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公开(公告)号：CN118076210A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410413492.0
申请日：2018-10-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。
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公开(公告)号：CN109786544B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201811283848.4
申请日：2018-10-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。
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公开(公告)号：CN113346009B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110544112.3
申请日：2017-10-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述第二铁磁性金属层接合，该自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状，该制造方法具有：形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序；将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序；和将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。
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公开(公告)号：CN111129285B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911030932.X
申请日：2019-10-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供可靠性高的自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括：第1铁磁性层；和自旋轨道转矩配线，其第1面面对所述第1铁磁性层，从所述第1铁磁性层的层叠方向上俯视时所述自旋轨道转矩配线的长轴在第1方向上延伸，所述第1面沿与所述第1铁磁性层的层叠方向正交的基准面扩展，所述自旋轨道转矩配线包括：通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第1端且与所述第1方向正交的第1截断面；和通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第2端且与所述第1方向正交的第2截断面，所述第1截断面的面积与所述第2截断面的面积不同。
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公开(公告)号：CN111276600B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010098485.8
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H10N50/10 , H10N50/80 , H10N50/85 , H10B61/00 , H01L27/105 , H01F10/193 , G11C11/16 , G11B5/39 , H01F1/40
Abstract: 本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
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公开(公告)号：CN110914974B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980003599.5
申请日：2019-01-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的自旋轨道转矩型磁化旋转元件(10)具备：沿第一方向(X)延伸的自旋轨道转矩配线(2)；在与所述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向(Z)上层叠的第一铁磁性层(1)；以及在从所述第二方向的俯视中，在所述第一方向上夹持所述第一铁磁性层的位置处连接于所述自旋轨道转矩配线的第一非磁性金属层(3)和第二非磁性金属层(4)，所述第一铁磁性层的重心(G)，在所述第一方向上，位于从作为所述第一非磁性金属层和所述第二非磁性金属层之间的中心的基准点(S)偏向所述第一非磁性金属层或所述第二非磁性金属层的任意一侧。
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公开(公告)号：CN110419116B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201880001275.3
申请日：2018-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 本发明的一个方式所涉及的自旋元件的稳定化方法，在具备沿第一方向延伸的通电部和叠层于上述通电部的一面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，沿上述通电部的上述第一方向，在规定温度中以脉冲施加总时间成为规定时间以上的方式，施加规定电流值以上的电流脉冲。
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公开(公告)号：CN108292703B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201680068769.4
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
Abstract: 本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1‑x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm‑3m或Fd‑3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm‑3m的对称性的立方晶结构。
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