公开(公告)号：JP2011154039A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：JP2011083897

申请日：2011-04-05

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： STOKOWSKI STAN ,  SAIDIN ZAIN K

IPC: G01N21/956

CPC classification number: G01M11/0264 ,  G01N21/95607

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for altering the phase and/or amplitude of an optical beam within an inspection system using one or more spatial light modulators (SLMs). SOLUTION: An apparatus 100 for optically inspecting a sample includes a beam generator 102 for directing an incident optical beam 115 onto a sample 116. An output beam 125 is directed from the sample toward a detector 126 via an optical image forming systems 120 and 124. The apparatus further includes a programmable spatial light modulator (SLM) positioned within an optical path of either the output beam or the incident beam. The SLM includes a first SLM along with an irradiation aperture 108 and a second SLM along with a field aperture 112, and is configured to adjust a phase or amplitude profile of the incident beam or the output beam. The SLM is configured to alter an illumination profile of the incident beam to achieve different inspection modes. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于使用一个或多个空间光调制器（SLM）来改变检查系统内的光束的相位和/或幅度的方法。 解决方案：用于光学检查样本的装置100包括用于将入射光束115引导到样本116上的光束发生器102.输出光束125经由光学成像系统120从样本指向检测器126 该装置还包括位于输出光束或入射光束的光路内的可编程空间光调制器（SLM）。 SLM包括第一SLM以及照射孔108和第二SLM以及场孔112，并且被配置为调整入射光束或输出光束的相位或幅度分布。 SLM被配置为改变入射光束的照明轮廓以实现不同的检查模式。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011059123A

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：JP2010230862

申请日：2010-10-13

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： SHORTT DAVID W

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/0633

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection tool including illumination elements for directing light beams at different wavelengths, or at different angles of incidence, or by a combination thereof.
SOLUTION: A beam creates reflected light and scattered light optical signals. Scanning elements and optical detector elements are provided. The optical detector elements receive reflected light signals and scattered light signals. A circuit for receiving the reflected light signals and the scattered light signals is used, the value of thickness for a partially transmissive layer formed on a workpiece is determined, and the effect of the thickness of the partially transmissive layer is corrected, so that signals identify and characterize the defects of the workpiece. Further, the present invention also includes descriptions of methods for achieving such inspections.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种检查工具，其包括用于引导不同波长或不同入射角的光束的照明元件或其组合。 解决方案：光束产生反射光和散射光的光信号。 提供扫描元件和光学检测器元件。 光检测器元件接收反射光信号和散射光信号。 使用用于接收反射光信号和散射光信号的电路，确定在工件上形成的部分透射层的厚度值，并且校正部分透射层的厚度的影响，使得信号识别 并表征工件的缺陷。 此外，本发明还包括用于实现这种检查的方法的描述。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010281822A

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：JP2010131079

申请日：2010-06-08

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： XU YIPING ,  ABDULHALIM IBRAHIM

IPC: G01B11/02 ,  G01N21/21 ,  G01B11/06 ,  G01N21/27 ,  G01N21/33 ,  G01N21/95 ,  G01N21/956 ,  G03F7/20 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/556 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70616 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a measuring method and device for easily performing exact measurement of an extremely fine line width and quantification about a profile of an etching structure on a pattern wafer. SOLUTION: Before the diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer, the film thickness and index of refraction of a film underneath the structure are first measured using a spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry when required. A rigorous model is then used to calculate the intensity or the ellipsometric signature of the diffracting structure. The diffracting structure 12c is then measured using a spectroscopic scatterometer using polarized radiation and broadband radiation to obtain the intensity or an ellipsometric signature of the diffracting structure. This signature is matched with the signature in a database to determine the grating shape parameter of the structure. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种测量方法和装置，用于容易地精确测量非常细的线宽度并且对图案晶片上的蚀刻结构的轮廓进行定量。 解决方案：在半导体晶片上的衍射结构12c衍射之前，首先在需要时使用光谱反射计或光谱椭圆偏光法测量薄膜在结构下面的膜厚度和折射率。 然后使用严格的模型来计算衍射结构的强度或椭圆签名。 然后使用使用偏振辐射和宽带辐射的分光散射仪测量衍射结构12c，以获得衍射结构的强度或椭偏特征。 该签名与数据库中的签名相匹配，以确定结构的光栅形状参数。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010249833A

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2010131351

申请日：2010-06-08

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： ROSENGAUS ELIEZER ,  LANGE STEVEN R

IPC: G01B11/30 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95 ,  G06T1/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/677

CPC classification number: G01N21/95623 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67155

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable high-speed inspection of semiconductor wafers. SOLUTION: A plurality of independent, low cost, optical-inspection subsystems 30 are packaged and integrated to simultaneously perform parallel inspections of portions of the wafer 20. The wafer location relative to the inspection is controlled so that the entire wafer is imaged by the system of optical subsystems in a raster-scan mode. A monochromatic coherent-light source illuminates the wafer surface. A darkfield-optical system collects scattered light and filters patterns produced by valid periodic wafer structures using Fourier filtering. The filtered light is processed by general purpose digital-signal processors. Image subtraction methods are used to detect wafer defects, which are reported to a main computer 50 to aid in statistical process control, particularly for manufacturing equipment. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了能够高速检查半导体晶片。 解决方案：多个独立的，低成本的光学检查子系统30被封装和集成，以同时对晶片20的部分进行并行检查。控制相对于检查的晶片位置，使得整个晶片被成像 通过光学子系统的系统以光栅扫描模式。 单色相干光源照亮晶片表面。 暗场光学系统收集散射光，并使用傅立叶滤波对由有效的周期性晶片结构产生的滤波图案进行滤波。 滤波后的光由通用数字信号处理器处理。 图像减法方法用于检测晶片缺陷，其报告给主计算机50，以帮助统计过程控制，特别是用于制造设备。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010133941A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：JP2009244175

申请日：2009-10-23

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： XU YIPING ,  ABDULHALIM IBRAHIM

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/26 ,  G01N21/21 ,  G01N21/27 ,  G01N21/41 ,  G01N21/47 ,  G01N21/95 ,  G01N21/956 ,  G03F7/20 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/556 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70616 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To determine a grating shape parameter of a diffracting structure on a wafer. SOLUTION: Before the diffraction from the diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12a is measured, the film thickness and index of the refraction of a film 12b underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry 60 or spectroscopic ellipsometry 34 when required. A rigorous model is then used to calculate the intensity or the ellipsometric characteristic parameter of the diffracting structure 12c. The diffracting structure 12c is then measured using a spectroscopic scatterometer using polarized radiation and broadband radiation to obtain the intensity or an ellipsometric characteristic parameter of the diffracting structure 12c. Such a characteristic parameter is then matched with the characteristic parameter in a database to determine the grating shape parameter of the structure. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：确定晶片上的衍射结构的光栅形状参数。 解决方案：在测量半导体晶片12a上的衍射结构12c的衍射之前，首先使用分光反射镜60或光谱椭圆偏光法34在需要时首先测量膜结构下方的膜12b的折射率和折射率。 然后使用严格的模型来计算衍射结构12c的强度或椭偏特性参数。 然后使用使用偏振辐射和宽带辐射的分光散射仪测量衍射结构12c，以获得衍射结构12c的强度或椭偏特性参数。 然后将这样的特征参数与数据库中的特征参数相匹配，以确定结构的光栅形状参数。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008276272A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：JP2008212979

申请日：2008-08-21

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケイエルエイ−テンコー コーポレイション

Inventor： SHAFER DAVID ROSS ,  CHUANG YUNG-HO ,  TSAI BIN-MING BENJAMIN

IPC: G01N21/33 ,  G02B17/08 ,  G02B13/14 ,  G02B15/14 ,  G02B15/15 ,  G02B15/16 ,  G02B15/163 ,  G02B21/00 ,  G02B21/02 ,  G02B21/04 ,  G02B21/16 ,  G03C5/16 ,  G03F1/84 ,  G03F3/00 ,  G03F7/20 ,  H04N5/225

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G02B17/0808 ,  G02B17/0856 ,  G02B17/0892 ,  G02B21/16 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70225 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/7065

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultra-broadband ultraviolet (UV) catadioptric video microscope system with a wide-range zooming function. SOLUTION: The microscope system including a catadioptric lens group and a zooming tube lens group, has a high optical resolution at ultra-UV wavelengths, a continuously adjustable magnification, and a high numerical aperture. This system integrates microscope modules such as objective lenses, tube lenses, and a zoom optics to reduce the number of components and simplify the manufacturing processes of the system. In a preferable embodiment, excellent image quality is obtained across a very wide ultra-ultraviolet spectrum range when combined with an all-refractive zooming tube lens. The zooming tube lens is modified to compensate for higher-order chromatic aberrations that would normally limit performance. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有广泛变焦功能的超宽带紫外（UV）反折射视频显微镜系统。

解决方案：包括反折射透镜组和变焦管透镜组的显微镜系统在超紫外波长下具有高的光学分辨率，连续可调放大倍数和高数值孔径。 该系统集成了诸如物镜，管镜和变焦光学的显微镜模块，以减少部件数量并简化系统的制造过程。 在优选实施例中，当与全折射变焦管透镜组合时，在非常宽的超紫外光谱范围内获得优异的图像质量。 变焦管镜头被修改以补偿通常会限制性能的高阶色差。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015018279A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014196625

申请日：2014-09-26

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation ,  Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： SHAFER DAVID ROSS ,  CHUANG YUNG-HO ,  TSAI BIN-MING BENJAMIN

IPC: G01N21/33 ,  G02B17/08 ,  G02B13/14 ,  G02B15/14 ,  G02B15/15 ,  G02B15/16 ,  G02B21/00 ,  G02B21/02 ,  G02B21/04 ,  G02B21/16 ,  G03C5/16 ,  G03F1/84 ,  G03F3/00 ,  G03F7/20 ,  H04N5/225

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G02B17/0808 ,  G02B17/0856 ,  G02B17/0892 ,  G02B21/16 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70225 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/7065

Abstract: 【課題】広範囲ズーム機能を備えた超広帯域紫外(UV)カタディオプトリック映像顕微鏡システムを提供する。【解決手段】カタディオプトリックレンズ群及びズーミングチューブレンズ群139を含む顕微鏡システムは、極UV波長で高光学解像度と、連続的に調整可能な倍率と、高開口数とを有する。このシステムは、部品点数を削減し、システムの製造プロセスを簡単化するため、対物レンズ、チューブレンズ及びズーム光学系のような顕微鏡モジュールを統合する。全屈折ズーミングチューブレンズと組み合わせることにより、非常に広い極紫外スペクトル域に亘って優れた画質が得られる。ズーミングチューブレンズは、一般的に性能を制限する高次色収差を補償するように変更される。【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有宽范围变焦能力的超宽带紫外（UV）反折射成像显微镜系统。解决方案：包括反折射透镜组和变焦管透镜组139的显微镜系统具有高光学 分辨率在深紫外波长，连续可调放大倍数和高数值孔径。 该系统集成了诸如目标，管镜和变焦光学的显微镜模块，以减少部件数量，并简化系统制造过程。 通过与全折射变焦管镜头结合，可以获得在非常宽的深紫外光谱范围内的优异图像质量。变焦管镜头被修改以补偿通常限制性能的高阶色差。

公开(公告)号：JP2014239230A

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：JP2014140067

申请日：2014-07-07

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation ,  Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： CHRISTOPHE FOUQUET ,  ZAIN SAIDIN ,  SERGIO EDELSTEIN ,  SAVITHA NANJANGUD ,  CARL HESS

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225 ,  H01L21/02

CPC classification number: G06T7/0006 ,  G01N21/956 ,  G03F7/705 ,  G06F17/5081 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】半導体装置の異常を引き起こす、細かい欠陥を検出するシステムを提供する。【解決手段】電子ビーム精査サブシステム10と、コンピューターサブシステム22とを備え、コンピューターサブシステム22は、設計24を検査して、設計内の欠陥を検出し、電子ビーム精査サブシステム10により得られる、ウェーハー12上に印刷された設計内のダイスの画像と、データベース26に記憶されているダイスの画像とを比較し、設計内の追加の欠陥を検出し、設計内の欠陥、設計内の追加欠陥およびウェーハー検査システム32により検出されるウェーハー12上の欠陥に基づいて、電子ビーム精査サブシステム10による画像取得対象のウェーハー12上の位置を決定し、位置で得られた画像を用いて、位置における設計欠陥および工程欠陥36を検出する。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于检测导致半导体器件异常的精细缺陷的系统。解决方案：用于检测细小缺陷的系统包括电子束检查子系统10和计算机子系统22.计算机子系统22检查设计24 检测设计中的缺陷，将由电子束检查子系统10获得的印刷在晶片12上的设计中的管芯的图像与存储在数据库26中的管芯的图像进行比较， 基于设计中的缺陷，设计中的附加缺陷和通过晶片检查检测到的晶片12上的缺陷，确定晶片12上的位置，其图像由电子束检查子系统10获取 系统32，并且通过使用在该位置处获得的图像来检测位置处的设计缺陷和处理缺陷36。

公开(公告)号：JP2014095719A

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：JP2013267269

申请日：2013-12-25

Applicant: Kla Tencor Corp ,  ケイエルエイ−テンコー コーポレーション

Inventor： OPSAL JON ,  CHU HANYOU

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  G01N21/21 ,  G01N21/27 ,  G01N21/47 ,  G03F7/20 ,  G06F17/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G01B11/24 ,  G01N21/211 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70625

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To analyze characteristics of a periodic structure formed on a sample on a real time basis.SOLUTION: A spectroscopic measurement module is used which generates output signals as a function of wavelength. The output signals create a theoretical initial model having a rectangular structure, by a processor. Next, the processor calculates a theoretical optical response of the sample to broad band radiation. The calculation result of the optical response is compared with values measured and normalized at a plurality of wavelengths. Based on the comparison, the model configuration is modified so as to be closer to an actual measured structure. The processor re-calculates the optical response of the modified model and compares the calculation result with normalized data. This process is repeated in an iterative manner until the optimal rectangular shape is achieved. Thereafter, the complexity of the model is iteratively increased by dividing the model into layers having widths and heights. Data is optimized in an iterative manner until the optimal model is obtained which is similar in structure to the periodic structure.

Abstract translation: 要解决的问题：实时分析样品上形成的周期性结构的特性。解决方案：使用一个生成与波长有关的输出信号的光谱测量模块。 输出信号由处理器产生具有矩形结构的理论初始模型。 接下来，处理器计算样品对宽带辐射的理论光学响应。 将光学响应的​​计算结果与在多个波长处测量和归一化的值进行比较。 根据比较，模型配置被修改为更接近于实际的测量结构。 处理器重新计算修改模型的光学响应，并将计算结果与归一化数据进行比较。 以迭代的方式重复该过程，直到达到最佳矩形形状。 此后，通过将模型分成具有宽度和高度的层，迭代地增加了模型的复杂性。 数据以迭代方式进行优化，直到获得与结构相似的周期结构相似的最优模型。

公开(公告)号：JP2014003327A

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：JP2013183229

申请日：2013-09-04

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： BRIAN DUFFY ,  ASHOK KULKARNI

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/7065 ,  G03F7/70525

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide systems and methods for creating inspection recipes.SOLUTION: A computer-implemented method for creating an inspection recipe includes acquiring a first design and one or more characteristics of output of an inspection system for a wafer on which the first design is printed using a manufacturing process. The method further includes creating an inspection recipe for a second design using the first design and the one or more characteristics of the output acquired for the wafer on which the first design is printed. The first and the second designs are different. The inspection recipe is used for inspecting wafers after the second design is printed on the wafers using the manufacturing process.

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于创建检查配方的系统和方法。解决方案：用于创建检查配方的计算机实现的方法包括获取用于晶片的检查系统的输出的第一设计和一个或多个特性，其中第一 设计使用制造工艺印刷。 该方法还包括使用第一设计和为印刷第一设计的晶片获取的输出的一个或多个特性来创建用于第二设计的检查配方。 第一和第二种设计是不同的。 在使用制造工艺将第二设计印刷在晶片上之后，检查配方用于检查晶片。