公开(公告)号：DE102024202034A1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：DE102024202034

申请日：2024-03-05

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： MOCHIZUKI MARINA ,  WATABE MASAHIRO ,  TSUBUKU MASASHI ,  WATAKABE HAJIME ,  SASAKI TOSHINARI ,  TAMARU TAKAYA ,  ONODERA RYO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: [Problem]Bereitstellung einer Halbleitervorrichtung mit geringer Variation und stabilen elektrischen Eigenschaften.[Mittel zur Lösung des Problems]Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Gate-Elektrode, eine Gate-Isolierschicht über der Gate-Elektrode, eine Oxidhalbleiterschicht mit einer polykristallinen Struktur über der Gate-Isolierschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode über der Oxidhalbleiterschicht sowie eine Zwischenschicht-Isolierschicht Kontakt mit der Oxidhalbleiterschicht. Die Zwischenisolierschicht bedeckt die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode. Die Oxidhalbleiterschicht umfasst einen ersten Bereich, der entweder die Source-Elektrode oder die Drain-Elektrode überlappt, und einen zweiten Bereich in Kontakt mit der Zwischenschicht-Isolierschicht. Ein Unterschied zwischen einer Filmdicke des ersten Bereichs und einer Filmdicke des zweiten Bereichs beträgt weniger als oder gleich 5 nm.

公开(公告)号：DE102024202026A1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：DE102024202026

申请日：2024-03-05

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： MOCHIZUKI MARINA ,  WATABE MASAHIRO ,  TSUBUKU MASASHI ,  WATAKABE HAJIME ,  SASAKI TOSHINARI ,  TAMARU TAKAYA ,  ONODERA RYO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/84

Abstract: [Problem]Bereitstellung einer Halbleitervorrichtungmit geringer Variation und stabilen elektrischen Eigenschaften.[Mittel zur Lösung des Problems]Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Gate-Elektrode, eine Gate-Isolierschicht über der Gate-Elektrode, eine Metalloxidschicht über der Gate-Isolierschicht, eine Oxidhalbleiterschicht mit einer polykristallinen Struktur über der Metalloxidschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode über der Oxidhalbleiterschicht und eine Zwischenisolierschicht in Kontakt mit der Oxidhalbleiterschicht, wobei die Zwischenisolierschicht die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode bedeckt, wobei die Oxidhalbleiterschicht einen ersten Bereich umfasst, der entweder die Source-Elektrode oder die Drain-Elektrode überlappt, und einen zweiten Bereich in Kontakt mit der Zwischenisolierschicht und eine Differenz zwischen einer Dicke des ersten Bereichs und einer Dicke des zweiten Bereichs 5 nm oder weniger beträgt.

公开(公告)号：DE112019000850B4

公开(公告)日：2024-04-18

申请号：DE112019000850

申请日：2019-03-13

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： ITAKURA SHIMON

IPC: F21S2/00 ,  B60Q3/14 ,  B60Q3/62 ,  F21Y115/10 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/13357

Abstract: Anzeigevorrichtung (1), umfassend:eine lichtdurchlässige Frontplatte (11);eine Vielzahl von Anzeigedisplays (2), die jeweils mit der einen Frontplatte (11) verbunden und kleiner als die Frontplatte (11) sind; undeine Hintergrundbeleuchtungseinheit (8), umfassend eine Vielzahl von zu den jeweiligen Anzeigedisplays (2) zeigend in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung angeordneten Lichtleiterplatten (3) und eine zum Bewirken von Licht zum Einfallen auf den Lichtleiterplatten (3) ausgebildete Lichtquelle (5), wobeieine Vielzahl von Ausstrahlungsflächen der zu den Anzeigedisplays (2) zeigenden Lichtleiterplatten (3) und ein Spalt zwischen einem angrenzenden Paar der Lichtleiterplatten (3) mit einer optischen Folie (4) abgedeckt sind, gekennzeichnet dadurch, dassdie eine optische Folie (4) zwischen den Lichtleiterplatten (3) und den Anzeigedisplays (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112019003817B4

公开(公告)日：2023-11-23

申请号：DE112019003817

申请日：2019-08-08

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： HAYASHI HIROTAKA

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/30

Abstract: Anzeigevorrichtung, die umfasst:ein erstes Substrat (10), das einen Anzeigebereich (DA) aufweist;einen lichtdurchlässigen Bereich (TRA), der innerhalb des Anzeigebereichs (DA) in einer Draufsicht gebildet ist;einen Rahmenbereich (FRA), der zwischen dem Anzeigebereich (DA) und dem lichtdurchlässigen Bereich (TRA) so gebildet ist, dass er den lichtdurchlässigen Bereich (TRA) entlang eines äußeren Randes des lichtdurchlässigen Bereichs (TRA) in einer Draufsicht umgibt;mehrere Abtastsignalleitungen (GL), die in einer ersten leitfähigen Schicht (CL1) auf dem ersten Substrat (10) in dem Anzeigebereich (DA) so gebildet sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken; undmehrere Bildsignalleitungen (SL, SLB, SLG, SLR), die in einer zweiten leitfähigen Schicht (CL2) auf dem ersten Substrat (10) in dem Anzeigebereich (DA) so gebildet sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung, die die erste Richtung kreuzt, erstrecken,wobei einige der mehreren Bildsignalleitungen (SL, SLB, SLG, SLR) enthalten:mehrere Erweiterungsverdrahtungen (SLr), die in dem Rahmenbereich (FRA) so angeordnet sind, dass sie sich in der zweiten Richtung erstrecken; und mehrere Umgehungsverdrahtungen (SLc2, SLc3), die in dem Rahmenbereich (FRA) so angeordnet sind, dass ihre beiden Enden (SLe) mit den mehreren Erweiterungsverdrahtungen (SLr) verbunden sind,wobei die mehreren Umgehungsverdrahtungen (SLc2, SLc3) der mehreren Bildsignalleitungen (SL, SLB, SLG, SLR) enthalten:mehrere Umgehungsverdrahtungen (SLc2) einer zweiten Schicht, die in der zweiten leitfähigen Schicht (CL2) angeordnet sind; und mehrere Umgehungsverdrahtungen (SLc3) einer dritten Schicht, die in einer dritten leitfähigen Schicht (CL3), die von der ersten leitfähigen Schicht (CL1) und der zweiten leitfähigen Schicht (CL2) verschieden ist, angeordnet sind, undjeder aus einem Anordnungszwischenraum (SLp2) zwischen den mehreren Umgehungsverdrahtungen (SLc2) der zweiten Schicht und einem Anordnungszwischenraum (SLp3) zwischen den mehreren Umgehungsverdrahtungen (SLc3) der dritten Schicht kleiner ist als ein Anordnungszwischenraum (SLp1) zwischen den mehreren Bildsignalleitungen in dem Anzeigebereich (DA), gekennzeichnet dadurch, dassmehrere Kontaktlöcher (CH1), die die zweite leitfähige Schicht (CL2) und die dritte leitfähige Schicht (CL3) elektrisch verbinden, in dem Rahmenbereich (FRA) angeordnet sind, undjede Basisfläche (CHb) der mehreren Kontaktlöcher (CH1) in einer Draufsicht an einer Position, die die mehreren Abtastsignalleitungen (GL) nicht überlappt, gebildet ist.

公开(公告)号：DE102022205630A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE102022205630

申请日：2022-06-02

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： ICHIHARA KAZUKI ,  ASANO NAOYUKI

IPC: G02F1/1333

Abstract: Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist versehen mit: einem ersten Substrat, das eine erste Fläche, eine zweite Fläche auf der der ersten Fläche abgewandten Seite, und eine, erste Seitenfläche aufweist, die die erste Fläche und die zweite Fläche verbindet, einem zweiten Substrat, das eine zweite Seitenfläche aufweist, und der ersten Fläche gegenüberliegt, einer Lichtquelle, die entlang der zweiten Seitenfläche des zweiten Substrats vorgesehen ist, einer Leiterplatte, die der zweiten Fläche des ersten Substrats gegenüberliegt, einer ersten Haftschicht, die die zweite Fläche und die Leiterplatte befestigt, und einer flexiblen Leiterplatte, die das erste Substrat mit der Leiterplatte elektrisch verbindet, wobei das erste Substrat die erste Seitenfläche enthält und einen Erstreckungsteil aufweist, der sich über die zweite Seitenfläche des zweiten Substrats hinaus erstreckt, wobei die flexible Leiterplatte an dem Erstreckungsteil montiert ist.

公开(公告)号：DE102022204269A1

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：DE102022204269

申请日：2022-05-02

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： SUZUMURA ISAO ,  SANO TAKUMI

IPC: H01L51/44 ,  H05K1/02 ,  H05K1/16

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform ist die Sensorvorrichtung versehen mit: einem Isolierbasismaterial, das mäanderförmig verlaufende bandförmige Teile und mit den bandförmigen Teilen verbundene inselförmige Teile aufweist, einem ersten anorganischen Isolierfilm, der über den inselförmigen Teilen angeordnet ist, einer ersten Verdrahtungsschicht, die über dem ersten anorganischen Isolierfilm angeordnet ist, einem zweiten anorganischen Isolierfilm, der über der ersten Verdrahtungsschicht angeordnet ist, einer zweiten Verdrahtungsschicht, die über dem zweiten anorganischen Isolierfilm angeordnet ist, einem organischen Isolierfilm, der über der zweiten Verdrahtungsschicht angeordnet ist, einem Barrierefilm, der aus einem anorganischen Isoliermaterial besteht und den organischen Isolierfilm abdeckt, einem Sensorelement, das über dem Barrierefilm angeordnet ist, und einem Dichtungsfilm, der aus einem anorganischen Isoliermaterial besteht und das Sensorelement abdeckt, wobei das Sensorelement eine organische Fotodiode ist, der Barrierefilm eine Seitenfläche des organischen Isolierfilms abdeckt und der Dichtungsfilm außerhalb des Sensorelements in Kontakt mit dem Barrierefilm und dem zweiten anorganischen Isolierfilm steht.

公开(公告)号：DE102022204071A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102022204071

申请日：2022-04-27

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： TAGO KEIJI ,  OHGIICHI KIMITOSHI ,  KAWASAKI SATORU

IPC: H01L27/146 ,  G06V40/12

Abstract: Bereitstellung einer Erfassungsvorrichtung, die in der Lage ist, die Erzeugung von unbeabsichtigten Mustern in Licht, das auf eine Vielzahl von Fotodioden einfällt, zu reduzieren. Eine Erfassungsvorrichtung enthält: ein Substrat; eine Vielzahl von Fotodioden, die auf dem Substrat vorgesehen sind und in einer ersten Richtung angeordnet sind; eine Vielzahl von Linsen, die so vorgesehen sind, dass sie die Fotodioden überlappen; und eine lichtblockierende Schicht, die zwischen den Fotodioden und den Linsen vorgesehen ist und eine Vielzahl von Öffnungen aufweist. Mehr als eine der Öffnungen ist in jedem der Bereiche vorgesehen, die die jeweiligen Fotodioden überlappen, und eine Anordnungsrichtung der Öffnungen in jedem der Bereiche, die die jeweiligen Fotodioden überlappen, weist einen Winkel zur ersten Richtung auf.

公开(公告)号：DE102022203024A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102022203024

申请日：2022-03-28

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： TOMIOKA YASUSHI ,  TAKIMOTO AKIO

IPC: H01L51/48 ,  A61B5/117 ,  G06F21/32 ,  G06K9/00

Abstract: [Problem] Verfahren zur Herstellung eines photoelektrischen Umwandlungselements mit einer aktiven Schicht mit hoher Empfindlichkeit eines photoelektrischen Effekts. Bereitstellung eines optischen Sensors, der das photoelektrische Umwandlungselement mit der hohen Empfindlichkeit des photoelektrischen Effekts der aktiven Schicht enthält.[Lösung] Das Verfahren zur Herstellung eines photoelektrischen Umwandlungselements umfasst einen Schritt zur Bildung einer aktiven Schicht, bei dem eine aktive Schicht mit einer sich wiederholenden Einheit, die durch die chemische Formel 1 dargestellt wird, gebildet wird. Der Schritt zur Bildung der aktiven Schicht umfasst einen ersten Schritt zur Bildung einer ersten Schicht durch Auftragen einer ersten Flüssigkeit, die Polyamidsäure enthält, einen ersten Erhitzungsschritt zum Erhitzen der ersten Schicht auf 120 ° C für 20 Minuten bis 60 Minuten und einen zweiten Erhitzungsschritt zum Erhitzen der ersten Schicht auf 230 °C bis 280 °C für 10 Minuten. Der optische Sensor umfasst ein Substrat und einen auf das Substrat gestapelten Sensor. Der Sensor umfasst eine Erfassungselektrode, eine Elektronentransportschicht, eine aktive Schicht, eine Lochtransportschicht und eine Gegenelektrode und enthält ein photoelektrisches Umwandlungselement, das auf das Substrat gestapelt ist. Die aktive Schicht besteht aus einem Material auf Polyimidbasis mit einer sich wiederholenden Einheit, die durch die folgende chemische Formel 5 dargestellt wird.

公开(公告)号：DE102022202993A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102022202993

申请日：2022-03-28

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： OZEKI YOSHITAKA ,  KOIDE GEN ,  OZAKI NOBUTAKA ,  MORIGUCHI KOSHIRO

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/33 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

Abstract: Eine Anzeigevorrichtung enthält einen ersten Transistor, der mit einer Oxidhalbleiterschicht versehen ist, eine der Oxidhalbleiterschicht zugewandte erste Gate-Elektrode und eine erste Gate-Isolationsschicht zwischen der Oxidhalbleiterschicht und der ersten Gate-Elektrode, eine erste transparente leitfähige Schicht in Kontakt mit dem Oxid Halbleiterschicht in einem ersten Kontaktbereich, der die erste Gate-Elektrode in einer Draufsicht nicht überlappt, und eine zweite transparente leitfähige Schicht, die mit der ersten transparenten leitfähigen Schicht in einem zweiten Kontaktbereich verbunden ist, der die erste Gate-Elektrode in einer Draufsicht überlappt und in einem Anzeigebereich des Pixels vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE102022200125A1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：DE102022200125

申请日：2022-01-07

Applicant: JAPAN DISPLAY INC

Inventor： MOCHIZUKI KAZUHIDE ,  NAKAMURA TAKASHI ,  OYAMA ATSUNORI

IPC: G06V40/13 ,  G06V10/141

Abstract: Eine biometrische Authentifizierungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist mit einem Sensor und einer Beleuchtungseinrichtung versehen. Der Sensor umfasst ein erstes Basismaterial, mehrere photoelektrische Wandlerelemente, die in einer Matrix auf dem ersten Basismaterial angeordnet sind und Signale entsprechend der empfangenen Lichtintensität ausgeben, und einen ersten Steuerteil. Die Beleuchtungseinrichtung umfasst ein zweites Basismaterial, mehrere lichtemittierende Elemente, die in einer Matrix auf dem zweiten Basismaterial angeordnet sind und Licht abstrahlen, das durch die mehreren photoelektrischen Wandlerelemente empfangen wird, und einen zweiten Steuerteil. Wenn die lichtemittierenden Elemente an vorbestimmten Positionen jeder Gruppe der lichtemittierenden Elemente jeweils durch den zweiten Steuerteil eingeschaltet werden, steuert der erste Steuerteil den Betrieb der photoelektrischen Elemente derart, dass Signale von den photoelektrischen Wandlerelementen an vorbestimmten Positionen jeder Gruppe der photoelektrischen Wandlerelemente, und zwar an Positionen, die den.eingeschalteten lichtemittierenden Elementen entsprechen, jeweils erhalten werden.