提高开口率的储存电容及其制作方法

    公开(公告)号:CN101710586B

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200910036561.6

    申请日:2009-01-09

    Inventor: 陈秋权

    Abstract: 本发明提供一种提高开口率的储存电容及其制作方法,首先提供一基板,其上设有一金属层,金属层上依序覆盖有第一介电层与第二介电层,接着于第二介电层上形成一等厚度的光阻层,再来对位于金属层正上方的光阻层依序进行曝光及显影,使其厚度小于原来的厚度,之后利用蚀刻法将光阻层与部分第二介电一层去除,使位于金属层正上方的第二介电层小于原来厚度,且其蚀刻深度大于第二介电层的其余区域的蚀刻深度,最后于第二介电层上形成一电极层即完成制作。本发明可在维持足够的电容能力下,降低电极层的面积,进而提高面板画素之开口率。

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