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公开(公告)号：KR102200000B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020140070642
申请日：2014-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층아래에배치된제2 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층사이에배치된활성층; 상기제2 도전형반도체층의저면으로부터상기제2 도전형반도체층과상기활성층층하여상기제1 도전형반도체층의일부를노출하는복수의홀; 상기제2 도전형반도체층의저면으로부터상기복수의홀을통해상기제1 도전형반도체층층층연결된제1 컨택전극; 상기제1 컨택전극과상기복수의홀홀에배치된절연층층제1 컨택전극과전기적으로연결된접합층; 상기접합층아래에배치된지지부재; 및상기제2 도전형반도체층층적으로연결된제2 컨택전극;을포함하며, 상기지지부재재접합층사이의계면은, 상기제1 컨택전극과오버랩되는제1 계면영역과상기제1 컨택전극과오버랩되지않는제2 계면영역을포함하며, 상기제2 계면영역에보이드가배치될수 있다.
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公开(公告)号：KR101874573B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020110054695
申请日：2011-06-07
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 실시예는캐리어가주입되는제1 도전형반도체층또는제2 도전형반도체층에다공성그래핀층을형성하여캐리어가균일하게주입되도록하고, 열전도율과전기전도율을개선하는발광소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170042970A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：KR1020150142233
申请日：2015-10-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는광 추출효율이향상된발광소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명실시예의발광소자는기판; 상기기판상에배치되며, 상부면이요철형상을갖는제 1 반도체층, 상기제 1 반도체층보다상기기판과인접한제 2 반도체층및 상기제 1 반도체층과상기제 2 반도체층사이에배치된활성층을포함하는발광구조물; 상기요철형상을따라상기제 1 반도체층상에형성되어, 상부면이오목부를가지며, 상기제 1 반도체층보다굴절률이낮은굴절률변조층; 및상기굴절률변조층상에상기오목부사이마다배치된절연패턴을포함한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及具有改善的光提取效率的发光器件及其制造方法。 第一半导体层，设置在基板上，第一半导体层具有柔性基板的上表面，第二半导体层比第一半导体层更靠近基板，并且有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间， 一种发光结构，包括： 沿着所述凹凸形状形成在所述第一半导体层上的折射率调制层，所述折射率调制层在其上表面上具有凹部并且具有比所述第一半导体层的折射率低的折射率; 并且为每个凹陷部分设置在每个折射率调制层上的绝缘图案。
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公开(公告)号：KR1020150142741A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140070647
申请日：2014-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/38 , F21Y2115/10 , H01L33/10 , H01L33/145
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층아래에배치된제2 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층사이에배치된활성층; 상기제2 도전형반도체층의저면으로부터상기제2 도전형반도체층과상기활성층층층기제1 도전형반도체층의일부를노출하는복수의홀; 상기제2 도전형반도체층의저면으로부터상기복수의홀을통해상기제1 도전형반도체층에전기적으로연결된제1 컨택전극; 상기제1 컨택전극상측의상기제1 도전형반도체층층된제1 이온주입영역; 상기제1 컨택전극과상기복수의홀 사이에배치된절연층층층전극과전기적으로연결된제1 전극층; 상기제2 도전형반도체층층적으로연결된제2 컨택전극;을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件及其制造方法，发光器件封装以及照明系统。 根据实施例，发光器件包括：第一导电半导体层; 放置在第一导电半导体层下面的第二导电半导体层; 放置在第一和第二半导体层之间的有源层; 多个孔通过从第二导电半导体层的底部穿透有源层和第二导电半导体层而暴露第一导电半导体层的一部分; 从所述第二导电半导体层的底部通过所述孔与所述第一导电半导体层电连接的第一接触电极; 在所述第一接触电极的上部层压在所述第一导电半导体层上的第一离子注入区域; 电连接到设置在所述孔和所述第一接触电极之间的绝缘层电极的第一电极层; 以及连接到第二导电半导体层的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150142235A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140070646
申请日：2014-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , F21Y2115/10 , H01L33/10 , H01L33/145
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층및 상기제1 도전형반도체층과제2 도전형반도체층사이에배치된활성층층층광구조층; 상기발광구조층의저면으로부터상기발광구조층층를관통하여상기제1 도전형반도체층의일부를노출하는복수의리세스; 상기복수의리세스를통해상기제1 도전형반도체층층적으로연결된제1 컨택전극; 상기제1 컨택전극과상기복수의리세스사이에배치된절연층; 상기제1 컨택전극과전기적으로연결된제1 전극층층기제2 도전형반도체층과전기적으로연결된제2 컨택전극;을포함할수 있다. 상기복수의리세스는상기제2 도전형반도체층에서상기제1 도전형반도체층방향으로소정의각도를지닐수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光元件，制造发光元件的方法，发光封装和照明系统。 根据实施例，发光元件包括：发光结构层，包括第一导电半导体，第二导电半导体层和置于第一和第二半导体层之间的有源层; 多个凹部通过从发光结构层的底部穿透发光结构层而暴露第一导电半导体层的一部分; 通过所述凹部连接到所述第一导电半导体层的第一接触电极; 设置在所述凹部和所述第一接触电极之间的绝缘层; 电连接到第一接触电极的第一电极层; 和与第二导电半导体层电连接的第二接触电极。 凹部能够在从第二导电半导体层到第一导电半导体层的方向上具有预定的角度。
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公开(公告)号：KR1020150006631A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：KR1020130080255
申请日：2013-07-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/025 , F21Y2115/10 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상면 일부를 노출하는 홀을 구비하며 상기 활성층 상에 형성된 AlN층; 상기 AlN층 상에 Al
x In
y Ga
(1-xy) N 계열층(단, 0≤x≤1, 0≤y≤1); 및 상기 Al
x In
y Ga
(1-xy) N 계열층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함한다.Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括：第一导电类型半导体层; 在第一导电类型半导体层上的有源层; AlN层，其具有用于部分地暴露有源层的上表面并形成在有源层上的孔; AlN层上的Al x In y Ga（1-x-y）N族层（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1） 和在Al x In y Ga（1-x-y）N基团层上的第二导电型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020140144549A
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020130066663
申请日：2013-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 양자우물과 양자벽(114b)을 포함하는 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 언도프트 라스트 배리어층(undoped last barrier)(127); 상기 언도프트 라스트 배리어층(127) 상에 Al
x In
y Ga
(1-xy) N 계열층(단, 0≤x≤1, 0≤y≤1)(128); 상기 Al
x In
y Ga
(1-xy) N 계열층(128) 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 언도프트 라스트 배리어층(127)은 상기 양자우물(114w) 중 상기 제2 도전형 반도체층(116)에 가장 인접한 라스트 양자우물(114wl) 상에 제1 In
p1 Ga
1
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p1 N층(단, 0〈p1〈1)(127a); 상기 제1 In
p1 Ga
1
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p1 N층(127a) 상에 Al
q Ga
1
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q N층(단, 0〈q〈1)(127b); 및 상기 Al
q Ga
1
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q N층 상에 제2 In
p2 Ga
1
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p2 N층(단, 0〈p2〈1)(127c);을 포함할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种发光装置。 根据本发明实施例的发光器件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上包括量子壁（114b）和量子阱的有源层（114）; 形成在有源层（114）上的未掺杂的最后阻挡层（127）; 形成在未掺杂的最后阻挡层（127）上的Al_xIn_yGa_（1-x-y）N层（128）。 以及形成在Al_xIn_yGa_（1-x-y）N层（128）上的第二导电半导体层（116）。 未掺杂的最后阻挡层（127）包括第一In_p1Ga_（1-p1）N层，Al_qGa_（1-q）N层和第二Inp_2Ga_（1-p2）N层。
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公开(公告)号：KR1020140096652A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130009468
申请日：2013-01-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/30
Abstract: A light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an activating layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and an electron blocking layer disposed between the second semiconductor layer and the activating layer, and including a plurality of layers having distinct aluminum content, wherein the electron blocking layer includes a plurality of step layers having distinct aluminum content and a plurality of intermediate layers which is disposed between the step layers and having less aluminum content than the step layers.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括第一半导体层; 第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的激活层; 以及设置在所述第二半导体层和所述激活层之间的电子阻挡层，并且包括具有不同的铝含量的多个层，其中所述电子阻挡层包括具有不同铝含量的多个阶梯层和多个中间层， 设置在台阶层之间并且具有比步骤层更少的铝含量。
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公开(公告)号：KR1020140050810A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120117081
申请日：2012-10-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device according to an embodiment may comprise: a first conductive semiconductor layer (112); a gallium nitride-based super lattice layer (124) on the first conductive semiconductor layer (112); an active layer (114) on the gallium nitride-based super lattice layer (124); a second conductive gallium nitride-based layer on the active layer (114); and a second conductive semiconductor layer (116) on the second conductive gallium nitride-based layer, wherein the second conductive gallium nitride-based layer can include a second conductive Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N super lattice layer (here, 0
Abstract translation: 本发明的实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的基于氮化镓的超晶格层（124）; 位于所述氮化镓基超晶格层（124）上的有源层（114）; 在所述有源层（114）上的第二导电氮化镓基层; 以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层（116），其中所述第二导电氮化镓基层可以包括第二导电Al_xGa_（1-x）N / Al_yGa_（1-y）N超晶格 （114）上的层（这里为0
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