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公开(公告)号：KR1020110124045A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043613
申请日：2010-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C29/10 , G11C2029/0411 , H03M7/46 , G11C16/34 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/16
Abstract: PURPOSE: A data storage device and a program method thereof are provided to solve the interference between adjacent cells through simple calculation. CONSTITUTION: In a data storage device and a program method thereof, a non-volatile memory device comprises a plurality of memory cells. A memory controller(100) adjusts the arrangement of program data which is programmed in the plural memory cells. The memory controller removes a specific data pattern from program data. The specific data pattern generates the mutual physical interference adjacent memory cell. An alignment controller(130) performs alignment adjustment calculation. An error correction code unit(120) processes data from a host according to error correction code calculation.
Abstract translation: 目的：提供数据存储装置及其程序方法，通过简单的计算来解决相邻小区之间的干扰。 构成：在数据存储装置及其程序方法中，非易失性存储装置包括多个存储单元。 存储器控制器（100）调节在多个存储器单元中编程的程序数据的布置。 存储器控制器从程序数据中移除特定的数据模式。 特定数据模式产生邻近存储单元的相互物理干扰。 对准控制器（130）执行对准调整计算。 纠错码单元（120）根据纠错码计算处理来自主机的数据。
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公开(公告)号：KR1020110099563A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020100018657
申请日：2010-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/04
Abstract: 본 발명에 따른 상태 기반 불휘발성 메모리 장치의 에러 정정 방법은, 부호어(Codeword)를 선택된 메모리 셀들에 할당하되, 상기 부호어 중 제 1 비트 그룹을 제 1 메모리 셀에, 상기 부호어 중 제 2 비트 그룹을 제 2 메모리 셀에 할당하는 단계, 그리고 상기 부호어를 상기 선택된 메모리 셀들에 프로그램하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 비트 그룹과 상기 제 2 비트 그룹은 각각 상기 부호어 상에서 연속되는 비트들이다.
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公开(公告)号：KR1020100006712A
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：KR1020080067030
申请日：2008-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C16/04 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/24 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2013/0092
Abstract: PURPOSE: A memory device and a method for programming memory data are provided to reduce a stabilization time of a threshold voltage and improve distribution of the threshold voltage of memory cells by controlling the intervals and the sizes of a plurality of pulses applied to a plurality of memory cells. CONSTITUTION: A memory cell array(310) includes a plurality of memory cells. A programming unit(320) repetitively applies plus pulses and minus pulses to a plurality of memory cells. A controller controls the interval between the plus pulses and the minus pulses and the size of the pulses.
Abstract translation: 目的：提供存储器件和用于编程存储器数据的方法，以通过控制施加到多个存储器数据的多个脉冲的间隔和尺寸来减小阈值电压的稳定时间并改善存储器单元的阈值电压分布 记忆细胞 构成：存储单元阵列（310）包括多个存储单元。 编程单元（320）对多个存储单元重复地加上加脉冲和负脉冲。 控制器控制正脉冲与负脉冲之间的间隔以及脉冲的大小。
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公开(公告)号：KR1020090029158A
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070119358
申请日：2007-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C27/026 , H03F3/005 , H03F3/70 , H03F2200/297
Abstract: A wideband track-and-hold amplifier is provided to increase bandwidth of an output signal by correcting a high capacitance component of an analog to digital converter. A wideband track-and-hold amplifier comprises a sampling unit(101), a transconductor unit(102), and an output load unit(103). The sampling unit samples an analog signal. An output terminal(105) of the transconductor unit is connected to an analog to digital converter. The transconductor unit delivers a signal sampled in the sampling unit to the analog to digital converter. The output load unit is branched in the output terminal of the transconductor unit, and vibrates a signal delivered to the analog to digital converter. The sampling unit includes a PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor) transistor(202) and a hold capacitor(203). A source of the PMOS transistor is connected to an input terminal(201). One end of the hold capacitor is connected to a drain of the PMOS transistor.
Abstract translation: 提供宽带跟踪保持放大器以通过校正模数转换器的高电容分量来增加输出信号的带宽。 宽带跟踪保持放大器包括采样单元（101），跨导单元（102）和输出负载单元（103）。 采样单元对模拟信号进行采样。 跨导单元的输出端子（105）连接到模数转换器。 跨导单元将采样单元中采样的信号传送到模数转换器。 输出负载单元在跨导单元的输出端分支，并且振荡输送到模数转换器的信号。 采样单元包括PMOS（P沟道金属氧化物半导体）晶体管（202）和保持电容（203）。 PMOS晶体管的源极连接到输入端子（201）。 保持电容的一端连接到PMOS晶体管的漏极。
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公开(公告)号：KR100873435B1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：KR1020070017444
申请日：2007-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03M1/12
Abstract: 멀티플렉서를 이용한 아날로그/디지털 컨버터 및 그의 변환 방법이 개시된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 멀티플렉서를 이용한 아날로그/디지털 컨버터는 아날로그 입력신호를 레벨별 기준 전압과 비교하여 복수의 디지털 코드를 생성하는 디지털 코드 생성부, 및 생성된 복수의 디지털 코드의 개수에 대응되는 복수의 멀티플렉서(multiplexer)를 구비하고, 복수의 멀티플렉서에 의해 복수의 디지털 코드를 스위칭하여 이진 코드를 생성하는 이진코드 생성부를 더 포함한다. 이에 의해, 단순한 구조의 멀티플렉서를 사용함으로써, 저전력 및 고속의 아날로그/디지털 컨버터를 구성할 수 있다.
아날로그, 디지털, 컨버터, 먹스, 써마미터 코드, 바이너리 코드-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102200108B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020140136776
申请日：2014-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 비휘발성메모리장치및 그동작방법이제공된다. 비휘발성메모리장치는데이터를메모리셀에프로그램하기위한프로그램요청에따라랜덤하게(randomly) 또는의사랜덤하게(pseudo-randomly) 기준값(reference value)을생성하는데이터생성유닛; 상기기준값을이용하여복수의시드(seed)들중에서하나이상의시드를선정하는시드선정유닛; 및상기선정된시드를이용하여상기데이터를랜덤화(randomize)한랜덤화된데이터를생성하는랜더마이저(randomizer)를포함한다.
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