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公开(公告)号：KR101967609B1
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：KR1020170139956
申请日：2017-10-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C12Q1/68
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公开(公告)号：KR101853821B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：KR1020160130830
申请日：2016-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 하나의 TR(repetition time) 동안적어도하나의 RF 신호를대상체로조사하고, 대상체로부터방출되는에코신호들(echo signals)을수신하는스캐너; 및하나이상의제어신호를스캐너에전송함으로써, 스캐너를제어하는제어부;를포함하며, 제어부는, 하나의 TR 동안 RF 여기펄스(RF excitation pulse) 및리포커싱펄스(refocusing pulse)를대상체로조사하도록스캐너를제어하고, TE(echo time) 이전에 k-공간의제1 라인(line)에대응되는제1 에코신호를수신하며, TE 이후에 k-공간의제2 라인에대응되는제2 에코신호를수신하도록스캐너를제어하며, k-공간에기초하여자기공명영상을복원하는, 자기공명영상장치를개시한다.
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公开(公告)号：KR101771513B1
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160074355
申请日：2016-06-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: A61B5/055 , G06T11/006 , G06T11/008 , G06T2207/10088 , G06T2207/30004
Abstract: [백질의 susceptibility에관한값, 백질의속성값]들로이루어지는데이터세트에가장잘 피트되는추정식을이용하여후처리된백질의 susceptibility 맵을생성하는영상처리방법을공개한다. 상기추정식은상기백질의속성값에따라결정되는보정항(term)을포함한다. 상기방법은, (1) 상기보정항의값을, 측정공간에존재하는복셀(a voxel)에대응하는백질의속성값을이용하여결정하는단계, 및 (2) 상기복셀(the voxel)에대응하는백질의 susceptibility에관한값으로부터상기결정된보정항의값을차감함으로써후처리된백질의 susceptibility에관한값을산출하는단계를포함하는포스트프로세싱을이용한다.
Abstract translation: 并且使用最适合于由[白质磁化率值，白质特性值]组成的数据集的估计方程，对后处理白质的磁化率图进行处理。 估计方程包括根据白质的属性值确定的校正项。 该方法包括以下步骤：（1）对应于步骤，和（2）确定的体素（体素），使用的蛋白质的对应于体素（体素）连接到所述校正项的值的属性的值中，存在于测量空间 并且通过从白质易感性的值中减去所确定的校正项的值来计算后处理白质的易感性的值。
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公开(公告)号：KR1020170080370A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191883
申请日：2015-12-31
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C16/26
CPC classification number: G11C16/3431 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3413 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/47
Abstract: 본발명은데이터저장장치및 이의구동방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 제 1 도전형영역, 상기제 1 도전형영역과이격되고상기제 1 도전형영역과반대의도전형을갖는제 2 도전형영역, 및상기제 1 도전형영역과상기제 2 도전형영역사이의반도체영역을가지며, 상기반도체영역은상기제 2 도전형영역에접하는인접영역을포함하는반도체구조체; 상기반도체영역의상기인접영역상에절연막을사이에두고형성된게이트전극을포함하는모드선택트랜지스터; 상기반도체영역상에정보저장막을사이에두고형성된제어게이트전극을각각포함하는복수의메모리셀 트랜지스터들; 상기제 1 도전형영역에전기적으로결합되는제 1 배선; 및상기제 2 도전형영역과상기인접부분에접하는양극성콘택을갖는제 2 배선을포함하는데이터저장장치가제공될수 있다.
Abstract translation: 数据存储装置及其驱动方法本发明涉 根据本发明，第一导电型区域的一个实施方案中，所述具有第一导电型区域与相对的典型框图第一导电类型区和间隔开的第二导电区域，并且第一导电型区域 一种半导体结构，具有在超晶格2导电类型区域和包括与第二导电类型区域接触的相邻区域的半导体区域之间的半导体区域; 一种模式选择晶体管，包括：栅电极，隔着绝缘膜形成在半导体区域的相邻区域上; 多个存储单元晶体管，每个存储单元晶体管包括在半导体区上形成的控制栅电极，其间具有信息存储膜; 电耦合到第一导电类型区域的第一布线; 并且具有与第二导电类型区域和相邻部分接触的双极触点的第二布线。
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公开(公告)号：KR101508971B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140048254
申请日：2014-04-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/31 , H01L27/115 , H01L27/11517
Abstract: 본발명은재구성가능소자구현에있어서, 독립된상부게이트와하부게이트를구현하여기존의동일기능의재구성가능소자에비해서집적도를크게증가시켰으며, 소자내에비휘발성메모리기능이내재된독립된하부전극어레이를기반으로재구성가능회로동작시에동적기생성분의감소와배선의복잡도감소가가능하며, 궁극적으로전력소모를감소시킬수 있는구조이다. 또한, 기존의재구성가능소자에비해서다기능소자의기능다양성 , 공정상의정렬여유도, 채널내 극소전기적도핑구현능력, 공정적으로상향식과하향식방법과의호환성, 1D, 2D 소재와의정합성등 다양한특성관점에서탁월한우수성을보이는소자를제공한다.
Abstract translation: 在实现可重新配置的电子设备中，与现有具有相同功能的可重新配置的电子设备相比，本发明独立地通过体现上部门极和下部门极大地增加了集成度。 当基于在设备中具有非易失性存储功能的独立的下电极阵列进行可重构电路操作时，可以减少动态寄生分量和线的复杂度。 因此，可以降低功耗。 另外，本发明是提供一种具有优异性能的装置，例如多功能装置的多功能，工艺的对准余量，通道中极度的电掺杂性能，与自上而下型和自下而上的可比性 类型方法，1D和2D材料的匹配性能等与现有的可重新配置设备相比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101455743B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130077821
申请日：2013-07-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01H59/00
Abstract: 본 발명은 저항 변화 스위칭 물질을 이용한 넴스 원자 스위치에 관한 것이다. 상기 넴스 원자 스위치는, 기판; 상기 기판위에 형성된 제1 전극; 저항 변화 스위칭 물질로 구성되어 상기 제1 전극위에 형성된 저항변화층; 상기 저항변화층으로부터 일정 거리 이격되어 형성된 제2 전극; 상기 기판위에 형성되고, 상기 제2 전극의 단부에 연결되어 상기 제2 전극이 상기 저항변화층으로부터 일정 거리 이격되어 유지되도록 상기 제2 전극을 지지하는 지지대; 상기 제2 전극의 양 측면으로부터 일정 거리 이격되어 형성된 보조 전극;를 구비한다.
상기 저항 변화층과 제2 전극의 사이에 공기층이 형성되어, 상기 제2 전극이 정전기력에 의해 공기층을 수직방향으로 이동하여 스위치 온 상태를 유지하거나, 기계적 복원력에 의해 원래 위치로 되돌아감에 따라 스위치 오프 상태를 유지하게 된다. 또한, 상기 제2 전극과 보조 전극의 사이에도 공기층이 형성되어, 이들간의 정전기력에 의해 제2 전극이 수평방향으로 이동함에 따라 스위치 오프를 원할하게 구동하게 된다.Abstract translation: 本发明涉及使用电阻变化切换材料的NEMS原子开关。 NEMS原子开关包括：基板; 形成在基板上的第一电极; 电阻变化层，其通过形成有电阻变化切换材料形成在第一电极上; 第二电极，其以预定距离与电阻变化层分离; 形成在所述基板上并支撑所述第二电极的支撑件，使得所述第二电极通过与所述第二电极的端部连接而与所述电阻变化层保持距所述预定距离的距离; 以及辅助电极，其被形成为以预定距离与第二电极的两个侧面分离。 本发明保持接通状态，因为第二电极通过静电力使空气层在垂直方向上移动，或者当第二电极通过形成空气而通过机械恢复力返回到原始位置时保持断开状态 电阻变化层和第二电极之间的层。 当第二电极在第二电极和辅助电极之间形成空气层时，第二电极通过第二电极和辅助电极之间的静电力在水平方向上移动，开关装置也平滑地切断。
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公开(公告)号：KR1020140096669A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130009518
申请日：2013-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 에스케이하이닉스 주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/02164 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2223/6622 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises a P-type semiconductor substrate with an integrated circuit on at least one surface; one or more through electrodes inserted into the semiconductor substrate; a dielectric layer formed between the semiconductor substrate and the through electrodes; an N-type impurity region in contact with one portion of the dielectric layer, formed within the semiconductor substrate to expose the other part of the dielectric layer, and providing electrons to form an inversion layer on the surface of the semiconductor substrate facing the exposed part of the dielectric layer; and a power circuit providing bias voltage or ground by being electrically connected to the impurity region to be coupled to an electrical signal passing through the through electrodes and form the inversion layer.
Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 根据本发明实施例的半导体器件包括在至少一个表面上具有集成电路的P型半导体衬底; 一个或多个通过电极插入到半导体衬底中; 形成在所述半导体衬底和所述通孔之间的电介质层; 与半导体衬底的一部分接触形成的N型杂质区，以暴露电介质层的另一部分，以及提供电子以在面向暴露部分的半导体衬底的表面上形成反型层 的介电层; 以及电源电路，通过电连接到杂质区域提供偏置电压或接地，以耦合到穿过通孔的电信号并形成反转层。
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公开(公告)号：KR101423225B1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020120021285
申请日：2012-02-29
Applicant: 동국대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자기장을 이용하여 성체줄기세포를 슈반세포로 분화시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 성체줄기세포를 슈반세포로 분화시키는 방법은, 특정 주파수와 강도의 전자기장을 이용하여 성체줄기세포를 배양함으로써 고비용의 슈반세포 분화 배지를 사용하지 않고도 기존에 슈반세포로의 분화가 용이하지 않았던 성체줄기세포를 효과적으로 슈반세포로 분화시킬 수 있다.
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39.发明授权
公开(公告)号：KR101329586B1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：KR1020110076775
申请日：2011-08-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 이종호
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11582
Abstract: 본 발명은 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고 메모리 용량을 늘리기 위하여 바디를 공유하는 이웃한 셀 스택 사이마다 플로팅 게이트 형태의 가중치 전극, 터널링 절연막 및 가중치 제어 전극을 구비한 3차원 수직형 메모리 셀 스트링과 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 目的：提供一种具有加权电极的3D垂直存储单元串，包括该电极的存储器阵列及其制造方法，以通过在相邻的相邻电极之间包括加权控制电极，隧道绝缘层和加权电极来消除机体之间的干扰 细胞堆叠共享身体。 构成：在半导体衬底（1）上形成两个或更多个电极堆叠（40）。 半导体本体（5）形成在栅极绝缘层叠层上。 第一分离绝缘层（6）形成在加权电极（27）和半导体本体之间。 第二分离绝缘层（28）在每个沟槽方向上电分离每个加权电极。 在每个加权电极上形成隧道绝缘层（29）。
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公开(公告)号：KR101318844B1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020100119234
申请日：2010-11-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전기자극 신경재생용 임플란트에 관한 것으로서, 더 상세하게는 치과 임플란트 시술시 치조골 내부 신경이 전기자극을 받도록 함으로써 조기 골융착 및 골밀도 증진을 가능하게 하는 전기자극 신경재생용 임플란트에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전기자극 신경재생용 임플란트는, 치조골 내부로 나사결합될 수 있도록 테두리에 나사산이 형성되고 중앙부에 관통공이 형성되는 바디 및 바디의 상단에서 연장되되 상단에 개구부가 형성되어 내측 공간부가 형성되는 헤드를 갖는 삽입체와, 삽입체의 바디에 형성되는 관통공에 삽입되어 하단이 바디의 외부로 노출되는 자극 전극과, 자극 전극의 하단에 분리 가능하도록 결합되어 치조골 내부의 신경과 접촉되는 전극 팁과, 삽입체의 헤드에 형성되는 공간부에 설치되는 전원과, 전원에 접촉될 수 있도록 설치되는 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판에 접촉될 수 있도록 설치되고, 자극 전극의 상단과 전기적으로 연결되는 자극 칩과, 삽입체의 헤드에 형성되는 개구부에 결합되는 캡을 포함하며, 캡이 삽입체의 헤드에 형성되는 개구부에 결합되면, 전원으로부터 인쇄회로기판, 자극 칩 및 자극 전극을 거쳐 전극 팁에 전기가 공급되어 전극 팁 주변의 신경에 전기자극이 가해지도록 하는 것을 특징으로 한다.
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