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公开(公告)号：KR100751509B1
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020060021041
申请日：2006-03-06
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H04B7/26
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公开(公告)号：KR100643712B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040112726
申请日：2004-12-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 애드 혹 무선망에서의 이동 단말기간 활성도 기반 스케줄링 방법에 관한 것으로서, (a) 코디네이터가, 비컨 신호를 주기적으로 보내어 애드 혹 무선망 내의 모든 이동 단말기의 시간을 동기화하고, 비컨 신호 이후의 일정 시간으로 설정된 ATIM 윈도우 기간 동안, 모든 이동 단말기들을 활성화시키고 태스크를 송신하고자 하는 이동 단말기로 하여금 송신할 태스크의 길이가 기록된 ATIM 메시지를 송신하도록 하고, 애드 혹 무선망 내의 모든 ATIM 메시지를 수신하는 단계; (b) 코디네이터는 각각의 이동 단말기에 대한 단말기 활성도, 각각의 태스크들에 대한 태스크 활성도 및 최소 활성도를 계산하는 단계; (c) 코디네이터는 우선적으로 상기 최소 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크를 선정하되, 상기 최소 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크들이 2 이상인 경우는 그 중에서 태스크 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크를 선정하는 단계; (d) 코디네이터는 상기 선정된 태스크 순으로 태스크 전송 순서를 결정하고, 모든 태스크의 전송 순서가 결정될 때까지, 상기 (c) 단계에서 선정된 태스크를 제외한 나머지 태스크들에 대하여 상기 (b) 및 (c) 단계를 반복하는 단계; 및 (e) 코디네이터가 상기 태스크 전송 순서가 기록된 스케줄링 컨트롤 패킷을 모든 이동 단말기에 브로드캐스팅하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따르면 수율과 에너지 효율을 증대시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100642722B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040108350
申请日：2004-12-18
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 다중 접속 방식 계층적 셀룰러 망 및 이를 사용하는 다중 접속 방식 이동통신 단말기에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 매크로셀은 FH-OFDMA 방식으로 서비스하고, 마이크로셀은 OFDMA 방식으로 서비스함으로써, 하나의 단말기가 FH-OFDMA와 OFDMA의 다중 접속 방식으로 셀에 접속할 수 있도록 지원하는 다중 접속 방식 계층적 셀룰러 망 및 이를 사용하여 저속 이동 중에는 데이터 통신에 적합한 OFDMA 방식을 사용할 수 있고, 고속 이동 중에는 FH-OFDMA 방식을 사용하여 코히어런트 검파를 가능하게 하는 다중 접속 방식 이동통신 단말기에 관한 것이다.
셀룰러 망, OFDMA, FH-OFDMA, 데이터, 음성-
公开(公告)号：KR1020060074098A
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040112726
申请日：2004-12-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H04L12/28
CPC classification number: H04W84/18 , H04L47/2433 , H04W72/1242
Abstract: 본 발명은 애드 혹 무선망에서의 이동 단말기간 활성도 기반 스케줄링 방법에 관한 것으로서, (a) 코디네이터가, 비컨 신호를 주기적으로 보내어 애드 혹 무선망 내의 모든 이동 단말기의 시간을 동기화하고, 비컨 신호 이후의 일정 시간으로 설정된 ATIM 윈도우 기간 동안, 모든 이동 단말기들을 활성화시키고 태스크를 송신하고자 하는 이동 단말기로 하여금 송신할 태스크의 길이가 기록된 ATIM 메시지를 송신하도록 하고, 애드 혹 무선망 내의 모든 ATIM 메시지를 수신하는 단계; (b) 코디네이터는 각각의 이동 단말기에 대한 단말기 활성도, 각각의 태스크들에 대한 태스크 활성도 및 최소 활성도를 계산하는 단계; (c) 코디네이터는 우선적으로 상기 최소 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크를 선정하되, 상기 최소 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크들이 2 이상인 경우는 그 중에서 태스크 활성도가 가장 작은 값을 가지는 태스크를 선정하는 단계; (d) 코디네이터는 상기 선정된 태스크 순으로 태스크 전송 순서를 결정하고, 모든 태스크의 전송 순서가 결정될 때까지, 상기 (c) 단계에서 선정된 태스크를 제외한 나머지 태스크들에 대하여 상기 (b) 및 (c) 단계를 반복하는 단계; 및 (e) 코디네이터가 상기 태스크 전송 순서가 기록된 스케줄링 컨트롤 패킷을 모든 이동 단말기에 브로드캐스팅하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따르면 수율과 에너지 효율을 증대시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100608136B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020050013414
申请日：2005-02-18
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: Disclosed herein is a method of improving a security performance in a stateful inspection of TCP connections. In the security performance improvement method, a stateful inspection computer, placed between first and second hosts in which TCP connections are set up, creates a single session entry corresponding to a new SYN packet whenever the new SYN packet is generated between the first and second hosts. A state of connection progress is updated whenever a packet for a flow between the first and second hosts arrives at the stateful inspection computer. It is determined whether a time required for the updated connection progress has exceeded a predetermined timeout. Further, a session entry in an embryonic connection stage exceeding the timeout is purged. Accordingly, the present invention is advantageous in that it efficiently uses the memory of a stateful inspection computer, maintains lookup performance, and continues stateful inspection even in the face of network attacks, thus improving security performance of the stateful inspection computer.
Abstract translation: 本文公开了一种改进TCP连接的状态检查中的安全性能的方法。 在安全性能改进方法中，无论何时在第一和第二主机之间生成新的SYN分组时，置于建立TCP连接的第一和第二主机之间的状态检查计算机创建对应于新的SYN分组的单个会话条目 。 无论何时在第一和第二主机之间的流的分组到达状态检查计算机时，连接进度的状态都被更新。 确定更新的连接进度所需的时间是否已经超过预定的超时。 此外，清除超过超时的初始连接阶段中的会话条目。 因此，本发明的有利之处在于，它有效地使用状态检查计算机的存储器，保持查找性能，并且即使面对网络攻击也继续状态检查，从而提高了状态检查计算机的安全性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170036509A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135773
申请日：2015-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H04L12/865 , H04L12/875 , H04L12/801
CPC classification number: H04L47/6255 , H04L47/2483 , H04L47/56 , H04L47/6275 , H04L47/803
Abstract: 본발명은센서네트워크(sensor network), 사물통신(machine to machine (M2M) communication), MTC(machine type communication) 및사물인터넷(internet of things: IoT)을위한기술과관련된것이다. 본발명은상기기술을기반으로하는지능형서비스(스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에활용될수 있다. 본발명은통신시스템에서통신노드가패킷을스케쥴링하는방법에있어서, 적어도하나의패킷과관련되는, 지연특성과관련되는파라미터의파라미터값을검출하는과정과, 상기검출된파라미터값을미리설정되어있는임계파라미터값과비교하는과정과, 상기비교결과를기반으로상기적어도하나의패킷에대한우선순위레벨을결정하는과정과, 상기결정된우선순위레벨에상응하게상기적어도하나의패킷을송신하는과정을포함함을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于传感器网络，机器对机器（M2M）通信，机器类型通信（MTC）和物联网（IOT）的技术。 本发明可应用于基于上述技术（智能家居，智能建筑，智能城市，智能汽车或联网汽车，医疗保健，数字教育，零售，安全和安全相关服务等）的智能服务。 一种用于通信节点调度通信系统中的分组的方法，所述方法包括：检测与延迟特性相关联的参数的参数值，所述参数值与至少一个分组相关联; 基于比较结果确定至少一个分组的优先级;以及根据确定的优先级传输至少一个分组。 其特征在于。
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公开(公告)号：KR1020140019563A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020120085784
申请日：2012-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76805 , H01L21/76808 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L21/76205
Abstract: Provided is a non-volatile memory device providing method, capable of securing a short margin with gate patterns arranged in the lower part of a bit line at the same time as increasing the thickness of bit lines at a peripheral region. The method for manufacturing the non-volatile memory device comprises the steps of: forming a transistor in a first region on a substrate; forming a contact connected with the transistor; forming a memory cell arranged two-dimensionally in a second region on the substrate; sequentially forming the contact, a stopping film to cover a data storage unit, and an interlayer insulating film; forming a first trench which exposes the stopping film on the contact, wherein the lower part of the first trench is formed to be lower than the lower part of the data storage unit; and forming a second trench which exposes the contact by penetrating the stopping film.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件提供方法，其能够在与周边区域中增加位线的厚度同时同时确保布置在位线下部的栅极图案的短边。 用于制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤：在衬底上的第一区域中形成晶体管; 形成与晶体管连接的触点; 形成在所述基板上的第二区域中二维布置的存储单元; 顺序地形成接触，覆盖数据存储单元的停止膜和层间绝缘膜; 形成将所述停止膜暴露在所述触点上的第一沟槽，其中所述第一沟槽的下部形成为低于所述数据存储单元的下部; 以及形成通过穿透止动膜使接触部暴露的第二沟槽。
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公开(公告)号：KR100839959B1
公开(公告)日：2008-06-20
申请号：KR1020030060946
申请日：2003-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N9/64
Abstract: 본 발명은 영상이 표시되는 디스플레이부를 갖는 디스플레이장치에 있어서, 입력되는 영상신호를 상기 디스플레이부가 표시 가능한 영상신호로 변환하는 신호처리부와; 상기 디스플레이부에 표시되는 색들 중 색공간 상에서 상호 인접한 다수의 색들의 집합에 의해 정의되는 적어도 하나의 색영역 내에 분포하는 색들이 상기 색영역 내에서 색변환되도록 상기 신호처리부로부터 출력되는 영상신호를 변환하는 색변환부와; 입력되는 키신호에 기초하여 상기 색변환부가 상기 신호처리부로부터 출력되는 영상신호를 변환하도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 색공간 상의 특정 색영역에 분포된 색만을 색변환시켜 디스플레이부에 표시할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种具有用于显示图像的显示单元的显示装置，该显示装置包括：信号处理器，用于将输入视频信号转换为能够在显示单元上显示的视频信号; 转换从分布在至少一个颜色区域中的信号处理的色彩输出的视频信号是由一组相互邻近的多个颜色的对在显示部区域中显示的颜色的颜色定义是这样的，在彩色区域中的颜色转换 一种用于执行颜色转换的颜色转换单元; 以及控制单元，用于控制颜色转换单元以基于输入的按键信号转换从信号处理单元输出的视频信号。 由此，只有分布在色彩空间上的特定色彩区域中的色彩可以被色彩转换并显示在显示单元上。
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公开(公告)号：KR1020040051839A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079515
申请日：2002-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박세웅
IPC: H01L21/8247
Abstract: PURPOSE: A method for forming a transistor for a peripheral circuit of a flash memory device is provided to eliminate the necessity of an exposure process for forming one photoresist pattern for each impurity type by performing a high density ion implantation process for forming a drain of a dual structure and a halo ion implantation process for forming an intercepting layer for preventing a punch-through while using the same photoresist pattern as an ion implantation mask. CONSTITUTION: An ion implantation mask is formed to expose the region of a transistor that a punch-through preventing layer(39) is formed in the center of the first impurity-type transistor region, to protect the region that is from the region except a punch-through preventing layer to an active region near a gate, and protect the second impurity-type transistor region. The first impurity ions of a high density are vertically implanted into the substrate(1) by using the ion implantation mask. The first impurity halo ions are implanted into the substrate at a constant angle with the verticality of the substrate by using the ion implantation mask.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成闪存器件的外围电路的晶体管的方法，以消除通过执行用于形成漏极的高密度离子注入工艺来形成每种杂质类型的一个光致抗蚀剂图案的曝光处理的必要性 双重结构和卤素离子注入工艺，用于形成用于防止穿透的截留层，同时使用与离子注入掩模相同的光致抗蚀剂图案。 构成：形成离子注入掩模以暴露在第一杂质型晶体管区域的中心形成穿通防止层（39）的晶体管的区域，以保护除了第一杂质型晶体管区域之外的区域 穿通防止层到栅极附近的有源区，并保护第二杂质型晶体管区域。 通过使用离子注入掩模将高密度的第一杂质离子垂直地注入衬底（1）中。 通过使用离子注入掩模将第一杂质卤素离子以与衬底的垂直度成恒定的角度注入到衬底中。
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