公开(公告)号：CN108447783A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810089116.5

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 平田和也 ,  山本凉兵

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0201 ,  H01L29/1608 ,  H01L21/304 ,  B28D5/0011

Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；晶片生成工序，将SiC晶锭(2)的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体(26)中，与发出具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板(30)对置，以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(39)。

公开(公告)号：CN107039312A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611195916.2

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林勇志 ,  杜友伦 ,  梁晋玮

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67196 ,  H01L25/50 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/0201 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明实施例提供了用于晶圆接合的装置和方法。该装置包括传输模块和等离子体模块。传输模块配置为传输半导体晶圆。等离子体模块配置为对半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将半导体晶圆的表面上的金属氧化物转变成金属。本发明实施例涉及用于晶圆接合的装置和方法。

公开(公告)号：CN106653561A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510737156.2

申请日：2015-11-03

Applicant: 有研半导体材料有限公司

Inventor： 冯泉林 ,  赵而敬 ,  李宗峰 ,  程凤伶 ,  盛方毓 ,  王永涛 ,  闫志瑞

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02013

Abstract: 本发明公开了一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法，该方法至少包括以下步骤：(1)切片；(2)倒角；(3)双面磨削；(4)单面化学腐蚀或单面磨削，去除硅片正面损伤层；(5)边缘抛光；(6)双面抛光；(7)在硅片正面和背面都沉积多晶硅；(8)边缘二次抛光；(9)正面多晶抛光去除；(10)最终抛光；(11)清洗检测。本发明结合300mm硅片的制造过程提出了一种新的硅片加工方法，通过磨削加工引入背面损伤和背面薄层多晶沉积相结合的方式，达到外吸杂的目的。通过本发明的方法加工的300mm硅片既能满足双面抛光的要求，同时能够获得可控的背面损伤层，避免了背面多晶沉积较厚时对硅片翘曲度的影响。

公开(公告)号：CN106601874A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611169572.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

Inventor： 王金艺 ,  金井升 ,  金浩 ,  张昕宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0201

Abstract: 本申请公开了一种双面电池边缘隔离的方法，包括：提供一硅棒；在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环；对所述硅棒进行切片并制成双面电池，这种绝缘环将之后扩散会掺杂的边缘与硅片中间有PN结的区域隔离开，这样就不会造成短路，有效地保护PN结，从而达到防止漏电的效果。本申请提供的上述双面电池边缘隔离的方法，能够从源头断绝漏电的发生，而且可以提高效率，降低成本。

公开(公告)号：CN106531611A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510570545.0

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐建卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B05C5/00 ,  B05C13/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  B05C5/00 ,  B05C13/02 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明公开了一种硅槽填充液体材料的方法及涂胶机，其中，硅槽填充液体材料的方法包括：S1、将一形成有至少一硅槽的硅片置于真空腔内；S2、在该真空腔内，利用喷嘴向该硅片喷涂液体材料；S3、将喷涂有液体材料的硅片置于非真空状态，以使得覆盖于硅槽上的液体材料在气压的作用下填充入硅槽内。本发明能够弥补现有技术中硅片表面的深槽在填充液体材料时容易填充不完全，形成空洞的不足，利用气压的变化使得硅片上的硅槽能够被液体材料充分填充满，不再存在空洞。

公开(公告)号：CN102054669B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201010294187.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 西村茂树

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30608

Abstract: 提供处理半导体晶片的方法，所述方法的特征在于连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)用表面活性剂清洗晶片的步骤；(3)用碱或酸清洗晶片的步骤；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片的步骤。

公开(公告)号：CN104882363A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510092233.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 糸永将司 ,  渡边圣之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/67017

Abstract: 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整，第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整，以使气相部的温度高于上述液相部的温度。

公开(公告)号：CN104812530A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061943.9

申请日：2013-12-04

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 木村毅

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/11 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24D11/003 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地抑制被抛光材料表面的抛光不匀的圆形状抛光垫。就本发明的圆形状抛光垫而言，其包括在抛光表面具有XY格子槽的圆形状抛光层，圆形状抛光层的中心点在由以下3条虚拟直线A、B和C包围的区域Z内(包括虚拟直线上的部分)偏移。其中，虚拟直线A为连接如下点的直线：使X槽或Y槽上的点在与该X槽或Y槽垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线B为连接如下点的直线：使XY格子槽的一条对角线D上的点在与该对角线D垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线C为连接如下点的直线：使XY格子槽的另一条对角线E上的点在与该对角线E垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点。

公开(公告)号：CN104465331A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410837588.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王星杰

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201

Abstract: 本发明公开了一种光刻后的晶圆处理方法，该方法是在光刻工艺完成后，进行湿法刻蚀工艺前，用不与晶圆及光刻胶反应的低功率等离子体对晶圆表面进行处理，消除晶圆表面因光刻致静电放电而积聚的电荷。本发明通过用低功率等离子体处理光刻后的晶圆，消除了光刻致静电放电在晶圆表面积累的电荷，使得后续湿法工艺中不会因为有电荷积聚而发生电化学反应，从而解决了光刻致静电放电损伤问题，提升了成品率及可靠性。

公开(公告)号：CN102157355B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201010602674.0

申请日：2010-10-14

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： R·K·巴尔 ,  R·钱

IPC: H01L21/02 ,  B28D5/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02052 ,  H01L31/18

Abstract: 一种方法同时从半导体晶片上清洁无机和有机污染物且微刻蚀该半导体晶片。在该半导体晶片从锭切割或切片后，其被在切割工艺中使用的切割液和来自锯的金属和金属氧化物污染。用包括碱性混合物和中等烷氧基化物的水成碱性清洁和微刻蚀溶液同时清洁和微刻蚀该半导体晶片。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供半导体锭；b)切割该半导体锭以形成一片或更多片的包括无机污染物和有机污染物的半导体晶片；以及c)施加足量的包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物的水性碱性溶液以去除该污染物和微刻蚀该半导体晶片。