SYSTEM UND VERFAHREN FÜR EINEN KAPAZITIVEN SIGNALVERSTÄRKER MIT HOHEM EINGANGSSIGNAL

    公开(公告)号:DE102013206838A1

    公开(公告)日:2013-10-17

    申请号:DE102013206838

    申请日:2013-04-16

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren: Bestimmen einer Amplitude eines von einer kapazitiven Signalquelle gelieferten Eingangssignals, Komprimieren des Eingangssignals in einem analogen Bereich zum Ausbilden eines komprimierten Analogsignals auf der Basis der bestimmten Amplitude, Umwandeln des komprimierten Analogsignals in ein komprimiertes Digitalsignal und Dekomprimieren des Digitalsignals in einem digitalen Bereich zum Ausbilden eines dekomprimierten Digitalsignals. Bei einer Ausführungsform beinhaltet das Komprimieren des Analogsignals das Justieren eines ersten Verstärkungsfaktors eines an die kapazitive Signalquelle gekoppelten Verstärkers und das Dekomprimieren des Digitalsignals umfasst das Justieren eines zweiten Verstärkungsfaktors eines digitalen Verarbeitungsblocks.

    35.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102009043799A1

    公开(公告)日:2010-04-22

    申请号:DE102009043799

    申请日:2009-09-30

    Abstract: A delta sigma (&Dgr;&Sgr; or DS) modulator includes at least a first proportional to absolute temperature (PTAT) element that conditions an input signal, and a second PTAT element that conditions a reference signal.

    36.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008054150A1

    公开(公告)日:2009-05-28

    申请号:DE102008054150

    申请日:2008-10-31

    Abstract: Disclosed are controllable drive circuits for powering an organic light emitting diode (OLED) or other electronic load. According to one implementation, a circuit structure is provided that applies a pulse width modulated (PWM) drive current to an OLED. The time-average drive current to the OLED can be modulated in accordance with a periodically sampled control signal. In turn, the luminance of the OLED can be suitably varied over a control range. Circuit structures provided may be fabricated at least in part on a common substrate such that respective integrated circuit devices are defined. In one or more implementations, at least a portion of drive circuits may be fabricated within a 65 nanometer (or smaller) environment.

Patent Agency Ranking