公开(公告)号：KR1019980083833A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970019307

申请日：1997-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이석민 ,  안병호

IPC: H01L21/02

Abstract: 게이트 밸브(gate valve)를 포함하는 반도체 제조 장치를 개시한다. 본 발명은 공정 반응이 일어나는 챔버(chamber)와 챔버에 그 일단부가 연결되는 제1도송관을 포함한다. 제1도송관의 타단부에 연결되고, 그 연결부의 인근에 위치하는 실링부(sealing prat)를 가지는 게이트 밸브를 포함한다. 이때, 실링부는 연결부 인근의 게이트 밸브의 내측벽에 위치하는 오링(O-ring)과 오링에 밀착되거나 이격되는 헤드(head)를 포함한다. 헤드는 후측에 연결되는 벨로우즈(bellows)에 의해 구동된다. 실링부의 후측 인근에서 게이트 밸브에 제2도송관의 일단부가 연결된다. 제2도송관의 타단부에 진공 펌프(vacuum pump)가 연결된다. 이와 같은 반도체 제조 장치는 게이트 밸브가 실링(sealing) 상태일 경우에 벨로우즈가 헤드에 의해 챔버의 가스 분위기에 대해 실링되어 파우더(powder)가 벨로우즈에 흡착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 파우더의 흡착에 따른 게이트 밸브의 수명 단축을 방지할 수 있다.