기전력증폭기에전달하고, 상기구동전력에의한전압을검출하여검출전압을제공하는검출부; 및상기전력증폭기에입력되는입력신호의포락선신호와상기검출전압과의오차전압과서로다른페이즈를갖는복수의톱니파신호를순차로비교하여상기복수의듀티제어신호를생성하여상기멀티페이즈컨버터에제공하는듀티제어부; 를포함하고, 상기듀티제어부는단일비교기를이용하여상기오차전압과상기복수의톱니파신호를순차로비교할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的多相供电装置至少包括具有不同操作相位的第一和第二转换器,并且每个转换器根据多个占空控制信号中的占空比控制信号来驱动输入电力, 电源转换器; 检测器,用于将所述多相转换器的驱动功率传输至所述功率放大器,通过所述驱动功率检测电压并提供检测电压; 并且,将与输入到功率放大器的输入信号的包络信号和检测电压之间的误差电压相位不同的多个锯齿波信号依次进行比较,生成多个占空比控制信号, 责任控制人; 并且占空控制器可以使用单个比较器顺序地比较误差电压和多个锯齿信号。
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公开(公告)号:KR1020150139342A
公开(公告)日:2015-12-11
申请号:KR1020140067812
申请日:2014-06-03
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01F27/362 , H01F17/0006 , H01F2017/008 , H01F2017/0086 , Y10T29/49021
Abstract: 본발명은기판; 상기기판상부에형성된산화물층; 상기산화물층상에형성된나선형상의배선층; 및상기기판과상기배선층사이에삽입된격자형상의차폐층;을포함하는온-칩(On-Chip) 인덕터및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 片上电感及其制造方法技术领域本发明涉及片上电感及其制造方法。 片上电感器包括:衬底; 形成在所述基板的上部的氧化物层; 形成在氧化物层上的螺旋形状的布线层; 以及插入在所述基板和所述布线层之间的栅格形状的屏蔽层。
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公开(公告)号:KR1020150078386A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:KR1020130167690
申请日:2013-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/411
Abstract: 본발명은전력증폭장치에관한것으로, 본발명의일 구현예에따른상기전력증폭장치는, 전원을공급받아고주파신호를증폭하는제1 증폭부, 상기전원을공급받아상기제1 증폭부로부터의고주파신호를증폭하는제2 증폭부및 상기제1 증폭부또는상기제2 증폭부의동작을제어하는제어부를포함하되, 상기제1 증폭부및 상기제어부는 CMOS 기판에형성되며, 상기제2 증폭부는 GaAs 기판에형성된다.
Abstract translation: 功率放大装置技术领域本发明涉及功率放大装置。 根据本发明的一个实施例的功率放大装置包括:第一放大单元,其接收功率并放大高频信号;第二放大单元,其接收功率并放大来自第一放大单元的高频信号;以及控制 控制第一放大单元或第二放大单元的操作的单元。 第一放大单元和控制单元形成在CMOS基板上。 第二放大单元形成在GaAs衬底上。
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