Abstract:
본 발명은 마이크로파 플라즈마 발생기의 동축케이블의 일단부에서 발생되는 플라즈마에 의한 임피던스 부정합을, 동축케이블의 반대편 일단부에서 외부도체와 내부도체를 전기적으로 연결하는 연결도체의 구조를 변형하여 보상함으로써 마이크로파 전력 공급 장치에서 마이크로파 플라즈마 발생기로 전달되는 전력의 효율을 극대화할 수 있는 전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기에 관한 것이다.
Abstract:
SRAM 구조에 기반한 시냅스 어레이(synapse array), 펄스 쉐이퍼 회로(pulse shaper circuit), 및 뉴로모픽 시스템(neuromorphic system)이 제공된다. 시냅스 어레이는 복수의 시냅스 회로들을 포함한다. 복수의 시냅스 회로들 중 적어도 하나의 시냅스 회로는 적어도 하나의 바이어스 트랜지스터 및 적어도 두 개의 컷-오프 트랜지스터들을 포함하고, 적어도 하나의 시냅스 회로는 적어도 한 개의 바이어스 트랜지스터를 통과하는 문턱 아래 누설 전류(sub-threshold leakage current)를 이용하는 적어도 하나의 시냅스 회로와 연결된 뉴런 회로의 멤브레인 노드를 차지(charge)한다.
Abstract:
저항값이 가변되는 멤리스터(memristor) 및 멤리스터에 연결되고, 적어도 두 개의 입력 신호들이 인가되는 트랜지스터를 포함하고, 멤리스터의 저항값은 트랜지스터에 인가되는 적어도 두 개의 입력 신호들의 시간 차이에 의존하여 가변되는 STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 동작을 위한 시냅스 회로가 제공된다.
Abstract:
PURPOSE: A noise shaping time digital converter using a delta sigma modulating method is provided to simplify a circuit configuration by eliminating a D flip-flop or a counter and a plurality of delay elements which are serially connected. CONSTITUTION: A delta generator(40) generates the difference value between an inputted reference phase difference and outputted 1 bit. A time integrator(50) integrates the difference value of the delta generator and stores the difference value in a voltage form. An analog to digital converter(60) outputs the 1 bit according to the integrated value which is stored in the time integrator. The analog to digital converter outputs the 1 bit while being synchronized with a sampling frequency. The delta generator comprises first to fourth switches which are connected in parallel to an input terminal having a start signal and a stop signal, a delay element which is connected to the first and third switches, and fifth to eighth switches. [Reference numerals] (AA) Output(1bit); (BB) Synchronizing frequency
Abstract:
PURPOSE: A synapse for an STDP(spike-timing-dependent plasticity) functional cell, the STDP functional cell, and a neuromophic circuit using the STDP functional cell are provided to change a specific synaptic neuron without interference of another synaptic neuron by timely separating a communication mode to transmit information through the synapse from a study mode to change the intensity of the synapse. CONSTITUTION: A transistor(115) is connected to a memory device(113). A channel of the memory device is serially connected to a channel of the transistor. The resistance of the memory device is changed according to a synaptic weight dependent on a voltage applied between both ends of the memory device. A first terminal is connected to the memory device. A second terminal(117) is connected to a source terminal of the transistor. A synapse is connected to a free synaptic neuron through a first terminal and is connected to a post synaptic neuron through a second terminal. [Reference numerals] (110) Synapse; (150,130) Post synaptic neuron; (155,135) Pulse shaper
Abstract:
시간-디지털 변환기에 있어서, 기준 위상차(△t)를 가지는 제1입력신호와 제2입력신호를 입력받아, 위상차가 증가된 제1출력신호 및 제2출력신호를 출력하는 위상차 증대부 및 상기 제1출력신호 및 제2출력신호를 입력받아, 상기 제1출력신호 및 제2출력신호들의 위상차를 기준 지연시간(τ)과 비교하여 비교신호를 출력하는 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 시간-디지털 변환기이다. 본 발명에 따른 시간-디지털 변환기는 고해상도 시간-디지털 변환기를 제공하는데 있다. 즉 해당 반도체 공정에서 얻을 수 있는 지연소자의 최소 위상 지연시간 이하의 분해능을 가지는 시간-디지털 변환기를 제공하는데 있다.
Abstract:
기준 전압 생성기는 외부 전압 단자와 접지 전압 단자 사이에 병렬 연결된 복수개의 트랜지스터를 구비하고, 상기 복수개의 트랜지스터 중 어느 하나의 드레인-소오스 양단에서 기준 전압이 출력 되도록 하며, 상기 외부 전압의 레벨 변동에 따른 상기 복수개의 트랜지스터의 게이트의 전압 레벨의 변동량을 다르게 한다. 기준 전압, 외부 전압, 온도
Abstract:
본 발명은 플라즈마를 이용한 지혈장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마이크로파 공진기를 이용하여 대기압 하에서 저전력으로 발생시킨 저온의 플라즈마를 상처 부위에 가함으로써, 상처에 대한 화상이나 부작용을 줄이면서 신속하게 혈액을 응고시켜 지혈하고 상처 부위를 살균, 소독할 수 있게 함과 아울러 휴대 가능하도록 소형화한 저온 플라즈마를 이용한 지혈장치에 관한 것이다. 저온 플라즈마, 지혈, 살균, 저전력, 소형화