-
-
公开(公告)号：JP2011129880A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：JP2010224217
申请日：2010-10-01
Applicant: Jfe Seimitsu Kk , Jfe Steel Corp , Jfeスチール株式会社 , Jfe精密株式会社
Inventor： TERAO SEIMEI , KOHIKI HIDEAKI
CPC classification number: H01L23/3735 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2007/045 , B32B15/01 , C22C1/0425 , C22C1/045 , C22C9/00 , C22C27/06 , C22C30/02 , C22F1/08 , C22F1/11 , C22F1/18 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat sink for an electronic device that has low heat expansion properties, excellent heat conductivity particularly in the direction of thickness, and a reduced entire thickness.
SOLUTION: The heat sink for the electronic device is produced by joining a Cr-Cu alloy sheet comprising a Cu matrix and more than 30 mass% and not more than 80 mass% of Cr to a Cu sheet, and rolling the joined product, thereby producing a laminate having a Cr-Cu alloy layer and a Cu layer.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：为了提供具有低热膨胀性，优异的导热性，特别是在厚度方向上的电子器件的散热器，以及减小的整体厚度。 解决方案：电子器件的散热器是通过将包含Cu基体的Cr-Cu合金板和大于30质量％且不大于80质量％的Cr的Cr-Cu合金片材接合到Cu片材上而制成的， 从而制备具有Cr-Cu合金层和Cu层的层压体。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
-
43.发明专利Heat radiating component for semiconductor, case for semiconductor and carrier for semiconductor with the same attached, and package with the same as base 有权用于半导体的热辐射元件，用于半导体的半导体和载体与其相连的半导体器件，以及作为基底的封装
公开(公告)号：JP2009038366A
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：JP2008178758
申请日：2008-07-09
Applicant: Jfe Seimitsu Kk , Jfe Steel Kk , Jfeスチール株式会社 , Jfe精密株式会社
Inventor： TERAO SEIMEI , OTA HIROKI , KOHIKI HIDEAKI , SAWAI TAKASHI , ABUMITA TETSUO
IPC: H01L23/373 , H01L23/36
CPC classification number: H01L23/3736 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C1/045 , C22C9/00 , C22C27/06 , H01L23/057 , H01L23/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01079 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/20 , B22F3/02 , B22F3/10 , H01L2924/00014
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-precision heat radiating component for a semiconductor which has a small thermal expansion and uses a Cr-Cu alloy having a large thermal conductivity for preventing the degradation of characteristics of a semiconductor element by rapidly radiating heat generated from the semiconductor element and the like, and is stably supplied with high economic efficiency and productivity by simplifying the manufacturing process including as a main process a press work even for a complicated shape; and to provide a semiconductor case, a semiconductor carrier and a package with the radiating component attached.
SOLUTION: The heat radiating component is a molded product produced by cold pressing a Cr-Cu alloy plate produced by subjecting a Cr-Cu alloy to powder metallurgy. The molded product comprises more than 30% by mass and not more than 80% by mass of Cr with the balance consisting of Cu and unavoidable impurities. The unavoidable impurities are O: not more than 0.15% by mass, N: not more than 0.1% by mass, C: not more than 0.1% by mass, Al: not more than 0.05% by mass, and Si: not more than 0.10% by mass.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：为了提供一种具有较小热膨胀的半导体的高精度散热元件，并且使用具有大导热性的Cr-Cu合金来快速地防止半导体元件的特性劣化 散发由半导体元件等产生的热量，并且通过简化包括作为主要工艺的制造工艺，即使是复杂形状的冲压加工也可以稳定地提供高经济效率和生产率; 并且提供半导体壳体，半导体载体和附接有辐射部件的封装。 解决方案：散热部件是通过对Cr-Cu合金进行粉末冶金制造的Cr-Cu合金板的冷压制成的成型体。 成型体含有超过30质量％且80质量％以下的Cr，余量由Cu和不可避免的杂质构成。 不可避免的杂质为O：不大于0.15质量％，N：不大于0.1质量％，C：不大于0.1质量％，Al：不大于0.05质量％，Si：不大于 0.10质量％。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT
-
-
公开(公告)号：JP3537874B2
公开(公告)日：2004-06-14
申请号：JP20613794
申请日：1994-08-09
Applicant: Jfe精密株式会社
Inventor： 星明 寺尾
Abstract: PURPOSE:To produce a sintered compact used for an inertial body such as an oscillator for a small sized radio. CONSTITUTION:The sintered compact consists essentially of tungsten powder and/or molybdenum powder and nickel silver powder, and the inertial body is the sintered compact having >=8g/cm apparent specific gravity. Further, the sintered compact consists of 1-95% in total of tungsten powder and/or the molybdenum powder and the balance the nickel silver and is used for the inertial body such as the oscillator for the small sized radio.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021034714A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2020079196
申请日：2020-04-28
Applicant: JFE精密株式会社 , JFEスチール株式会社
Abstract: 【課題】Cu−Mo複合材とCu材のクラッド構造を有し、高出力・小型半導体が搭載される枠体付き半導体パッケージ用途の放熱板に要求される高い放熱特性を満足し、かつ枠体付き半導体パッケージに適用した場合に枠体の局所的な応力集中による割れを防止できる放熱板を提供する。 【解決手段】板厚方向においてCu層とCu−Mo複合体層が交互に積層することで、3層以上のCu層と2層以上のCu−Mo複合体層で構成されるとともに、両面の最外層がCu層からなる放熱板であって、両面の最外層の各Cu層は、厚さt 1 が40μm以上であって、厚さt 1 と板厚Tが0.06≦t 1 /T≦0.27を満足し、各Cu−Mo複合体層の厚さt 2 と板厚Tがt 2 /T≦0.36/[(全層数−1)/2](但し、全層数:Cu層の層数とCu−Mo複合体層の層数の合計)を満足する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6784863B1
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：JP2020079196
申请日：2020-04-28
Applicant: JFE精密株式会社 , JFEスチール株式会社
Abstract: 【課題】Cu−Mo複合材とCu材のクラッド構造を有し、高出力・小型半導体が搭載される枠体付き半導体パッケージ用途の放熱板に要求される高い放熱特性を満足し、かつ枠体付き半導体パッケージに適用した場合に枠体の局所的な応力集中による割れを防止できる放熱板を提供する。 【解決手段】板厚方向においてCu層とCu−Mo複合体層が交互に積層することで、3層以上のCu層と2層以上のCu−Mo複合体層で構成されるとともに、両面の最外層がCu層からなる放熱板であって、両面の最外層の各Cu層は、厚さt 1 が40μm以上であって、厚さt 1 と板厚Tが0.06≦t 1 /T≦0.27を満足し、各Cu−Mo複合体層の厚さt 2 と板厚Tがt 2 /T≦0.36/[(全層数−1)/2](但し、全層数:Cu層の層数とCu−Mo複合体層の層数の合計)を満足する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2018003135A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016135455
申请日：2016-07-07
Applicant: JFE精密株式会社
Inventor： 寺尾 星明
Abstract: 【課題】延性が高く且つ高精度な焼結タングステン基合金及びその製造方法を提供する。 【解決手段】Wを90.0質量%以上含有し、残部がCu、Fe及びMoの中から選ばれる1種以上、Ni及び不可避不純物からなり、炭素含有量が12質量ppm以下、引張伸びが9%以上であり、好ましくは、断面組織での空孔の面積率が1%未満である。この焼結体は、粒径の粗いW粉末を用い、このW粉末とNi粉末などの副原料からなる原料粉末に、有機バインダーを添加せず、少量の固形潤滑剤のみを添加した上で、造粒することなく機械的に混合し、この混合粉体を比較的高い成形圧で所定の成形密度の成形体に成形し、この成形体を脱脂した後、焼結することにより得られる。 【選択図】図1
-
-
公开(公告)号：JP5216981B2
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：JP2008178758
申请日：2008-07-09
Applicant: Jfe精密株式会社 , Jfeスチール株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/36
CPC classification number: H01L23/3736 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C1/045 , C22C9/00 , C22C27/06 , H01L23/057 , H01L23/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01079 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/20 , B22F3/02 , B22F3/10 , H01L2924/00014
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.247 seconds)
