고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1019960004280A

    公开(公告)日:1996-02-23

    申请号:KR1019940017413

    申请日:1994-07-19

    Inventor: 박융 김윤호

    Abstract: 본 발명은 위치변위 시스템이나 유전체 공진기의 재료로 사용되는 고주파 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
    본 발명의 자기조성물은 주성분 Zr
    1-x Sn
    x Ti
    1+Y O
    4 (0.1〈X〈0.3, -0.1〈Y〈0.1)에 소결조제로 산화망간 0∼3 중량%와 산화니켈과 산화안티몬의 합이 0∼2 중량% 첨가되어 이루어진 조성으로, 이는 동 조성의 범위가 되도록 원료분말을 혼합하여 하소하고 분쇄한 후 소정형상으로 성형해서 1300∼1500℃의 산소분위기 중에서 소성함으로써 얻어진다. 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 9GHz, 25℃에서 유전율 35이상, 품질계수 4000이상, Q
    xf 값 40000 이상의 우수한 유전특성을 나타낸다.

    지르코니아의 제조 방법
    38.
    发明公开
    지르코니아의 제조 방법 无效
    氧化锆的制造方法

    公开(公告)号:KR1019940019605A

    公开(公告)日:1994-09-14

    申请号:KR1019930001578

    申请日:1993-02-05

    Abstract: 본 발명은 지르콘사로 부터 고순도의 지르코니아 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제조방법은 지르콘사, CaO 함유 원료 및 염화칼슘을 일정한 비율로 혼합하고, 펠릿으로 성형한뒤 1200℃ 이상의 온도에서 열처리하여 지르코니아가 함유된 클링커를 얻은 다음, 클링커를 농도가 3N 이하인 염산 용액에서 1단계 산처리한 후, 이어서 3N 이상의 염산 용액에서 산처리하며, 끝으로 알칼리 용액에서 화학처리하여 클링커로부터 지르코니아를 분리하는 것으로 이루어진다.
    이와 같이 얻어진 지르코니아는 광학재료, 연마재료, 구조세라믹스재료, 전자재료, 산소센서등의 광범위한 분야에서 널리 사용되고 있다.

    적층 자기 콘덴서
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019940004672A

    公开(公告)日:1994-03-15

    申请号:KR1019920015079

    申请日:1992-08-21

    Inventor: 오태성 김윤호

    Abstract: 본 발명은 저가의 니켈 또는 니켈 합금을 내부전극으로 사용하여 이루어지는 적층 자기 콘덴서에 관한 것이다.
    본 발명은 티탄산 바륨 유전체 자기의 바륨 이온을 스트론튬 이온으로 치환하는 한편 타타늄 이온을 니켈 이온과 지르코늄 이온으로 치환한 것으로 다음의 조정식으로 표시된다.
    Ba
    1-x -Sr
    x Ti
    1-yz Ni
    y Zr
    z O
    3-y
    이때,
    0≤x≤0.2
    0.005≤y≤0.1
    0≤z≤0.2
    본 발명의 조성물을 이용한 적층 자기 콘덴서는 저산소분압의 환원분위기 소결후에도 10
    6 MΩ·㎝ 이상의 높은 비저항을 유지하며, 2000 이상의 유전상수와 3.0% 이하의 유전특성을 나타낸다.
    또한, 산화니켈이 유전체 조성물에 첨가되어 있기 때문에 내부 전극인 니켈의 유전체 내로의 확산이 방지되어 적층 자기 콘덴서의 유전특성이 유전체 자기 본래의 유전특성과 달라지는 것을 막을 수 있어 적층 자기 콘덴서의 신뢰성과 생산성 향상의 효과가 있다.

    적층 세라믹 캐패시터의 제조방법

    公开(公告)号:KR1019930006986A

    公开(公告)日:1993-04-22

    申请号:KR1019910015865

    申请日:1991-09-11

    Abstract: 본 발명을 세라믹 유전체층 사이에 형성된 가공층 내부로 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 주입전극법에 의한 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 내부전극 형성용 용융금속을 가공층 내부로 주입하기전에 세라믹 유전체의 양측면에 은이나 백금/은의 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 기공층으로 부터 세라믹 유전체의 외부표면을 향해 형성된 주입통로를 통하여 용융금속의 주입을 행하여 내부전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 주입통로를 통한 내부전극 주입방식은 종래의 다공성 침투층을 통한 방법에 비해 비교적 낮은 압력하에서도 신속하게 용융금속의 주입이 수행되는 장점이 있다.

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