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公开(公告)号:CN100394293C
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200510081473.X
申请日:2005-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231
Abstract: 一种液晶显示装置,其包括:第一基板和第二基板;位于第一基板上的选通线;与选通线相交以限定像素区的数据线,在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜;薄膜晶体管,包括栅极、源极、漏极以及半导体层,在该源极与漏极之间存在沟道;在第一基板上与选通线平行的公共线;从公共线延伸到像素区中的公共电极;在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极;以及所述漏极交叠所述公共电极的一部分的存储电容器。其中,漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极;并且,其中,从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。
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公开(公告)号:CN101097907A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200710126005.9
申请日:2007-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/3253
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件机器制造方法。有机发光器件包括第一显示基板、第二显示基板、和第一粘着力增强件。第一显示基板包括第一基板、第一电极、有机发光图案、第一衬垫料,和第二电极。第一电极在第一基板的整个表面上形成,而有机发光图案设置在第一电极上。第一衬垫料对应有机发光图案并且设置在第一电极上。第二电极覆盖有机发光图案和第一衬垫料。第二显示基板包括第二基板、和第一驱动信号传输部分。第一粘着力增强件将第二电极电/物理结合到第一驱动信号传输部分。
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公开(公告)号:CN1797150A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510080186.7
申请日:2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13458 , G02F2001/136236
Abstract: 一种液晶显示器件包括:第一和第二基板;第一基板上的栅线;与栅线交叉以限定像素区的数据线,在栅线和数据线之间具有栅绝缘层;在贯穿像素区内的栅绝缘层的一个像素孔内由透明导电薄膜形成的像素电极;以及一个薄膜晶体管,它包括栅极、源极、漏极,以及在源极和漏极之间沟道限定的半导体层,其中的半导体层与包括数据线,源极和漏极的源极和漏极金属图形重叠;并且其中的漏极从半导体层凸向像素电极的内侧以连接到像素电极。
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公开(公告)号:CN1797149A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510080180.X
申请日:2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G09F9/35 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件及其简化制造工艺的制造方法。该液晶显示器件包括:第一和第二基板;在第一基板上的栅线;在第一基板上的栅绝缘膜;与栅线交叉以限定像素区的数据线;位于像素区的像素孔;在像素区的像素孔中位于栅绝缘膜上由透明导电层形成的像素电极;以及包括栅极、源极、漏极和半导体层的薄膜晶体管,其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源/漏金属图案重叠;所述漏极从半导体层向像素电极的上部突出,并且该漏极连接到像素电极;以及将与透明导电层重叠部分的半导体层去除。
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公开(公告)号:CN1707338A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200510073221.2
申请日:2005-06-03
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/133555 , G02F1/13624 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629
Abstract: 一种LCD器件的制造方法,包括:使用第一掩模在第一基板上形成具有双层结构的栅线、栅极和像素电极,所述双层结构包括第一透明导电层和第二不透明导电层;使用第二掩模形成第一绝缘膜,第一绝缘膜上的半导体图案,以及具有上存储电极、漏极、源极和数据线的源极/漏极图案,其中所述数据线和栅线限定具有透射区域和反射区域的像素区域;在源极/漏极图案上形成第二绝缘膜,并使用第三掩模在透射区域中形成通过从第二绝缘膜到像素电极的第二不透明导电层的这些层的透射孔;以及使用第四掩模在反射区域中形成反射电极,其中反射电极使像素电极与漏极和存储电极连接。
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公开(公告)号:CN1702530A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200510072276.1
申请日:2005-05-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor: 安炳喆
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种LCD器件的薄膜晶体管基板及其制造方法,以简化制造工艺并增大存储电容的电容值又不会缩小孔径比。该LCD器件包括:具有第一透明导电层和第二不透明导电层的双层栅线,第二不透明导电层具有阶梯覆层;栅线上的栅绝缘膜;与栅线交叉限定象素区的数据线;连接到栅线和数据线的TFT;通过薄膜晶体管上保护膜的接触孔连接到TFT的象素电极;以及与象素电极重叠并具有用第一透明导电层形成的下存储电极的存储电容。
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