公开(公告)号：WO2011049428A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/MY2010/000215

申请日：2010-10-19

Applicant: MIMOS BERHAD ,  BIEN, Daniel Chia Sheng ,  LEE, Hing Wah ,  SYONO, Mohd Ismahadi

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  LEE, Hing Wah ,  SYONO, Mohd Ismahadi

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/414

Abstract: An inverted ion-sensitive field effect transistor (ISFET) (10) comprises a substrate layer (11), a sensing membrane (12) on said substrate layer (11), a layer of field oxide (19 ) on said sensing membrane (12), doped source (13) and drain (14) regions on said layer of field oxide (19), and characterized in that electrical contacts (16, 17) are provided to the respective source (13) and drain (14) regions on the opposing side of said sensing membrane (12) and said substrate layer (11) is windowed with an opening access (18) to said sensing membrane (12) to provide electrical isolation of the electrical contacts (16, 17) from said sensing membrane (12).

Abstract translation: 反相离子敏感场效应晶体管（ISFET）（10）包括衬底层（11），在所述衬底层（11）上的感测膜（12），所述感测膜（12）上的场氧化物层 ），所述场氧化物层（19）上的掺杂源极（13）和漏极（14）区域，并且其特征在于，电触点（16,17）被提供到所述源极（13）和漏极（14） 所述感测膜（12）和所述基底层（11）的相对侧被窗口化，并具有到所述感测膜（12）的开口（18），以提供电触头（16,17）与所述感测膜 （12）。