公开(公告)号：TW201618456A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104135208

申请日：2015-10-27

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 歐多納古 凱斯 ,  O'DONOGHUE, KEITH ,  李宏星 ,  LI, HONGXING ,  卡尼 尼爾 凱文 ,  KEARNEY, NIALL KEVIN

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/45 ,  H03F3/72 ,  G05F3/26 ,  H03M1/12

CPC classification number: H03H11/0422 ,  H03M3/396 ,  H03M3/422 ,  H03M3/438 ,  H03M3/458

Abstract: 一種動態可調整跨導器，包含一電壓至電流轉換器級，用以根據一電壓訊號產生一電流訊號；以及一電流定標級，利用一定標因數將該電流訊號定標，以達成一特定跨導值。電流定標級包含一粗調整機構，其具有一相關聯之粗調整步驟，以及一細調整機構，其具有一相關聯之細調整步驟，其中該定標因數為粗調整步驟與細調整步驟之比率。一種三角積分(Delta-Sigma)調變器，其可實施該跨導器以藉由動態調整跨導值產生迴路濾波器係數，以達成一特定電阻。

Abstract in simplified Chinese: 一种动态可调整跨导器，包含一电压至电流转换器级，用以根据一电压信号产生一电流信号；以及一电流定标级，利用一定标因子将该电流信号定标，以达成一特定跨导值。电流定标级包含一粗调整机构，其具有一相关联之粗调整步骤，以及一细调整机构，其具有一相关联之细调整步骤，其中该定标因子为粗调整步骤与细调整步骤之比率。一种三角积分(Delta-Sigma)调制器，其可实施该跨导器以借由动态调整跨导值产生回路滤波器系数，以达成一特定电阻。

公开(公告)号：TW202017851A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW107135922

申请日：2018-10-12

Applicant: 百慕達商亞德諾半導體環球無限公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL UNLIMITED COMPANY

Inventor： 安東尼 克里斯多夫 ,  ANTOINE, CHRISTOPHE ,  珍 希馬斯 ,  JAIN, HIMANSHU ,  肯提 馬修 湯瑪士 ,  CANTY, MATTHEW THOMAS ,  麥克勞林 克里斯提那 B ,  MCLOUGHLIN, CHRISTINA B. ,  露西 丹尼爾 喬瑟夫 ,  LUCEY, DANIEL JOSEPH ,  麥克德默克 西尼德 梅爾 ,  MCDERMOTT, SINEAD MAIRE ,  歐布里恩 史蒂芬 ,  O'BRIEN, STEPHEN ,  史丹森 伯納 派翠克 ,  STENSON, BERNARD PATRICK ,  吉瑞 夏安 ,  GEARY, SHANE ,  連恩 威廉 艾倫 ,  LANE, WILLIAM ALLAN ,  柯恩 麥可 C W ,  COLN, MICHAEL C. W. ,  阿萊 馬克 丹尼爾 迪 里昂 ,  ALEA, MARK DANIEL DE LEON

IPC: B82Y40/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N33/487 ,  G01N27/327

Abstract: 本揭露內容之實施例提供多種奈米間隙感測器設計（例如水平式奈米間隙感測器、垂直式奈米間隙感測器、多奈米間隙感測器陣列、用以與奈米間隙感測器之電極進行電連接之各種配置等），以及用以製造至少一些所提出之感測器之多種方法。於此所提出之奈米間隙感測器可作為分子感測器進行運作，以透過利用由奈米間隙所分隔之至少一對電極所進行之電性測量來輔助化學物質之識別。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露内容之实施例提供多种奈米间隙传感器设计（例如水平式奈米间隙传感器、垂直式奈米间隙传感器、多奈米间隙传感器数组、用以与奈米间隙传感器之电极进行电连接之各种配置等），以及用以制造至少一些所提出之传感器之多种方法。于此所提出之奈米间隙传感器可作为分子传感器进行运作，以透过利用由奈米间隙所分隔之至少一对电极所进行之电性测量来辅助化学物质之识别。

公开(公告)号：TWI666695B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW106145702

申请日：2017-12-26

Applicant: 百慕達商亞德諾半導體環球無限公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL UNLIMITED COMPANY

Inventor： 歐唐納 約翰 茱德 ,  O'DONNELL, JOHN JUDE ,  萊登 柯林G ,  LYDEN, COLIN G. ,  吉瑞 夏安 ,  GEARY, SHANE ,  赫維茲 約翰生 以法蓮 大衛 ,  HURWITZ, JONATHAN EPHRAIM DAVID ,  布克勒 布萊恩 ,  BEUCLER, BRIAN

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/308

公开(公告)号：TW201904204A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW107115266

申请日：2018-05-04

Applicant: 百慕達商亞德諾半導體環球無限公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL UNLIMITED COMPANY

Inventor： 劉銀才 ,  LIU, TONY YINCAI ,  登普西 丹尼斯A ,  DEMPSEY, DENNIS A.

IPC: H03M1/66

Abstract: 本發明之實施例提供數位類比轉換器（DAC）終端電路。單一或多個並聯阻抗網路可耦合至一DAC，以降低該DAC之交流電阻抗，增加該DAC之速度，並減少該DAC之穩定時間。於特定終端案例中，該等並聯阻抗網路可耦合至該等DAC端子中之至少一者，或耦合至該DAC中之節點。於一範例中，單側T型終端可使用與該等DAC端子並聯耦合之一單終端阻抗路徑，用於降低位於DAC參考端子處之交流電阻抗，增加速度並減少穩定時間。於一範例中，於一H橋終端方案中可使用多阻抗網路，該H橋終端方案有益於具有或位於高電壓範圍內之高解析度DAC。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例提供数码模拟转换器（DAC）终端电路。单一或多个并联阻抗网络可耦合至一DAC，以降低该DAC之交流电阻抗，增加该DAC之速度，并减少该DAC之稳定时间。于特定终端案例中，该等并联阻抗网络可耦合至该等DAC端子中之至少一者，或耦合至该DAC中之节点。于一范例中，单侧T型终端可使用与该等DAC端子并联耦合之一单终端阻抗路径，用于降低位于DAC参考端子处之交流电阻抗，增加速度并减少稳定时间。于一范例中，于一H桥终端方案中可使用多阻抗网络，该H桥终端方案有益于具有或位于高电压范围内之高分辨率DAC。

公开(公告)号：TW201903401A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW107115264

申请日：2018-05-04

Applicant: 百慕達商亞德諾半導體環球無限公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL UNLIMITED COMPANY

Inventor： 曲光陽 ,  QU, GUANG-YANG ,  陳雷誠 ,  CHEN, LEI-CHENG ,  盧尼 麥可 ,  LOONEY, MICHAEL

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/416

Abstract: 感測器介面積體電路測量或校正一目標電阻，以作為該感測器介面積體電路中一TIA放大器之一增益電阻器使用。響應於不同特定激磁電壓，其等係施加至具有特定校正電阻值之一外部校正電阻器，產生至少一激磁電流。響應於相對應之至少一相異激磁電流，分別於跨該目標電阻器兩端測量響應電壓。利用經測量反應電壓間之差、特定激磁電壓間之差，與特定校正電阻值決定該目標電阻器之電阻值。

Abstract in simplified Chinese: 传感器界面集成电路测量或校正一目标电阻，以作为该传感器界面集成电路中一TIA放大器之一增益电阻器使用。响应于不同特定激磁电压，其等系施加至具有特定校正电阻值之一外部校正电阻器，产生至少一激磁电流。响应于相对应之至少一相异激磁电流，分别于跨该目标电阻器两端测量响应电压。利用经测量反应电压间之差、特定激磁电压间之差，与特定校正电阻值决定该目标电阻器之电阻值。

公开(公告)号：TWI633750B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：TW106105251

申请日：2017-02-17

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 歐踏門 阿姆德 摩翰門特 阿雪瑞 ,  OTHMAN, AHMED MOHAMMAD ASHRY

IPC: H03H11/24

公开(公告)号：TWI619206B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105100010

申请日：2016-01-04

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 威斯登 希穆斯 保羅 ,  WHISTON, SEAMUS PAUL ,  史坦森 柏納 派翠克 ,  STENSON, BERNARD PATRICK ,  魔力希 麥克 努兒 ,  MORRISSEY, MICHAEL NOEL ,  芬恩 麥克 喬 ,  FLYNN, MICHAEL JOHN

IPC: H01L21/98

CPC classification number: H03H9/462 ,  H01L2224/48227 ,  H03H9/174 ,  H03H9/22 ,  H03H2009/02165 ,  H03H2009/155 ,  H03H2009/2421

公开(公告)号：TW201801478A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106120167

申请日：2017-06-16

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 阿拉瓦爾 維納亞克 ,  AGRAWAL, VINAYAK ,  古普塔 高拉夫 ,  GUPTA, GAURAV ,  克利里 約翰 ,  CLEARY, JOHN ,  芬 肯恩 ,  FEEN, KEN

IPC: H03M1/10 ,  H03K17/76 ,  H03L7/185 ,  H03K5/22 ,  G06K9/38

CPC classification number: H04Q9/00 ,  G06K9/0002 ,  H04L25/0272 ,  H04Q11/00

Abstract: 本發明之實施例係關於一類比前端電路，該類比前端電路包括一波束成形電路，其係設置以接收複數個接收器之輸入作為一輸入，該接收器之輸入係耦合至一感測器元件。該波束成形電路可包括複數個接收器子電路，各該子電路包括一數位類比轉換器、一低噪訊放大器以及一同相位/正交相位混頻器電路元件；一加法器電路元件，其係位於該同相位/正交相位混頻器電路元件之一輸出端；以及一多工器，其係耦合至該加法器電路之一輸出。該類比前端可為一電流感測裝置之部分。該電流感測裝置可包括一感測器元件之二維陣列。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施例系关于一模拟前端电路，该模拟前端电路包括一波束成形电路，其系设置以接收复数个接收器之输入作为一输入，该接收器之输入系耦合至一传感器组件。该波束成形电路可包括复数个接收器子电路，各该子电路包括一数码模拟转换器、一低噪讯放大器以及一同相位/正交相位混频器电路组件；一加法器电路组件，其系位于该同相位/正交相位混频器电路组件之一输出端；以及一多任务器，其系耦合至该加法器电路之一输出。该模拟前端可为一电流传感设备之部分。该电流传感设备可包括一传感器组件之二维数组。

公开(公告)号：TW201738984A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106113115

申请日：2017-04-19

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 柯伊尼 愛德華 J. ,  COYNE, EDWARD JOHN ,  歐唐納爾 艾倫 J. ,  O'DONNELL, ALAN J. ,  布萊德利 夏恩 ,  BRADLEY, SHAUN ,  艾亨 大衛 ,  AHERNE, DAVID ,  博蘭德 大衛 ,  BOLAND, DAVID ,  歐德懷爾 湯瑪斯 G. ,  O'DWYER, THOMAS G. ,  赫斐南 科爾姆 P. ,  HEFFERNAN, COLM PATRICK ,  曼寧 凱文 B. ,  MANNING, KEVIN B. ,  福爾德 馬克 ,  FORDE, MARK ,  克拉克 大衛 J. ,  CLARKE, DAVID J. ,  盧比 麥可 A. ,  LOOBY, MICHAEL A.

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/303

CPC classification number: H01L29/87 ,  G01R31/26

Abstract: 本發明之技術大致關於具有磨耗監視能力之積體電路元件。一種積體電路元件包括一磨耗監視裝置，該磨耗監視裝置能夠記錄一與該磨耗監視裝置分離之核心電路之磨耗指示，其中該指示係關聯於該磨耗監視裝置內一擴散劑因應一造成該核心電路磨耗之磨耗壓力所產生之局部性擴散。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之技术大致关于具有磨耗监视能力之集成电路组件。一种集成电路组件包括一磨耗监视设备，该磨耗监视设备能够记录一与该磨耗监视设备分离之内核电路之磨耗指示，其中该指示系关联于该磨耗监视设备内一扩散剂因应一造成该内核电路磨耗之磨耗压力所产生之局部性扩散。

公开(公告)号：TW201731212A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106105251

申请日：2017-02-17

Applicant: 亞德諾半導體環球公司 ,  ANALOG DEVICES GLOBAL

Inventor： 歐踏門 阿姆德 摩翰門特 阿雪瑞 ,  OTHMAN, AHMED MOHAMMAD ASHRY

IPC: H03H11/24

CPC classification number: H03H11/245

Abstract: 於此所提供係關於用於高線性電壓可變衰減器之裝置及方法。於某些配置中，一高線性電壓可變衰減器包括多個分流臂或電路，其係於一訊號節點與一第一直流電壓如接地面之間彼此以並聯方式操作。因此，該等分流臂係相對該電壓可變衰減器之一訊號路徑分流。該等多個分流臂包括至少一n-型場效電晶體之一第一分流臂以及至少一p-型場效電晶體之一第二分流臂。該等n-型場效電晶體之閘極係利用一控制電壓所控制，且該等p-型場效電晶體之閘極係利用相對該控制電壓反向改變之一互補控制電壓所控制。

Abstract in simplified Chinese: 于此所提供系关于用于高线性电压可变衰减器之设备及方法。于某些配置中，一高线性电压可变衰减器包括多个分流臂或电路，其系于一信号节点与一第一直流电压如接地面之间彼此以并联方式操作。因此，该等分流臂系相对该电压可变衰减器之一信号路径分流。该等多个分流臂包括至少一n-型场效应管之一第一分流臂以及至少一p-型场效应管之一第二分流臂。该等n-型场效应管之闸极系利用一控制电压所控制，且该等p-型场效应管之闸极系利用相对该控制电压反向改变之一互补控制电压所控制。