公开(公告)号：JP2010230697A

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：JP2009071006

申请日：2009-03-23

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  SHIBUYA AKINORI

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition superior in filtering and line width uniformity, and to provide a pattern forming method using the same. SOLUTION: There are provided the positive resist composition including: (A) an acidolysis resin containing a specific repetition structural unit having an annular alkyl structure; (B) an acid generating agent; and (C) a mixed solvent containing at least one solvent selected from the following (a) group and at least one solvent selected from the following (b) to (d) groups and the pattern forming method. (a) group: alkylene glycol monoalkyl ether. (b) group: alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate. (c) group: straight chain ketone, branched chain ketone, annular ketone, lactone, and alkylene carbonate. (d) group: lactate ester, acetic acid ester, and alkoxy propionic acid ester. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在过滤和线宽均匀性方面优异的抗蚀剂组合物，并提供使用其的图案形成方法。 提供正型抗蚀剂组合物，其包括：（A）含有具有环形烷基结构的特定重复结构单元的酸解树脂; （B）酸产生剂; 和（C）含有选自以下（a）基团和至少一种选自以下（b）〜（d）的溶剂的溶剂的至少一种溶剂的混合溶剂和图案形成方法。 （a）组：亚烷基二醇单烷基醚。 （b）基团：亚烷基二醇单烷基醚羧酸酯。 （c）组：直链酮，支链酮，环酮，内酯和碳酸亚烷基酯。 （d）组：乳酸酯，乙酸酯和烷氧基丙酸酯。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010102329A

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：JP2009219717

申请日：2009-09-24

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  SAEGUSA HIROSHI

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  C09D133/16 ,  C09D133/26 ,  C09D143/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition for immersion exposure, which can further improve a backward contact angle to an immersion liquid in immersion exposure and can diminish watermark defects, and to provide a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive resist composition for immersion exposure includes the following (A) to (D): (A) a resin capable of decomposing by an action of an acid to increase a solubility of the resin in an alkali developer; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (C) a resin having at least either one of a fluorine atom and a silicon atom; and (D) a mixed solvent containing at least one solvent selected from the group consisting of solvents represented by any one of formulae (S1) to (S3) in such a way that a total amount of the at least one solvent is 3-20 mass% based on all solvents of the mixed solvent. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物，其可以在浸没曝光中进一步改善浸没液体的后向接触角并且可以减少水印缺陷，并提供使用其的图案形成方法。 解决方案：浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物包括以下（A）至（D）：（A）能够通过酸的作用分解以增加树脂在碱性显影剂中的溶解度的树脂; （B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物; （C）具有氟原子和硅原子中的至少一个的树脂; 和（D）含有至少一种选自由式（S1）至（S3）中任一个表示的溶剂的溶剂的混合溶剂，使得至少一种溶剂的总量为3-20 基于混合溶剂的所有溶剂的质量％。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010039145A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：JP2008201283

申请日：2008-08-04

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： SAEGUSA HIROSHI ,  YAMAMOTO KEI ,  OTANI TADAHIRO

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition which is improved in collapse of a resist pattern and in performance stability to a change in exposure amount (exposure latitude), exhibits good conformability to an immersion liquid in immersion exposure, and enable to form a good resist pattern, and to provide a pattern forming method using the resist composition. SOLUTION: The positive resist composition includes: a compound which generates a specific sulfonic acid having a fluorine atom and an ester bond upon irradiation with actinic rays or radiation; a resin of which the solubility in an alkali developer increases under the action of an acid; and a resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom. The pattern forming method using the resist composition includes immersion exposure. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供抗蚀剂图案的塌陷改善和对曝光量（曝光宽容度）的变化的性能稳定性的正性抗蚀剂组合物，对浸渍曝光中的浸渍液体表现出良好的贴合性，以及 能够形成良好的抗蚀剂图案，并且提供使用该抗蚀剂组合物的图案形成方法。 解决方案：正型抗蚀剂组合物包括：在用光化学射线或辐射照射时产生具有氟原子的特定磺酸和酯键的化合物; 在碱性显影剂中的溶解度在酸的作用下增加的树脂; 和具有氟原子和硅原子中的至少一个的树脂。 使用抗蚀剂组合物的图案形成方法包括浸渍曝光。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007240977A

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：JP2006064607

申请日：2006-03-09

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KODAMA KUNIHIKO ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/10 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition improved in pattern collapse and development defects even in the formation of a fine pattern of ≤100 nm and a pattern forming method using the same, with respect to a positive photosensitive composition for use in the production process of a semiconductor such as IC, in the production of a circuit substrate of liquid crystal, thermal head and the like or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains (A) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (B) a resin comprising an acid decomposable repeating unit and a non-acid decomposable repeating unit of a specific structure. The pattern forming method using the same is also provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供即使在形成≤100nm的精细图案的图案塌陷和显影缺陷方面也改进了正型感光组合物，以及使用该光敏组合物的图案形成方法相对于正型感光组合物 用于诸如IC的半导体的生产过程中，用于制造液晶电路基板，热敏头等，或其它光制造工艺以及使用其的图案形成方法。 正光敏组合物包含（A）在用光化射线或辐射照射时产生酸的化合物和（B）包含可酸分解重复单元和特定的可酸分解重复单元的树脂 结构体。 还提供了使用该图案形成方法的图案形成方法。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007086166A

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：JP2005272074

申请日：2005-09-20

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  KANNA SHINICHI

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition which is excellent in line edge roughness in normal exposure and liquid immersion exposure and with which the variation of the line width caused by time delay between exposure-PEB is reduced; and a method for forming a pattern using the same. SOLUTION: The positive resist composition contains a compound capable of generating an acid represented by general formula (I) and (II) upon irradiation with (A1) actinic rays or radiation and a compound capable of generating an acid having another specified structure upon irradiation with (A2) actinic rays or radiation. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在正常曝光和液浸曝光中线边缘粗糙度优异的正光刻胶组合物，并且由曝光-PEG之间的时间延迟引起的线宽变化减小; 以及使用其形成图案的方法。 解决方案：正型抗蚀剂组合物含有当（A1）光化学射线或辐射照射时能够产生由通式（I）和（II）表示的酸的化合物和能够产生具有另一特定结构的酸的化合物 （A2）光化射线或辐射照射后。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015007781A

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：JP2014146720

申请日：2014-07-17

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  SAEGUSA HIROSHI

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/20 ,  C08F20/10 ,  C08F30/08 ,  C08F32/04 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  C09D133/16 ,  C09D133/26 ,  C09D143/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

Abstract: 【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、(D)一般式(S1)〜(S3)で表される群より選択される少なくとも1種の溶剤を全溶剤中3〜20質量%含有する混合溶剤、を含有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于浸渍曝光的正性抗蚀剂组合物，能够在浸没曝光中进一步改善与浸没液体的后退接触角并减少水印缺陷，并提供使用该组合物的图案形成方法。解决方案：阳性 用于浸渍曝光的抗蚀剂组合物包括：（A）通过酸的作用分解以提高在碱性显影液中的溶解度的树脂; （B）通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物; （C）具有氟原子和硅原子中的至少一个的树脂; 和（D）在所有溶剂中含有选自通式（S1）〜（S3）表示的溶剂中的至少一种溶剂的混合溶剂，3〜20质量％。

公开(公告)号：JP2014048397A

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：JP2012190184

申请日：2012-08-30

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  IGUCHI NAOYA ,  UEHA RYOSUKE ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/70466

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method in which an ultra fine line-and-space pattern (line-and-space pattern whose line width and space width are 40 nm or less, for example) can be easily formed, a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.SOLUTION: There is provided a pattern forming method which includes steps of, in this order: (a) forming a first film on a substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (I) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (b) exposing the first film; (c) developing the exposed first film by using developer containing organic solvent and forming a first negative pattern; (e) forming a second film on the substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (II) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (f) exposing the second film; and (g) developing the exposed second film by using developer containing organic solvent and forming a second negative pattern. There are also provided a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种图案形成方法，其中可以容易地形成超细线间距图案（线间距图案，其线宽和空间宽度为40nm以下） 电子设备的制造方法和电子设备。解决方案：提供一种图案形成方法，其包括以下步骤：（a）通过使用主动射线敏感或辐射敏感的方式在衬底上形成第一膜 含有树脂的树脂组合物（I）由于酸的作用而极性增加，对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （b）曝光第一片; （c）通过使用含有机溶剂的显影剂并形成第一阴性图案来显影所述暴露的第一膜; （e）通过使用含有树脂的活性射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物（II）在基材上形成第二膜，所述树脂由于酸的作用而极性增加，并且对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （f）使第二膜曝光; 和（g）通过使用含有有机溶剂的显影剂并形成第二阴性图案来显影所暴露的第二膜。 还提供了一种制造电子设备的方法和电子设备。

公开(公告)号：JP2013190784A

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：JP2013025645

申请日：2013-02-13

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  YAMAGUCHI SHUHEI ,  ITO JUNICHI

IPC: G03F7/038 ,  C08F20/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern formation method allowing excellent film thickness uniformity and suppressing occurrence of bridge defects and water residue defects, in formation of a fine pattern having a line width of 60 nm or less by an immersion method using an organic developer; an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used therefor; a resist film; an electronic device-manufacturing method; and an electronic device.SOLUTION: A pattern formation method has steps of: (i) forming a film with an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a resin (A) whose solubility to a developer comprising an organic solvent is reduced due to increased polarity by the action of an acid, a compound (B) generating an acid by irradiation with an actinic ray or radiation, a solvent (C), and a resin (D) being different from the resin (A) and substantially containing no fluorine atom nor silicon atom; (ii) light-exposing the film; and (iii) developing with a developer comprising an organic solvent to form a negative pattern, where the film formed in the step (i) has a receding contact angle of 70° or more to water.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供允许优异的膜厚度均匀性和抑制桥缺陷和缺水缺陷的发生的图案形成方法，通过使用有机显影剂的浸渍法形成线宽度为60nm以下的微细图案 ; 用于其的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物; 抗蚀膜; 电子设备制造方法; 和电子器件。解决方案：图案形成方法具有以下步骤：（i）用含有树脂（A）的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物形成膜，其对包含有机溶剂的显影剂的溶解度降低 由于通过酸的作用增加极性，通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物（B），与树脂（A）不同的溶剂（C）和树脂（D），并且基本上 不含氟原子或硅原子; （ii）曝光胶片; 和（iii）用包含有机溶剂的显影剂显影以形成负图案，其中在步骤（i）中形成的膜的后退接触角为70°以上的水。

公开(公告)号：JP2013171090A

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：JP2012033395

申请日：2012-02-17

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： ITO JUNICHI ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  YAMAGUCHI SHUHEI ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/038 ,  C08F220/18 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method suitable for immersion exposure, a resist film, a manufacturing method of an electronic device, and an electronic device.SOLUTION: An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains: (A) a resin whose polarity increases by action of an acid to reduce the solubility in a developer containing an organic solvent, where said resin different from a resin (D) described below; (B) a compound that generates an acid by exposure to an actinic ray or radiation; (C) a solvent; and (D) a resin having a repeating unit (DI) having a group decomposing by action of an acid to produce a polar group and a repeating unit (DII) represented by the specified general formula (D2), where: Xc, Xc, and Xceach independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom; L represents a single bond or a non-acid-decomposable divalent linking group; and Rprepresents a non-acid-decomposable group.

Abstract translation: 要解决的问题：提供适用于浸渍曝光的图案形成方法，抗蚀剂膜，电子器件的制造方法和电子器件。解决方案：光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含：（A ）树脂，其极性通过酸的作用而增加，以降低在含有有机溶剂的显影剂中的溶解度，其中所述树脂不同于下述树脂（D）; （B）通过暴露于光化射线或辐射而产生酸的化合物; （C）溶剂; 和（D）具有通过酸作用分解以产生极性基团的重复单元（DI）的树脂和由指定的通式（D2）表示的重复单元（DII），其中：Xc，Xc， Xceach独立地表示氢原子，烷基或卤素原子; L表示单键或非酸可分解的二价连接基团; 并且Rp表示非酸可分解基团。

公开(公告)号：JP2013117737A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：JP2013030956

申请日：2013-02-20

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： SAEGUSA HIROSHI ,  YAMAMOTO KEI ,  OTANI TADAHIRO

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/26 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition with which a resist pattern can be formed, which prevents collapse of a resist pattern, improves performance stability (exposure latitude) to a variation in exposure amount, and has excellent followability to an immersion liquid during liquid immersion exposure; and a pattern forming method using the resist composition.SOLUTION: Provided is a positive resist composition containing a compound that generates a specific sulphonic acid including fluorine atoms and an ester linkage by irradiation of active light or radiation; a resin that increases solubility to alkali developer by action of acid; and a resin that includes at least one of fluorine atoms and silicon atoms. Also provided is a pattern forming method by liquid immersion exposure using the resist composition.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供可以形成抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物，其防止抗蚀剂图案的塌陷，提高了曝光量的变化的性能稳定性（曝光宽容度），并且对于 浸液时液浸; 以及使用该抗蚀剂组合物的图案形成方法。 解决方案：提供一种含有通过活性光或辐射的照射产生包括氟原子和酯键的特定磺酸的化合物的正性抗蚀剂组合物; 通过酸作用增加对碱性显影剂的溶解性的树脂; 以及包含氟原子和硅原子中的至少一个的树脂。 还提供了使用抗蚀剂组合物通过液浸曝光的图案形成方法。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT