술폰화 고분자 공중합체, 상기 고분자 공중합체 제조방법, 상기 공중합체를 포함하는 고분자 전해질 막 및 상기 전해질막을 포함하는 에너지 저장 장치
    31.
    发明授权
    술폰화 고분자 공중합체, 상기 고분자 공중합체 제조방법, 상기 공중합체를 포함하는 고분자 전해질 막 및 상기 전해질막을 포함하는 에너지 저장 장치 有权
    磺化共聚物,其制造方法,包含该聚合物的聚合物电解质和包含聚合物电解质的能量储存

    公开(公告)号:KR101522256B1

    公开(公告)日:2015-05-22

    申请号:KR1020140058314

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 본발명은고분자전해질막 및그 제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는공지된고분자전해질막과비교하여특성은동등하거나우수하면서도초저가로생산가능한술폰화고분자공중합체, 상기고분자공중합체제조방법, 상기공중합체를포함하는고분자전해질막 및상기전해질막을포함하는에너지저장장치에관한것이다.

    Abstract translation: 高分子电解质膜及其制造方法技术领域本发明涉及高分子电解质膜及其制造方法,更具体地说,涉及与已知的聚合物电解质膜相比具有等同性或优异性,能够以低成本制造的特征的磺化共聚物 共聚物的制造方法,包含该共聚物的高分子电解质膜以及包含该电解质膜的能量储存装置。 为此,本发明提供了由化学式1表示的磺化共聚物。在化学式1中,R_2,R_6,R_2',R_6'彼此相同或不同,并且选自 - H,烷基,氟烷基,-C 6 H 5, - (C 6 H 14)n C 6 H 5,-C 6 F 5和 - (C 6 F 4)n -C 6 F 5; 当R 3和R 5中的一个或多个为-SO 3 H时,R 3'和R 5'选自-H,烷基,氟烷基,-C 6 H 15, - (C 1-6)-4-(C 6 H 4)n C 6 H 5,-C 6 F 5, - ( C_6F_4)正C_6F_5; 当R 3'和R 5'中的一个或多个为-SO 3 H时,R 3和R 5选自-H,烷基,氟烷基,-C 6 H 5, - (C 1-6 H 14)n C 6 H 5,-C 6 F 5, - ( C_6F_4)正C_6F_5; 并且n,X和Y是大于零的实数。

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