치과 의료장비용 플라즈마 발생장치
    31.
    发明授权
    치과 의료장비용 플라즈마 발생장치 失效
    口腔医学仪器等离子体发生器

    公开(公告)号:KR100581693B1

    公开(公告)日:2006-05-22

    申请号:KR1020040005083

    申请日:2004-01-27

    Inventor: 백홍구 최재혁

    CPC classification number: A61C19/063

    Abstract: 본 발명은 대기 중에서 소정의 영역에서 균일한 플라즈마를 발생시켜 치아 표면을 살균시킬 뿐 아니라 인체 손상을 줄일 수 있는 치과 의료장비용 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 치과 의료장비용 플라즈마 발생장치는 반응 가스와 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스를 일방향으로 공급하는 가스주입튜브와, 상기 가스주입튜브의 일단을 막아주도록 설치되는 절연체와, 상기 가스 주입튜브와 일단이 연통되도록 상기 절연체에 끼움 고정되어 전류를 흘러주는 동시에 내부로 혼합 가스가 통과하는 중공의 바이어스 전극과, 상기 절연체에 상기 바이어스 전극의 타단을 감싸도록 고정되어 상기 바이어스 전극과 상호작용에 의해 플라즈마를 발생시키도록 접지되는 실린더 전극으로 이루어진다.
    치과, 의료장비, 플라지마, 발생장치, 전극, 가스주입튜브, 절연체

    고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기이엘소자
    32.
    发明公开
    고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기이엘소자 无效
    用于玻璃基板的高封装密度钝化器件(有机电致发光显示器)

    公开(公告)号:KR1020050057867A

    公开(公告)日:2005-06-16

    申请号:KR1020030090077

    申请日:2003-12-11

    Abstract: 본 발명의 고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기EL소자는, 충진밀도(packing)가 높은 물질을 유기 EL소자의 상부 최외각층에 보호막(또는 보호층, Passsivation Layer)을 증착시킨 유기EL소자(OELD)에 관한 것이다.
    본 발명은, 글래스기판(Glass Substrate) 상부로부터 순서적으로 형성되어 포함된 양전극층(Anode), 발광층(Emission Layer;EML), 음전극층(Cathode)을 각각 주 동작층으로 하며, 이러한 주 동작층 사이에 필요에 따라 전자 및 정공의 작동을 활성화시키는 층들을 부가하고 있는 유기EL소자에 있어서, 기본 물질의 결합구조(network) 상에서 존재하는 결공(void)이나 틈새(interstice) 등 물질사이에 존재하는 공극을 대체하도록, 단결합강도(single bond strength)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(electro-negativity)와 이온전장강도(ion field strength)는 각각 높아 공유결합특성(covalent bonding characteristic)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SiO
    2 )에 [ 2∼40 %: 98∼60 %]의 비율로, 상기 유기 EL소자의 상부 최외각층에 증착시켜 보호막(Passsivation Layer)을 � �성하는 특징을 갖는다.
    따라서 본 발명은 충진밀도(packing density)를 높여 결공(void)이나 틈새(interstice)를 메워 외부의 산소나 수분의 침투를 근본적으로 차단시킴으로써 유기EL소자의 동작특성을 획기적으로 개선시키는 효과가 있다.

    고충진밀도 패시배이션 폴리머기판 유기이엘소자
    33.
    发明公开
    고충진밀도 패시배이션 폴리머기판 유기이엘소자 无效
    用于聚合物基板的高封装密度钝化器件(有机电致发光显示器)

    公开(公告)号:KR1020050046954A

    公开(公告)日:2005-05-19

    申请号:KR1020030080805

    申请日:2003-11-15

    Abstract: 본 발명의 고충진밀도 패시배이션 폴리머기판 유기EL소자는, 단결합강도(single bond strength)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(electro-negativity)와 이온전장강도(ion field strength)는 각각 높아 공유결합특성(covalent bonding characteristic)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SiO
    2 )와 일정비율로 하여, 폴리머기판(polymer substrate)의 양면 또는 일면에 측면 및 상기 유기 EL소자의 상부 최외각층에 보호막(또는 보호층, Passsivation Layer)을 증착시킨, 유기EL소자(OELD)에 관한 것이다.
    본 발명은, 폴리머기판(Polymer Substrate) 상부로부터 양전극층(Anode), 발광층(Emission Layer;EML), 음전극층(Cathode)을 각각 주 동작층으로 하고 다수의 층들을 포함하는 유기EL소자에 있어서, 기본 보호막 물질의 결합구조(network) 상에서 존재하는 결공(void)이나 틈새(interstice) 등 물질사이에 존재하는 공극을 대체하도록, 단결합강도(single bond strength)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(electro-negativity)와 이온전장강도(ion field strength)는 각각 높아 공유결합특성(covalent bonding characteristic)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SiO
    2 )에 [ 2∼40 %: 98∼60 %]의 비율로, 상기 폴리머기판(Polymer Substrate)의 측면 및 상기 유기 EL소자의 상부 최외각층에 증착시켜 보호막(Passsivation Layer)을 형성하는 특징을 갖는다.
    따라서 본 발명은 충진밀도(packing density)를 높여 결공(void)이나 틈새(interstice)를 메워 외부의 산소나 수분의 침투를 근본적으로 차단시키고, 종래 유리재료에 의한 기판(Glass Substrate) 대신 폴리머기판(polymer substrate)을 적용한 폴리머기판 유기EL소자의 형성을 가능하게 함으로써, 폴리머기판 유기EL소자의 상용화를 앞당기는 데 일조할 것으로 예상된다.

    엘씨디 백라이트용 평판 램프
    34.
    发明公开
    엘씨디 백라이트용 평판 램프 无效
    用于LCD背光的平板灯,特别适用于无间隔放电的安全空间

    公开(公告)号:KR1020050007091A

    公开(公告)日:2005-01-17

    申请号:KR1020030047177

    申请日:2003-07-11

    Abstract: PURPOSE: A flat panel lamp for an LCD backlight is provided to secure a space for electric discharge without spacers, thereby simplifying a manufacturing process of the flat panel lamp. CONSTITUTION: A flat panel lamp for an LCD(Liquid Crystal Display) backlight includes an upper panel(1) formed of a first flat panel(2) formed in an embossment shape, and an external electrode(4) formed at the inside of the first flat panel in predetermined width. A second flat panel is opposite to the first flat panel, having an external electrode formed at the inside of the second flat panel corresponding to the external electrode of the first flat panel.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于LCD背光源的平板灯以确保没有间隔物的放电空间,从而简化了平板灯的制造过程。 构成:用于LCD(液晶显示器)背光源的平板灯包括由形成为压花形状的第一平板(2)形成的上面板(1)和形成在凹凸形状的内部的外部电极(4) 第一平板预定宽度。 第二平板与第一平板相对,在与第一平板的外电极相对应的第二平板的内侧形成有外电极。

    벨트타입 미세공음극 평판형광램프
    35.
    发明公开
    벨트타입 미세공음극 평판형광램프 无效
    皮带类型微型中空阴极平面荧光灯

    公开(公告)号:KR1020030045541A

    公开(公告)日:2003-06-11

    申请号:KR1020010076294

    申请日:2001-12-04

    Abstract: PURPOSE: A planar fluorescent lamp is provided to improve a luminosity by forming a micro hollow having a predetermined width of a belt type at a cathode and boring a hollow used as an electrode so as to increase a plasma density in a fluorescent lamp. CONSTITUTION: The first fluorescent plate(11) comprises a plurality of micro hollows for increasing the density of radiated ultraviolet rays and a dual micro hollow cathode(K1,K2) formed for electron oscillation in the micro hollows. The second fluorescent plate(12) is placed with an opposite state at a spaced distance from the first fluorescent plate. A fluorescent substance(B) is coated on either one of the first and second fluorescent plates. A plasma gas is filled between the micro hollow cathode plate and the anode plate which are made airtightly.

    Abstract translation: 目的:提供一种平面荧光灯,用于通过在阴极处形成具有预定宽度的带状微孔并使用作为电极的中空孔,以增加荧光灯中的等离子体密度来提高亮度。 构成:第一荧光板(11)包括用于增加辐射紫外线的密度的多个微型空腔和在微型空腔中形成的用于电子振荡的双微空心阴极(K1,K2)。 第二荧光板(12)以与第一荧光板隔开距离的相反状态放置。 荧光物质(B)涂覆在第一和第二荧光板的任一个上。 将等离子体气体填充在气密密封的微空心阴极板和阳极板之间。

    액정 정렬 방법 및 액정 표시 장치
    36.
    发明授权
    액정 정렬 방법 및 액정 표시 장치 有权
    用于调节液晶和液晶显示装置的方法

    公开(公告)号:KR101548611B1

    公开(公告)日:2015-08-31

    申请号:KR1020130153220

    申请日:2013-12-10

    Inventor: 백홍구 채수상

    Abstract: 본발명에따라서정렬된액정층을제공하는방법이제공되는데, (1) 제1 기판을준비하는단계와; (2) 상기기판표면을처리하여, 그표면을하이드록실화(hydroxylation)화하여상기기판표면에하이드록실기(-OH)를형성하는단계와; (3) 실록산계열의폴리머를상기하이드록실화한기판표면에적층하여, 상기폴리머로부터확산되어나오는올리고머들이상기표면에부착된박막층을형성하는단계와; (4) 상기폴리머를벗겨내는단계와; (5) 상기 (1) 내지 (4)의과정을통해또 하나의박막층이형성된제2 기판을준비하는단계와; (6) 상기두 기판사이에액정을주입하여정렬시키는단계를포함하는것을특징으로한다.

    나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록
    38.
    发明公开
    나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록 有权
    制造纳米器件的方法,通过ARBITRARILY印刷其中的纳米器件和中间构建块可用于该方法

    公开(公告)号:KR1020110138478A

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:KR1020100058380

    申请日:2010-06-21

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-element by printing a nano-wire element in a pre-set shape and an intermediate building block for the method are provided to pattern and integrate the nano-wire element on a system to be programmable by using the intermediate building block. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nano-element includes the following: A nano-wire solution is prepared. A building block includes a substrate and a nano-wire element carrier and is divided into a plurality of building block units. The nano-wire solution is dropped between the electrodes of the building block units. A dielectrophoresis process is implemented, and the electrodes of the building block units are connected by the nano-wire in order to form the nano-wire element. The nano-wire element is transferred to a gate substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过印刷预定形状的纳米线元件和用于该方法的中间构建块来制造纳米元件的方法,以将纳米线元件图案化并集成在可编程的系统上,以通过使用 中间建筑块。 构成:制造纳米元件的方法包括以下:制备纳米线溶液。 构建块包括基板和纳米线元件载体,并且被分成多个结构单元。 纳米线溶液落在构建块单元的电极之间。 实现介电电泳工艺,并且通过纳米线连接构建块单元的电极以形成纳米线元件。 纳米线元件被转移到栅极衬底。

    유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    39.
    发明公开
    유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090019102A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:KR1020070083278

    申请日:2007-08-20

    CPC classification number: H01L51/0525 H01L51/0533

    Abstract: An organic thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to reduce a leakage current by forming a gate insulating layer with high filling density by an ion beam assisted deposition method. An organic thin film transistor includes a gate electrode(110), a gate insulating layer(120), an organic insulating layer(124), an organic semiconductor layer(130), a source electrode (140a) and a drain electrode. The gate electrode is formed on the substrate(100). The gate insulating layer is formed in the front side of the substrate including the gate electrode by using an ion beam assisted deposition method. The organic semiconductor layer is formed in an upper part of the gate electrode. The gate insulating layer is interposed between the gate electrode and the organic semiconductor layer. The source electrode is formed in the upper part of the organic semiconductor layer. The drain electrode faces the source electrode. The organic insulating layer is formed between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer. The gate insulating layer includes the silicon dioxide.

    Abstract translation: 提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法,通过利用离子束辅助沉积法形成具有高填充密度的栅极绝缘层来减少漏电流。 有机薄膜晶体管包括栅电极(110),栅绝缘层(120),有机绝缘层(124),有机半导体层(130),源电极(140a)和漏电极。 栅电极形成在基板(100)上。 通过使用离子束辅助沉积法在栅极绝缘层的前侧形成栅电极。 有机半导体层形成在栅电极的上部。 栅绝缘层介于栅电极和有机半导体层之间。 源电极形成在有机半导体层的上部。 漏电极面对源电极。 有机绝缘层形成在栅绝缘层和有机半导体层之间。 栅极绝缘层包括二氧化硅。

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