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公开(公告)号：KR1019910006705B1
公开(公告)日：1991-08-31
申请号：KR1019880015121
申请日：1988-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
CPC classification number: H01L27/153
Abstract: The LED for high density and power comprises; a first conductive type emitting layer (12) and a second type transparent layer (13), which have heaterojunction structure each other on semiconductor substrate (11) a second type cap layer (15) for improving a electrical contact of a second type electrode (19) with transparent electrode; a first conductive type diffusion layer (17) for seperating of device in transparent layer (13); insulating layer (18) formed on entire surface except for cap layer; common electrode (20) under the first conductive type semicondutor substrate (11).
Abstract translation: 用于高密度和功率的LED包括： 第一导电类型发光层（12）和第二类型透明层（13），其在半导体衬底（11）上彼此具有加热连接结构，第二类型覆盖层（15），用于改善第二类型电极 19）带透明电极; 用于分离透明层（13）中的器件的第一导电型扩散层（17）; 绝缘层（18），其形成在除了盖层之外的整个表面上; 在第一导电型半导体基板（11）下面的公共电极（20）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020210011484A
公开(公告)日：2021-02-01
申请号：KR1020210009724
申请日：2021-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명에따른안테나모듈은적어도하나의기판이적층되어있는제1 기판층, 상기제1 기판층의상단면에결합되는안테나, 상단면이상기제1 기판층의하단면에결합되며, 적어도하나의기판이적층되어있는제2 기판층및 상기제2 기판층의하단면에결합되는 RF(Radio Frequency) 소자를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160063085A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140166640
申请日：2014-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24H8/006 , F24F3/1405 , F24F2003/1446 , F24F2006/008
Abstract: 공기조화장치가개시된다. 개시된공기조화장치는내측에열교환기를구비한하우징; 상기하우징의수용부에장탈착되고상기열교환기에의해발생되는응축수를수거하는물수거통; 및상기물수거통을상기하우징의수용부에장착및 탈착함에따라상기물수거통의일부에간섭되면서상기배수구를선택적으로개폐하는밸브부;를포함하며, 상기밸브부는상기물수거통의일부에간섭되는돌출길이를축소하기위해상기배수구를통해상기하우징수용부의내측에매입배치되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 空调装置技术领域本发明涉及一种空调装置，更具体地说，涉及能够防止其内的冷凝水流入外部的空调装置。 空调装置包括：壳体，其中包括热交换器; 收集由所述热交换器产生的冷凝水的收集容器，其安装在所述壳体的收纳单元上或从所述壳体的收纳单元分离; 以及阀单元，当所述收集容器安装在所述壳体的所述容纳单元上并从所述壳体的所述容纳单元拆卸时，通过干扰所述收集容器的一部分来选择性地打开和关闭排水口。 阀单元通过排水口嵌入到壳体的容纳单元中，以减少在集水容器的一部分上的突出长度。
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公开(公告)号：KR1020160016459A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140100674
申请日：2014-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B01D46/0086 , B01D46/0002 , B01D2273/26 , F24F3/1603 , F24F11/39
Abstract: 공기정화장치가개시된다. 상기공기정화장치는본체; 상기본체내부에배치되어공기를정화하는필터; 및상기본체외부로상기필터의상태를보여주기위한이미지전달부재;를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于净化空气的装置，其从外部准确地检查过滤器的污染。 用于净化空气的装置包括：主体; 设置在主体中以净化空气的过滤器; 以及图像发送器，用于将主体的外部的过滤器的状态示出。
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公开(公告)号：KR1020140147367A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070471
申请日：2013-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76807
Abstract: Provided is a manufacturing method of a semiconductor device which forms; a mold layer on a substrate; a first damascene mask layer and a first mask layer on the mold layer; a first mask layer pattern by etching the first mask layer; a first damascene pattern by etching the first damascene mask layer partially by using the first mask layer pattern; a second damascene mask layer on the first mask layer pattern to bury the first damascene pattern; and a second damascene pattern which is overlapped with the first damascene pattern partially by etching the second damascene mask layer and the first mask layer pattern. The manufacturing method of the semiconductor device connects the first damascene pattern and the second damascene pattern by eliminating a portion of the first mask pattern which is exposed by the second damascene pattern and forms a third damascene pattern on the second damascene mask layer to bury the second damascene pattern and forms a trench extended from the first and second damascene patterns by etching the third, second, and first damascene mask layers, and the mold layer by using the residual first mask layer pattern.
Abstract translation: 提供一种形成半导体器件的制造方法; 基底上的模具层; 模具层上的第一镶嵌掩模层和第一掩模层; 通过蚀刻第一掩模层的第一掩模层图案; 通过使用第一掩模层图案部分地蚀刻第一镶嵌掩模层的第一镶嵌图案; 在第一掩模层图案上的第二镶嵌掩模层以埋藏第一镶嵌图案; 以及通过蚀刻第二镶嵌掩模层和第一掩模层图案部分地与第一镶嵌图案重叠的第二镶嵌图案。 半导体器件的制造方法通过消除由第二镶嵌图案暴露的第一掩模图案的一部分并在第二镶嵌掩模层上形成第三镶嵌图案来连接第一镶嵌图案和第二镶嵌图案，以将第二镶嵌图案 通过使用残留的第一掩模层图案蚀刻第三，第二和第一镶嵌掩模层和模具层，形成从第一和第二镶嵌图案延伸的沟槽。
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