マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
    31.
    发明专利
    マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 有权
    用于制造掩模基板的方法,用于制造具有多层膜的基板的方法,用于制造掩模层的方法和用于制造转印掩模的方法

    公开(公告)号:JP2016145927A

    公开(公告)日:2016-08-12

    申请号:JP2015023049

    申请日:2015-02-09

    Inventor: 折原 敏彦

    Abstract: 【課題】低欠陥で、且つ平滑性及び平坦性の高い主表面を有するマスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法を提供する。 【解決手段】酸化物を含む材料からなる主表面を有するマスクブランク用基板を準備し、該主表面に対して触媒物質の加工基準面を接触又は接近させ、処理流体を介在させた状態で、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。この時、前記処理流体は前記基板主表面で加水分解を起こす液体であり、且つ、前記触媒基準エッチング中の前記処理流体の温度は、常温未満の温度とする。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种具有缺陷低,平滑度高的主面的掩模坯料基板的制造方法, 一种制造具有多层膜的基板的方法; 掩模毛坯的制造方法; 制造掩模基板的方法包括:制备由包括氧化物并具有主表面的材料组成的掩模坯料基板; 将催化剂材料的处理参考表面接触或接近主表面; 并且通过在介入处理流体的状态下相对移动主表面和处理参考表面来催化剂蚀刻主表面。 处理流体是在基板的主表面上引起水解的液体,催化剂参照蚀刻期间处理流体的温度是小于常温的温度。选择图1:图1

    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法
    33.
    发明专利
    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 有权
    用于掩模空白的基板,具有多层反射膜的基板,反射掩模布,反射掩模,用于制造掩模基板的方法,用于制造具有多层反射膜的基板的方法,以及用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2015148807A

    公开(公告)日:2015-08-20

    申请号:JP2015045754

    申请日:2015-03-09

    CPC classification number: G03F1/60 G03F1/24 G03F1/80 G03F7/20

    Abstract: 【課題】種々の波長の光を使用した高感度欠陥検査機においても疑似欠陥を含む検出数が少ないために致命欠陥を確実に検出することができるマスクブランク用基板等を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、該マスクブランク用基板の転写パターンが形成される側の主表面における0.14mm×0.1mmの領域を、白色干渉計にて、ピクセル数640×480にて検出される空間周波数1×10 −2 μm −1 以上1μm −1 以下におけるパワースペクトル密度が4×10 6 nm 4 以下であり、1μm×1μmの領域で検出される空間周波数1μm −1 以上におけるパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図5

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供一种用于掩模坯料等的基板,其中即使在使用各种波长的光的高灵敏度缺陷检查装置检查基板时,几乎没有检测到虚假缺陷,也可以可靠地检测到临界缺陷 解决方案:掩模板的基板用于光刻; 并且在要形成转印图案的基板的主表面上,在0.14mm×0.1mm区域中的空间频率为1×10μm以上且1μm以下的空间频率下的功率谱密度为4×10nm以下,通过使用 具有640×480像素的白色干涉仪,并且在1μm×1μm区域中检测到的空间频率处的功率谱密度为10nm以下。

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