公开(公告)号：FR3086452A1

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：FR1858602

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE

IPC: G11C5/00 ,  G11C11/00

Abstract: La présente description concerne une cellule mémoire (100) résistive, comprenant un empilement d'un sélecteur (108), d'un élément résistif (110) et d'une couche de matériau à changement de phase (112), le sélecteur n'étant pas en contact physique avec le matériau à changement de phase.

公开(公告)号：FR2980638A1

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：FR1158536

申请日：2011-09-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  NIEL STEPHAN

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8247

Abstract: Transistor comprenant des régions de source et de drain dans un substrat (21), et au moins une grille (24) en matériau conducteur située de manière isolée au-dessus du substrat (21), caractérisé en ce que la grille présente une surface non plane avec au moins une partie à composante non nulle dans une direction perpendiculaire au substrat (21).

公开(公告)号：FR2980303A1

公开(公告)日：2013-03-22

申请号：FR1158291

申请日：2011-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE

IPC: H01L21/77 ,  H01L31/101 ,  H04L9/06

Abstract: Le support semiconducteur pour circuit intégré du type silicium sur isolant, comprend une région isolante (4) disposée entre un premier substrat semiconducteur (2) destiné à recevoir le circuit intégré et un deuxième substrat semiconducteur (3) ayant un premier type de conductivité et contenant au moins une région semiconductrice (5) ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier, formant avec le deuxième substrat au moins une photodiode (D).

公开(公告)号：FR2978293A1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：FR1156605

申请日：2011-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE

IPC: H01L21/335 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8247

Abstract: Procédé de fabrication d'un transistor, comprenant la formation de régions de source (22) et de drain (23) dans un substrat (21), d'une une grille flottante (32) apte à accumuler des charges électriques, séparée du substrat (21) par une couche isolante (25), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - désoxydation d'une partie de la couche isolante (25) située du côté de la source (22) ; - oxydation de l'espace (28) résultant de la désoxydation précédente pour former une zone (z2) élargie de couche isolante (25) entre la grille flottante (32) et le substrat (21) du côté de la source (22).