負載均衡方案
    41.
    发明专利
    負載均衡方案 审中-公开
    负载均衡方案

    公开(公告)号:TW201443784A

    公开(公告)日:2014-11-16

    申请号:TW102146750

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 本發明大體而言描述用於在代管一行動器件之一雲端運算環境中進行負載均衡方案之技術。在一些實例中,一種負載均衡器可包括:多個請求處理單元,該多個請求處理單元中之每一者包含連接至至少一應用程式伺服器及至少一快取伺服器之一網路通訊端,及經組態以處理來自該至少一應用程式伺服器中之一者的一快取請求的一可程式化處理器;一效能檢查單元,其經組態以量測該等可程式化處理器之處理負載;及一處理器管理單元,其經組態以藉由在該等可程式化處理器中之至少一者中寫入或刪除一負載均衡程式來調整該等處理負載。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明大体而言描述用于在代管一行动器件之一云端运算环境中进行负载均衡方案之技术。在一些实例中,一种负载均衡器可包括:多个请求处理单元,该多个请求处理单元中之每一者包含连接至至少一应用进程服务器及至少一缓存服务器之一网络通信端,及经组态以处理来自该至少一应用进程服务器中之一者的一缓存请求的一可进程化处理器;一性能检查单元,其经组态以量测该等可进程化处理器之处理负载;及一处理器管理单元,其经组态以借由在该等可进程化处理器中之至少一者中写入或删除一负载均衡进程来调整该等处理负载。

    包含無機成分之顯示裝置及其製造與使用方法
    45.
    发明专利
    包含無機成分之顯示裝置及其製造與使用方法 审中-公开
    包含无机成分之显示设备及其制造与使用方法

    公开(公告)号:TW201429310A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:TW102141684

    申请日:2013-11-15

    CPC classification number: G02F1/133602 G02F2201/44

    Abstract: 茲揭示顯示裝置和用於製作顯示裝置的複合體。一些具體實施例包括的顯示裝置具有無機電致發光層、主動矩陣層、無機偏光層、液晶層及彩色濾光層。一些具體實施例包括的複合體具有無機偏光層和無機電致發光層。亦揭示製作和使用該顯示裝置和複合體的方法。

    Abstract in simplified Chinese: 兹揭示显示设备和用于制作显示设备的复合体。一些具体实施例包括的显示设备具有无机电致发光层、主动矩阵层、无机偏光层、液晶层及彩色滤光层。一些具体实施例包括的复合体具有无机偏光层和无机电致发光层。亦揭示制作和使用该显示设备和复合体的方法。

    背光系統
    46.
    发明专利
    背光系統 审中-公开
    背光系统

    公开(公告)号:TW201423233A

    公开(公告)日:2014-06-16

    申请号:TW102136359

    申请日:2013-10-08

    Abstract: 茲描述包括設以為撓性的核心層以及至少一光源的背光系統。該核心層含有至少一光激發螢光團。該光源係被設置在該核心層的一側之邊緣上。另外,該光源設以經由該核心層的一側之邊緣發射第一光進入該核心層。該核心層中設以傳送該第一光,並且由來自該核心層之第一表面的該第一光照射該光激發螢光團而引發該核心層發射第二光。

    Abstract in simplified Chinese: 兹描述包括设以为挠性的内核层以及至少一光源的背光系统。该内核层含有至少一光激发萤光团。该光源系被设置在该内核层的一侧之边缘上。另外,该光源设以经由该内核层的一侧之边缘发射第一光进入该内核层。该内核层中设以发送该第一光,并且由来自该内核层之第一表面的该第一光照射该光激发萤光团而引发该内核层发射第二光。

    晶片多重處理器中的芯級動態電壓和頻率調整
    47.
    发明专利
    晶片多重處理器中的芯級動態電壓和頻率調整 审中-公开
    芯片多重处理器中的芯级动态电压和频率调整

    公开(公告)号:TW201403464A

    公开(公告)日:2014-01-16

    申请号:TW102103918

    申请日:2013-02-01

    Abstract: 本發明揭示的技術概略包括關於製造具有多個處理器核心的一晶片多重處理器的方法和系統。一示例性方法可包括接收關聯於該等多個處理器核心之每一者的效能或可靠度資訊,其中該接收的效能或可靠度資訊係在該晶片多重處理器的封裝之前決定,並儲存該接收的效能或可靠度資訊,使得所儲存的效能或可靠度資訊用於調整該晶片多重處理器之該等多個處理器核心中至少一者的一操作參數。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示的技术概略包括关于制造具有多个处理器内核的一芯片多重处理器的方法和系统。一示例性方法可包括接收关联于该等多个处理器内核之每一者的性能或可靠度信息,其中该接收的性能或可靠度信息系在该芯片多重处理器的封装之前决定,并存储该接收的性能或可靠度信息,使得所存储的性能或可靠度信息用于调整该芯片多重处理器之该等多个处理器内核中至少一者的一操作参数。

    可撓性電路
    49.
    发明专利
    可撓性電路 审中-公开
    可挠性电路

    公开(公告)号:TW201338314A

    公开(公告)日:2013-09-16

    申请号:TW102107591

    申请日:2013-03-05

    CPC classification number: H01B1/22 H01R39/646 Y10T29/49117

    Abstract: 本文提供用於輸送和/或提供電的方法和裝置。在一些實施態樣中,這包括可撓性導管和提供在其中的電荷輸送微粒。在一些實施態樣中,所述微粒在第一充電端子充電,移動至存在電荷收集端子的新的位置,之後可以將所述微粒上的電荷放電。

    Abstract in simplified Chinese: 本文提供用于输送和/或提供电的方法和设备。在一些实施态样中,这包括可挠性导管和提供在其中的电荷输送微粒。在一些实施态样中,所述微粒在第一充电端子充电,移动至存在电荷收集端子的新的位置,之后可以将所述微粒上的电荷放电。

    石墨烯缺陷改變
    50.
    发明专利
    石墨烯缺陷改變 审中-公开
    石墨烯缺陷改变

    公开(公告)号:TW201313608A

    公开(公告)日:2013-04-01

    申请号:TW101102497

    申请日:2012-01-20

    Abstract: 本技術係為描述一配置有效改變一在具有石墨烯的基板上之層膜的缺陷區域的方法及系統,一範例的方法可包含接收及加熱該層膜以形成一加熱層,以及將該加熱層暴露於一第一氣體,以形成一第一暴露層,其中該第一氣體可包含一胺類。該方法可進一步包含將該第一暴露層暴露於一第一惰性氣體中,以形成一第二暴露層,以及將該第二暴露層暴露於一第二氣體,以形成一第三暴露層,其中該第二氣體可包含一鋁烷或一硼烷,該第二暴露層暴露於該第二氣體可至少部分修改該缺陷區域。

    Abstract in simplified Chinese: 本技术系为描述一配置有效改变一在具有石墨烯的基板上之层膜的缺陷区域的方法及系统,一范例的方法可包含接收及加热该层膜以形成一加热层,以及将该加热层暴露于一第一气体,以形成一第一暴露层,其中该第一气体可包含一胺类。该方法可进一步包含将该第一暴露层暴露于一第一惰性气体中,以形成一第二暴露层,以及将该第二暴露层暴露于一第二气体,以形成一第三暴露层,其中该第二气体可包含一铝烷或一硼烷,该第二暴露层暴露于该第二气体可至少部分修改该缺陷区域。

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