公开(公告)号：KR1019990065017A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980000039

申请日：1998-01-05

Applicant: 한국과학기술원 ,  이종길

Inventor： 정성윤 ,  김석필 ,  강병성 ,  최시경 ,  강석중

IPC: H01L21/20

Abstract: 기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지(coherent)되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료 간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형(choerent elastic strain)이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조로 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다.
본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.