公开(公告)号：JP2011213840A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：JP2010082700

申请日：2010-03-31

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： HIRANO SHUJI ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  IIZUKA YUSUKE ,  SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  YOSHITOME MASAHIRO

IPC: C08F20/12 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method capable of obtaining a lactone compound containing an acid-degradable group with a high yield, and a production method for an active light ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in which resist performance is improved.SOLUTION: This production method is a production method for a compound represented by formula (IB) below using a compound represented by formula (IA) below. (formulas (IA) and (IB)) (where Q represents a polymerizable group; Ls are independently a linking group when m is 2 or more; Lc represents a group having a lactone structure; Arepresents a group eliminated by an action of an acid or a group having a group generating an alkali soluble group by being degraded by an action of an acid; and m represents an integer of 0 or more).

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够以高产率获得含有酸降解基团的内酯化合物的制备方法，以及其中抗蚀剂性能得到改善的活性光敏感或辐射敏感性树脂组合物的制备方法 。溶液：该制造方法是使用下述式（IA）表示的化合物的下述式（IB）表示的化合物的制造方法。 （式（IA）和（IB））（其中Q表示可聚合基团;当m为2以上时，Ls独立地为连接基; Lc表示具有内酯结构的基团;表示通过酸的作用除去的基团 或具有通过酸的作用而降解而产生碱溶性基团的基团，m表示0以上的整数。

公开(公告)号：JP2011203646A

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：JP2010072842

申请日：2010-03-26

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  HIRANO SHUJI ,  IIZUKA YUSUKE ,  YOSHITOME MASAHIRO

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which improves a pattern shape and exposure latitude and reduces bridge defects, and a pattern forming method using the same.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a resin (P) comprising a repeating unit (A) having a structural moiety (S1) which is decomposed by the action of an acid to thereby generate an alkali-soluble group, and a structural moiety (S2) which is decomposed by the action of an alkali developer to thereby exhibit an increased dissolution rate in the alkali developer; and a compound (PDA) which has a proton accepting functional group and is decomposed upon irradiation with actinic rays or radiation to thereby generate a compound having reduced or lost proton accepting ability or having acidity turned from proton accepting ability.

Abstract translation: 要解决的问题：提供改善图案形状和曝光宽容度并减少桥接缺陷的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及使用其的图案形成方法。解决方案：光化射线敏感或辐射敏感性， 敏感性树脂组合物包括：包含具有通过酸作用而分解从而产生碱溶性基团的结构部分（S1）的重复单元（A）的树脂（P）和结构部分（S2），其中 被碱显影剂的作用分解，从而在碱性显影剂中表现出增加的溶解速率; 和具有质子接受官能团的化合物（PDA），并且在通过光化射线或辐射照射时分解，从而产生具有质子接受能力降低或失去或具有由质子接受能力转变的酸度的化合物。

公开(公告)号：JP2011203505A

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：JP2010070872

申请日：2010-03-25

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  HIRANO SHUJI ,  IIZUKA YUSUKE ,  YOSHITOME MASAHIRO

IPC: G03F7/004 ,  C08F20/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which improves exposure latitude, depth of focus and pattern shape and to suppress standing waves, and a pattern forming method using the same.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a resin (P) comprising a repeating unit (A) having a structural moiety (S1) which is decomposed by the action of an acid to thereby generate an alkali-soluble group, and a structural moiety (S2) which is decomposed by the action of an alkali developer to thereby exhibit an increased dissolution rate in the alkali developer; and a compound (Q) represented by any one of general formulae (1) to (5).

Abstract translation: 要解决的问题：提供改善曝光宽容度，焦深和图案形状并抑制驻波的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及使用其的图案形成方法。解决方案： 敏感或辐射敏感性树脂组合物包括：包含具有结构部分（S1）的重复单元（S）的树脂（P），其通过酸的作用而分解，从而产生碱溶性基团，并且结构部分 （S2），其通过碱性显影剂的作用而分解，从而在碱性显影剂中表现出增加的溶解速率; 和由通式（1）至（5）中的任何一个表示的化合物（Q）。

公开(公告)号：JP2011076056A

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：JP2010076455

申请日：2010-03-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KATO TAKAYUKI ,  SAEGUSA HIROSHI ,  IWATO KAORU ,  HIRANO SHUJI ,  IIZUKA YUSUKE ,  YAMAGUCHI SHUHEI ,  SHIBUYA AKINORI

IPC: G03F7/039 ,  C08F222/22 ,  C08F222/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which enables formation of a pattern having good pattern collapse resistance and few development defects, and a pattern forming method using the composition. SOLUTION: There is provided the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition wherein transmittance for light of wavelength 193 nm for film thickness of 100 nm is 55-80%, and the pattern forming method using the composition. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够形成具有良好的图案抗塌陷性和很少显影缺陷的图案的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及使用该组合物的图案形成方法。 解决方案：提供光敏感或辐射敏感性树脂组合物，其中对于膜厚度为100nm的波长为193nm的光的透射率为55-80％，并且使用该组合物的图案形成方法。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010271649A

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：JP2009125508

申请日：2009-05-25

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KOSHIJIMA KOSUKE ,  HIRANO SHUJI ,  SAEGUSA HIROSHI ,  IIZUKA YUSUKE ,  IWATO KAORU ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which reduces coating defects and enables provision of an excellent pattern even in immersion exposure, and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes: (A) a resin which is decomposed by the action of an acid and exhibits increased solubility in an alkali developer; (B) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (C) a resin having at least either a fluorine atom or a silicon atom and a polarity conversion group which is decomposed by the action of an alkali developer and exhibits increased solubility in the alkali developer; and (D) a mixed solvent containing at least one solvent selected from the group represented by general formulae (S1)-(S3), wherein the total content of the solvent is 3-20 mass% in all solvents. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供减少涂层缺陷并能够在浸渍曝光中提供优异图案的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及使用其的图案形成方法。 光敏射线敏感性树脂组合物包括：（A）通过酸的作用而分解并在碱性显影剂中显示增加的溶解性的树脂; （B）在用光化射线或辐射照射时产生酸的化合物; （C）具有氟原子或硅原子中至少一个的树脂和通过碱性显影剂的作用分解的极性转换基团，并且在碱性显影剂中表现出增加的溶解性; 和（D）含有至少一种选自通式（S1） - （S3）所示基团的溶剂的混合溶剂，其中所有溶剂中溶剂的总含量为3-20质量％。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010159413A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：JP2009281057

申请日：2009-12-10

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： HIRANO SHUJI ,  IWATO KAORU ,  SAEGUSA HIROSHI ,  IIZUKA YUSUKE

IPC: C08F20/26 ,  C07D493/20 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07D493/20 ,  C07D493/14 ,  C08F220/30

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer compound that has excellent affinity to developer and is used for fine pattern formation in semiconductor production, and a new polymerizable compound for producing the polymer compound. SOLUTION: The polymerizable compound represented by general formula (ca-1) or (cb-1) and the polymer compound obtained by polymerizing the same are provided. Wherein, A, Z 1 , Z 2 , Ta, Tb, Tc, and L each independently represents a predetermined group, linkage, or atom; m, n, p, q, and r each independently represents a predetermined integer. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供对显影剂具有优异亲和性并用于半导体生产中的精细图案形成的高分子化合物和用于制备高分子化合物的新的可聚合化合物。 解决方案：提供由通式（ca-1）或（cb-1）表示的可聚合化合物和通过聚合获得的聚合物化合物。 其中，A，Z 1，Z SB 2，Ta，Tb，Tc和L各自独立地表示预定的基团，键或原子; m，n，p，q和r各自独立地表示预定的整数。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009244399A

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：JP2008088544

申请日：2008-03-28

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： IIZUKA YUSUKE ,  SHIBUYA AKINORI

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition which is excellent in line edge roughness and exposure latitude, and to provide a pattern formation method using the positive photosensitive composition. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains: a resin (A) which has a recurring unit containing a lactone structure and a recurring specific structural unit having a Van der Waals volume of 306×10 -30 m 3 or less, and facilitates dissolution to alkali by the action of acid; and a compound (B) which produces benzene sulfonic acid having an acid dissociation index pKa of -5.0 or more by irradiation with active light rays or radiation. The pattern formation method uses the positive photosensitive composition. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供线边缘粗糙度和曝光宽容度优异的正性感光性组合物，并提供使用正性感光性组合物的图案形成方法。 正型感光性组合物含有：具有含有内酯结构的重复单元的树脂（A）和范德华体积为306×10 -30 的重复特定结构单元， m 3 以下，通过酸的作用促进了对碱的溶解; 和通过用活性光线或辐射照射产生酸解离指数pKa为-5.0以上的苯磺酸的化合物（B）。 图案形成方法使用正性感光性组合物。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015051407A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：JP2013186104

申请日：2013-09-09

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： IIZUKA YUSUKE ,  SANO SATOSHI ,  HIRONAKA KOJI ,  NARITA TAKESHI

IPC: B01D71/64 ,  B01D53/22 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12

CPC classification number: B01D71/64 ,  B01D53/228 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/42 ,  B01D2256/245 ,  B01D2257/504 ,  B01D2325/20 ,  Y02C10/10

Abstract: 【課題】ガス透過性とガス分離選択性をより高いレベルで両立し、且つ、天然ガス中に存在するBTX等の不純物による性能低下がより少ない高圧条件にも耐えられるガス分離膜、それを用いたガス分離モジュール、ガス分離装置、及びガス分離方法を提供する。【解決手段】ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層1をガス透過性の支持層2上側に有するガス分離複合膜10であって、上記ポリイミド樹脂が下記式(I)で表される繰り返し単位を含む、ガス分離複合膜。式(I)中、Xは置換基としてカルボニル基に結合する飽和又は不飽和の炭化水素環である特定構造の基を示す。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气体分离膜，其中气体渗透性和气体分离选择性都在高水平上实现，并且耐高压条件下，由于存在于天然气中的诸如BTX等的杂质导致的性能劣化 并且提供使用其的气体分离组件，气体分离装置和气体分离方法。解决方案：在具有气体分离层1的气体分离复合膜10中，气体分离层1在气体可透过的上侧含有聚酰亚胺树脂 支撑层2，聚酰亚胺树脂包括由式（I）表示的重复单元。 在式（I）中，X是具有与羰基作为取代基结合的饱和或不饱和烃环的特定结构的基团。

公开(公告)号：JP2014081657A

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：JP2014014421

申请日：2014-01-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： IWATO KAORU ,  IIZUKA YUSUKE ,  SAEGUSA HIROSHI ,  HIRANO SHUJI ,  FUKUHARA TOSHIAKI

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  G03F7/039

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active light sensitive or radiation sensitive resin composition useful for fine pattern formation in semiconductor manufacturing and capable of remarkably reducing pattern collapse, development defects, liquid immersion defects (a water remaining defect, a valve defect) and scum, and a method for forming a pattern using the same.SOLUTION: The active light sensitive or radiation sensitive resin composition is characterized in that the retreat contact angle of water in the surface of a film formed by the active light sensitive or radiation sensitive resin composition is 65° or higher, and the retreat contact angle of water in the surface of the film after treatment with an alkali developer is 35° or lower. The method for forming a pattern uses the same.

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于半导体制造中精细图案形成的活性光敏或辐射敏感性树脂组合物，并且能够显着降低图案塌陷，显影缺陷，液浸缺陷（水残留缺陷，阀缺陷）和浮渣 以及使用其形成图案的方法。解决方案：活性光敏或辐射敏感性树脂组合物的特征在于由活性光敏或辐射敏感树脂组合物形成的膜的表面中的水的后退接触角 为65°以上，用碱性显影剂处理后的膜表面的后退接触角为35°以下。 形成图案的方法使用相同的方式。

公开(公告)号：JP2013213182A

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：JP2012221279

申请日：2012-10-03

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： MOROOKA NAOYUKI ,  KOITO NAOKI ,  TOKUOKA SHINSUKE ,  IIZUKA YUSUKE ,  OBAYASHI TATSUHIKO ,  IKEDA MORIHITO

IPC: C08F20/36 ,  C08G59/20 ,  C08G59/40 ,  C08G77/54 ,  C08L33/14 ,  C08L63/00 ,  C08L83/16 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

CPC classification number: C08F20/36 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a sealing agent for a semiconductor light-emitting device that makes a material abundant and that satisfies in good balance, transparency, heat resistance colorability, thermal shock resistance (crack resistance and peeling resistance), and color fastness (gas barrier properties) that are demanded in semiconductor light-emitting device application; a sealing material for a semiconductor light-emitting device using the same; and a semiconductor light-emitting device.SOLUTION: A sealing agent for a semiconductor light-emitting device includes an isocyanurate compound represented by formula (1), wherein the sealing agent contains more than 70 wt% of the isocyanurate compound based on the total amount of an organic curing component in the sealing agent. In the formula (1), R, R, and Rrepresent specific substituent groups. At least one among R, R, and Ris an acryloyl group. Lrepresents a C1-4 alkylene group.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体发光装置的密封剂，其使材料丰富且平衡性良好，透明性，耐热着色性，耐热冲击性（耐龟裂性和耐剥离性）和耐色牢度 （阻气性）在半导体发光装置中的应用; 用于使用该密封材料的半导体发光装置的密封材料; 半导体发光元件。本发明的半导体发光元件用密封剂包括由式（1）表示的异氰脲酸酯化合物，其中密封剂含有超过70重量％的异氰脲酸酯化合物， 的密封剂中的有机固化组分。 在式（1）中，R，R和R表示特定的取代基。 R，R和R中的至少一个是丙烯酰基。 L表示C1-4亚烷基。