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    表示装置、表示モジュール、及び電子機器
    43.
    发明专利
    表示装置、表示モジュール、及び電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020089728A1

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JPIB2019058965

    申请日：2019-10-22

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  楠 紘慈 ,  川島 進 ,  久保田 大介 ,  石谷 哲二 ,  山下 晃央

    IPC: G09F9/35 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1334 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1337 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

    Abstract: 開口率が高い表示装置を提供する。画素に、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第1の絶縁層、第2の絶縁層、導電層、画素電極、液晶材料を含む層、及び共通電極を有する表示装置である。第1の絶縁層は第1のトランジスタのチャネル形成領域上に位置する。導電層は第1の絶縁層上に位置する。第2の絶縁層は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第1の絶縁層、及び導電層上に位置する。画素電極は第2の絶縁層上に位置し、液晶材料を含む層は画素電極上に位置し、共通電極は液晶材料を含む層上に位置する。共通電極は、液晶材料を含む層及び画素電極を介して、導電層と重なる。画素は、導電層が第1のトランジスタと電気的に接続される第1の接続部と、画素電極が第2のトランジスタと電気的に接続される第2の接続部と、を有する。導電層、画素電極、及び共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有する。

    半導体装置
    44.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021182646A

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2021137152

    申请日：2021-08-25

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 松倉 英樹

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの並列接続により、酸化物半導体層 の数は増える。寄生容量はトランジスタの動作に影響を与える。 【解決手段】酸化物半導体層は第1のチャネル形成領域及び第2のチャネル形成領域を有 する。酸化物半導体層の上方にソース電極及びドレイン電極がある。ソース電極及びドレ イン電極の上方に絶縁層がある。絶縁層の上方にゲート電極がある。ゲート電極はオープ ニングを有する。オープニングはソース電極又はドレイン電極と重なる。 【選択図】図2

    発光素子、照明装置、発光装置、及び電子機器
    45.
    发明专利
    発光素子、照明装置、発光装置、及び電子機器 有权

    公开(公告)号：JP2021182645A

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2021136904

    申请日：2021-08-25

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 石曽根 崇浩 ,  瀬尾 哲史

    IPC: H05B33/12 ,  H01L51/50

    Abstract: 【課題】複数の発光物質がバランスよく発光する発光素子を提供する。発光効率が高い発 光素子を提供する。信頼性の高い発光素子を提供する。 【解決手段】第1の電極と、第1の電極上の、第1の燐光性化合物及び第1のホスト材料 を含む第1の発光層と、第1の発光層上の、第2の燐光性化合物及び第2のホスト材料を 含む第2の発光層と、第2の発光層上の、第3の燐光性化合物及び第3のホスト材料を含 む第3の発光層と、第3の発光層上の第2の電極と、を有し、第1の燐光性化合物、第2 の燐光性化合物、第3の燐光性化合物のうち、第2の燐光性化合物の発光のピークが最も 長波長側にあり、第3の燐光性化合物の発光のピークが最も短波長側にあり、第3のホス ト材料の三重項励起エネルギーは、第1のホスト材料及び第2のホスト材料の三重項励起 エネルギーより高い発光素子。 【選択図】図1

    発光装置
    46.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021182549A

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2021113015

    申请日：2021-07-07

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  宮入 里築子 ,  中村 康男

    IPC: H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

    Abstract: 【課題】発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視 認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。 【解決手段】基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に第1の電極及び補助 電極をそれぞれ形成し、前記第1の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第2 の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜において、前記第1の電極を露出させる第1の開口 部、及び前記補助電極を露出させる第2の開口部を形成し、前記第1の開口部において前 記第1の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ 前記第2の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第2の電極を形成する。 【選択図】図2

    発光装置
    47.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021182547A

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2021112302

    申请日：2021-07-06

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 瀬尾 哲史 ,  大澤 信晴

    IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12

    Abstract: 【課題】新規な発光装置を提供する。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な 発光装置を提供する。 【解決手段】第1の画素乃至第3の画素を有し、第1の画素は、第1の発光素子と、第1 の光学素子とを有し、第2の画素は、第2の発光素子と、第2の光学素子とを有し、第3 の画素は、第3の発光素子を有し、第1の発光素子乃至第3の発光素子において、第1の 発光層または第2の発光層を共通して用いる。また、第1の発光層は、540nm以上5 80nm以下の範囲にスペクトルピークを有する第1の発光材料を有し、第2の発光層は 、420nm以上480nm以下の範囲にスペクトルピークを有する第2の発光材料を有 する。 【選択図】図1

    発光装置
    48.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021182139A

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2021114227

    申请日：2021-07-09

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  三宅 博之

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28 ,  G02B5/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性(オン特性や周波数特性(f特性と呼ばれる))に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。 【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。真性又は実質的に真性な半導体は、酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去し、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。該酸化物半導体層の上下に絶縁膜を介して配置した一対の導電膜の電位を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御すればよい。 【選択図】図15

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