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公开(公告)号：TWI700821B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108114221
申请日：2019-04-24
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 閔允基 , MIN, YOON KI
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521
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公开(公告)号：TW202026461A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108135626
申请日：2019-10-02
Applicant: 荷蘭商ASM IP 控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 梅斯 強 威廉 , MAES, JAN WILLEM , 吉文斯 麥克 , GIVENS, MICHAEL , 賀加 蘇維 , HAUKKA, SUVI , 帕魯齊里 瓦蒙西 , PARUCHURI, VAMSI , 拉吉馬克斯 艾翁 , RAAIJMAKERS, IVO , 鄧 紹仁 , DENG, SHAOREN , 伊利貝里 安德莉亞 , ILLIBERI, ANDREA , 多益斯 艾娃 , TOIS, EVA , 隆吉 戴芬 , LONGRIE, DELPHINE
IPC: C23C16/46 , C23C16/18 , H01L21/3065
Abstract: 本發明提供用於選擇性沉積之方法。材料相對於不同材料組成之第二表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。抑制劑，諸如聚醯亞胺層相對於該第二表面自氣相反應物選擇性地形成於該第一表面上。相關層相對於該第一表面自氣相反應物選擇性地沉積於該第二表面上。該第一表面可為金屬性，而該第二表面為介電性。因此，諸如介電性過渡金屬氧化物及氮化物之材料可使用本文所描述之技術相對於介電性表面選擇性地沉積於金屬性表面上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于选择性沉积之方法。材料相对于不同材料组成之第二表面选择性地沉积于基板之第一表面上。抑制剂，诸如聚酰亚胺层相对于该第二表面自气相反应物选择性地形成于该第一表面上。相关层相对于该第一表面自气相反应物选择性地沉积于该第二表面上。该第一表面可为金属性，而该第二表面为介电性。因此，诸如介电性过渡金属氧化物及氮化物之材料可使用本文所描述之技术相对于介电性表面选择性地沉积于金属性表面上。
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公开(公告)号：TWI698939B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107113267
申请日：2018-04-19
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC: H01L21/48 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L27/105
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公开(公告)号：TWI698545B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105129014
申请日：2016-09-08
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 雪洛 艾立克 J. , SHERO, ERIC J. , 維埃茲 莫西斯 E. , VERGHESE, MOHITH E.
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C07F5/06 , H01L21/285 , H01L29/78
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公开(公告)号：TWD204260S
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108304262
申请日：2019-07-16
Applicant: 荷蘭商ASM IP 控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Designer： 羅肯姆 烏戴 奇蘭 , ROKKAM, UDAY KIRAN , 金 山姆 , KIM, SAM , 拉提 沙奇特 , RATHI, SAKET , 卞大凱 , BIAN, DAKAI
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202015127A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108118657
申请日：2019-05-30
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 李萬洙 , LEE, MANSU , 姜成圭 , KANG, SUNGKYU , 李殷淑 , LEE, EUNSOOK , 金民洙 , KIM, MINSOO , 崔丞佑 , CHOI, SEUNGWOO
IPC: H01L21/311 , C23C16/455 , H01L21/033
Abstract: 一種在半導體基板及圖案結構上進行改善下部膜的損耗量及損耗均勻性的同時沉積具有期望的蝕刻特性的薄膜的方法包括：第一操作，通過將第一循環重複進行特定數目次來沉積所述薄膜的一部分，所述第一循環包括（a1）源氣體供應操作、（b1）反應物氣體供應操作及（c1）電漿供應操作；第二操作，通過在所述第一操作之後將第二循環重複進行特定數目次來沉積所述薄膜的其餘部分，所述第二循環包括（a2）源氣體供應操作、（b2）反應物氣體供應操作及（c2）電漿供應操作，其中所述源氣體供應操作（a1）的供應時間比所述源氣體供應操作（a2）的供應時間長。
Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体基板及图案结构上进行改善下部膜的损耗量及损耗均匀性的同时沉积具有期望的蚀刻特性的薄膜的方法包括：第一操作，通过将第一循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的一部分，所述第一循环包括（a1）源气体供应操作、（b1）反应物气体供应操作及（c1）等离子供应操作；第二操作，通过在所述第一操作之后将第二循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的其余部分，所述第二循环包括（a2）源气体供应操作、（b2）反应物气体供应操作及（c2）等离子供应操作，其中所述源气体供应操作（a1）的供应时间比所述源气体供应操作（a2）的供应时间长。
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公开(公告)号：TWI686499B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108112792
申请日：2015-02-03
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 賀加 蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 梅特羅 雷傑 H. , MATERO, RAIJA H. , 多益斯 艾娃 , TOIS, EVA , 尼斯卡嫩 安提 , NISKANEN, ANTTI , 圖敏南 馬可 , TUOMINEN, MARKO , 霍它利 哈努 , HUOTARI, HANNU , 波爾 維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 拉吉馬克斯 艾翁 , RAAIJMAKERS, IVO
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公开(公告)号：TW201947054A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114884
申请日：2019-04-29
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 多益斯 艾娃 , TOIS, EVA , 波爾 維爾傑米 , PORE, VILJAMI
Abstract: 本發明提供用於在基材的相對於先前沉積於第二表面上的鈍化層的第一表面上選擇性沉積介電膜的方法和系統。該方法可包括至少一用於在該第一表面上沉積材料的循環沉積製程，同時移除該鈍化層，藉以防止該鈍化層上方的沉積。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在基材的相对于先前沉积于第二表面上的钝化层的第一表面上选择性沉积介电膜的方法和系统。该方法可包括至少一用于在该第一表面上沉积材料的循环沉积制程，同时移除该钝化层，借以防止该钝化层上方的沉积。
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公开(公告)号：TWI672729B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106127690
申请日：2017-08-16
Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 李學周 , LEE, HAK JOO , 金大淵 , KIM, DAE YOUN , 金承煜 , KIM, SEUNG WOOK , 朴珍石 , PARK, JIN SEOK , 金材玹 , KIM, JAE HYUN
IPC: H01L21/02
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公开(公告)号：TWI669996B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104142382
申请日：2015-12-17
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 塔勒 約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼 馬修 G. , GOODMAN, MATTHEW G.
IPC: H05K3/00
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