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公开(公告)号：CN103151230A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210529994.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: H01J23/05
Abstract: 本发明公开了一种磁控管用长脉冲高转换效率阴极，目的是使磁控管使用该阴极后增加输出微波脉宽和提高功率转换效率。本发明由金属杆、发射极、底座以及挡体构成。金属杆固定于底座上，其轴线与底座表面垂直，金属杆的数量n等于磁控管阳极谐振腔的数量N，n根金属杆的轴线沿圆周呈角向均匀分布。发射极套于或整体加工于金属杆上，发射极的数量挡体位于金属杆的另一端，与底座相对应。本发明的阴极可以使电子只从具有特定交错分布的发射极上发出，这种具有特定空间分布的电子只能允许主模存在，起到主动抑制竞争模式产生的目的，可以将微波脉冲宽度提高40%以上，功率转换效率提高15%以上。
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公开(公告)号：CN101847556A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010182751.1
申请日：2010-05-19
Applicant: 美的集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控管，包括阳极筒和设置在阳极筒上下两端的磁极，以及位于两磁极之间且与阳极筒内壁连接的多个叶片，穿过其中一端磁极并与叶片连接的耦合天线；沿阳极筒轴线方向，每个叶片的上端面处于同一平面上，每个叶片的下端面处于另一水平面上，所述耦合天线穿过一端的磁极与叶片相近一端端面的距离2.5mm≤h2≤3.5mm。本发明弥补由于耦合天线的存在造成阳极谐振系统中电磁场的不对称，降低磁控管中其它寄生振荡模式的噪声水平，使连续波磁控管的电磁兼容性能得到极大程度的提升。本发明的这种改进，由于不需要另外设计扼流结构来抑制不需要的寄生谐波外泄，因此可以降低磁控管的复杂度、减少制作成本，同时还可实现小型化。
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公开(公告)号：CN101728181A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910117681.9
申请日：2009-12-06
Applicant: 甘肃虹光电子有限责任公司
Inventor： 刘睿
IPC: H01J23/05
Abstract: 一种环状钡钨阴极发射体的制造方法，按下述步骤制作：将成型模具放入乳胶套管中，装入钨粉封装；进行等静压成型；清洗并脱去乳胶管，放入钨网氢气炉加热低温烧结；粗车、脱模、割断，获得粗车钨坯；放入钨网氢气炉中，加热高温烧结；涂上活性物质铝酸盐，放入钼皮氢气炉中，加热浸渍；夹紧，镗孔； 精车外圆及两端面。本发明采用了一种不浸铜的工艺方法，采用钼棒加工钨体成型模具，该方法简单实用，节约资源，生产成本低，由于省去浸铜和除铜过程，从而在实际生产中省去用于浸铜的卧式氢气炉和用于除铜的真空除气炉各一台，可节约资金人民币50万元左右。在电真空器件生产中具有十分明显的应用前景。
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公开(公告)号：CN100555527C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510005599.9
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 稻见昌洋
IPC: H01J23/05
CPC classification number: H01J9/04 , H01J23/05 , H01J25/587
Abstract: 一种磁控管，其减少灯丝的电气特性和机械强度的偏差，且在作为磁控管的使用寿命中也减少了偏差，而使质量稳定。其在把作为阴极构架的结构要素的螺旋状的灯丝(39)装在阳极筒体(13)的中心轴上的磁控管(10)中，灯丝(39)限制所述碳化层(42)的厚度，使得当设形成碳化层(42)前的阻抗值为R1，形成碳化层(42)后的阻抗值为R2时，根据下式：Rx＝{(R2-R1)/R1}×100定义的碳化率Rx为规定值。
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公开(公告)号：CN101256924A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810082220.8
申请日：2008-02-26
Applicant: 安义铉
Inventor： 安义铉
Abstract: 本发明涉及阴极结构体的熔接体、阴极结构体及它们的制造方法。本发明提供一种由含铁粉和钼粉的金属粉末烧结而制造的熔接体，该熔接体的制造方法包括：使铁∶钼的比例以重量比计为(25％～55％)∶(75％～45％)的方式进行混合的步骤；利用模制工序制备坯体的模制步骤；将模制的模制坯体放置到钼帽的预定位置的步骤；在烧结炉中、氢气气氛下加热到摄氏1200度～1500度左右制成烧结体的步骤。将这样制造的预先附着有熔接体的顶帽和端帽以及灯丝组装到指定位置之后进行加热，熔接体熔融，使得上述灯丝与顶帽及端帽借助熔融的熔接体完全熔接，从而制造出阴极结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101170039A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710180268.8
申请日：2007-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J25/587 , H01J23/05
Abstract: 在本发明的磁控管中，上端盖(122A)用作阴极构件(12A)的组成元件，包括与丝极线圈(121)的一个端部(121a)接触的部分(122Aa)。部分(122Aa)的厚度减少，由此部分(122Aa)保持不与中心引线(124)接触。由此，丝极线圈(121)中产生的热量能传播到上端盖(122A)，而不直接传播到中心引线(124)。因此，即使当输入功率的数量减少到能够减少噪音的程度时，或即使当丝极线圈(121)的电子辐射面积减少时，能够完全显示吸气剂效果。作为结果，能够同时实现噪音减少和成本减少。
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公开(公告)号：CN101162677A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610016125.9
申请日：2006-10-10
Applicant: 乐金电子(天津)电器有限公司
Inventor： 王维
Abstract: 一种改进的微波炉用磁控管的阴极结构，由钍－钨合金炭化后制成，其成螺线管结构，其特征在于，所述螺线管结构是双螺线管结构。本发明可以在很大程度上减少电子积聚效应，减少因电子回轰而损坏阴极，从而延长了阴极和磁控管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN1389890A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02125595.4
申请日：2002-07-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种三元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的三元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La2O3、Y2O3、Gd2O3三种稀土氧化物,上述稀土氧化物重量百分比为15－30%;其中,La2O3∶Y2O3∶Gd2O3重量比为1∶3∶1或1∶2∶1。该三元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形式加入重量比为1∶3∶1或1∶2∶1的La2O3、Y2O3、Gd2O3,在500－550℃下氢气中保温1－5个小时,然后在800－1000℃下氢气中进行1－5个小时还原处理,得到掺杂稀土氧化物的钼粉,采用粉末冶金的方法制备三元稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好,可应用于磁控管阴极材料领域。
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公开(公告)号：CN1308146A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00109853.5
申请日：2000-07-10
Applicant: 普拉克斯埃阿ST技术公司
Inventor： 沙伊勒施·库尔卡尼 , 托尼·西卡 , 雷蒙德·K·F·拉姆
CPC classification number: H01J37/32596 , C23C14/3407 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供了一种比单片靶更轻和/或更廉价的中空阴极磁控管溅射靶的制造方法。先将溅射靶材料板连接在比溅射靶材料更轻和/或更廉价的包层材料片上。然后将这种包层靶组件成型为中空阴极磁控管溅射靶,例如通过深拉成型。这种包层中空阴极磁控管进一步提供了比单片靶更大的溅射靶材料的百分利用率。
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公开(公告)号：CN117672782A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311663511.7
申请日：2023-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种插槽堆叠式碟片阴极，属于高功率微波技术领域中的电子源领域。该结构包括阴极杆、插槽堆叠式阴极阵列、两个阴极端帽、两个阴极固定滑块；其中插槽堆叠式阴极阵列由首端单元、若干个阴极碟片单元、末端单元通过相邻单元间设置的沉头槽和凸台配套堆叠构成。与传统的一体化碟片阴极相比，本发明的插槽堆叠式碟片阴极采用具有独立的阵列单元，解决了碟片阴极发射单元不可更换的问题。
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