中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

77 records (took 0.032 seconds)

    Fonction à sens unique
    31.
    发明专利
    Fonction à sens unique 未知

    公开(公告)号：FR3098949A1

    公开(公告)日：2021-01-22

    申请号：FR1907911

    申请日：2019-07-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS ALPS SAS

    Inventor： BENVENISTE MARC ,  JOURNET FABIEN ,  MARINET FABRICE

    IPC: G06F21/44 ,  H04L9/32

    Abstract: Fonction à sens unique La présente description concerne un procédé de mise en oeuvre d'une première fonction à sens unique par un dispositif dans lequel : - une deuxième fonction (551) prend en compte des états de noeuds numériques (51) répartis dans des circuits (53) du dispositif mettant en oeuvre des troisièmes fonctions ; - lesdits états des noeuds (51) dépendent d'un résultat (R) précédent de la première fonction ; et - dans lequel la deuxième fonction (551) et/ou les troisième fonctions sont des fonctions à sens unique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    STOCKAGE DANS UNE MEMOIRE NON VOLATILE
    34.
    发明专利
    STOCKAGE DANS UNE MEMOIRE NON VOLATILE 未知

    公开(公告)号：FR3058813A1

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：FR1661108

    申请日：2016-11-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  PROTON WORLD INT NV

    Inventor： PEETERS MICHAEL ,  MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS

    IPC: G06F21/60

    Abstract: L'invention concerne un procédé de brouillage d'adresses dans une mémoire non volatile, organisée en pages (P), dans lequel : la mémoire présente une granularité d'écriture de mots (W) comportant un ou plusieurs octets ; la mémoire comporte une granularité d'effacement de blocs (B) comportant une ou plusieurs pages (P) de plusieurs mots chacune ; et des adresses logiques (L-ADD) sont converties en adresses physiques en respectant les conditions suivantes : les adresses de données sont brouillées (32) en respectant la structure des pages et les adresses de code sont brouillées (31) en respectant la structure des mots.

    36.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2984553A1

    公开(公告)日：2013-06-21

    申请号：FR1161673

    申请日：2011-12-15

    Applicant: PROTON WORLD INT NV ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS ,  VAN ASSCHE GILLES ,  VAN KEER RONNY

    IPC: G06F11/14 ,  G06F21/88

    Abstract: The disclosure concerns a method implemented by a processing device. The method includes performing a first execution by the processing device of a computing function based on one or more initial parameters stored in a first memory device. The execution of the computing function generates one or more modified values of at least one of the initial parameters, wherein during the first execution the one or more initial parameters are read from the first memory device and the one or more modified values are stored in a second memory device. The method also includes performing a second execution by the processing device of the computing function based on the one or more initial parameters stored in the first memory device.

    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES
    39.
    发明专利
    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES 未知

    公开(公告)号：FR2994020A1

    公开(公告)日：2014-01-31

    申请号：FR1257354

    申请日：2012-07-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01G17/00 ,  G04G99/00 ,  H01L27/00

    Abstract: L'invention concerne une élément (C3') d'écoulement de charges électriques comportant, sur un support isolant (23), un empilement d'une première électrode (18'), d'une couche diélectrique (ONO, G01) dont au moins une portion (29) est adaptée à laisser circuler des charges par effet tunnel, et d'une seconde électrode (17), dans lequel au moins une des électrodes (18') est en silicium polycristallin non dopé.

Patent Agency Ranking