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公开(公告)号：JP2016502123A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015534972
申请日：2013-09-30
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： マルム ノーヴィン フォン , マルム ノーヴィン フォン , マルティン マンドル , マルティン マンドル , アレクサンダー エフ． プフォイファー , アレクサンダー エフ． プフォイファー , ブリッタ ゲーツ , ブリッタ ゲーツ
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L29/66568 , H01L29/78 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】高品質のマイクロ画素化発光ダイオードディスプレイを製造可能な方法を提供する。【解決手段】本方法は、A)成長基板(2)を設けるステップと;B)基板表面(20)に直接または間接的に緩衝層(4)を形成するステップと;C)緩衝層(4)上または緩衝層(4)に複数の個別の成長点(45)を形成するステップと;D)成長点(45)を起点として個別の放射活性島部(5)を形成するステップであって、島部(5)は、それぞれ、少なくとも1つの活性領域(55)を有する無機半導体積層体(50)を含み、島部の基板表面(20)の上面視における平均径が、50nm〜20μm(両端値を含む)である、ステップと、E)島部(5)を電気的に制御するために島部(5)をトランジスタ(6)に接続するステップと、を含む。【選択図】図1J
Abstract translation: 一种用于制造高品质的微像素化发光二极管显示器提供一个可能的方法。 该方法包括，A）提供生长衬底（2）中的步骤; B）步骤，并直接或间接地形成（在基板表面上的缓冲层20）和（4）; C）缓冲层（4 ）形成多个单独的增长点的上方或缓冲层（4）（45）; D）为起点形成分离的放射性岛（5）生长点（45）的步骤 具有岛部（5）的每一个包括无机半导体叠层（50）的至少一个有源区（55），所述岛部（20），为50nm〜20myuemu的基板表面的俯视图的平均直径（ 是包含性的值），包括一个步骤，连接岛屿的用于电控制E中的步骤）岛（5）（5）连接到晶体管（6），则。 点域1J
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公开(公告)号：JP2016500486A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2015548455
申请日：2013-12-17
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： ローラント エンツマン , ローラント エンツマン , マルクス ホルン , マルクス ホルン , マルクス グラウル , マルクス グラウル , トーマス ファイト , トーマス ファイト , ユルゲン ダクス , ユルゲン ダクス , ステファン リストル , ステファン リストル , マルクス アルツベルガー , マルクス アルツベルガー
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 少なくとも一実施形態においては、半導体レーザ素子(1)を製造する方法は、A)半導体レーザ素子(1)のための複数のキャリア(2)を有するキャリア複合体(20)を作製するステップと、B)共通の成長基板(31)と、成長基板の上に成長させる半導体積層体(32)とを備えた複数の半導体レーザダイオード(3)を有するレーザバー(3)を作製するステップと、C)成長基板(31)の基板裏面(34)に所定の破断箇所(35)を生成するステップであって、基板裏面が半導体積層体(32)とは反対側である、ステップと、D)レーザバー(30)をキャリア複合体(20)のキャリア上面(23)に取り付けるステップであって、取付けが、高い温度において実行され、取り付けた後に冷却する、ステップと、E)複数の半導体レーザ素子(1)に個片化するステップと、を含み、ステップB)〜ステップE)が示した順序で実行される。
Abstract translation: 在至少一个实施例中，制造半导体激光器件（1）的方法包括：制备具有多个载波（2）A）半导体激光装置的载体共轭物（20）的步骤（1）， 和B）共同的生长衬底（31），其包括产生激光条的步骤（3），具有多个半导体激光二极管的与生长在生长衬底上的半导体叠层（32）（3），C） 和产生所述生长衬底（31）（35）的基板（34）的后表面上的预定的断裂点，衬底的后表面是一个半导体层叠体（32），这是步骤相反，D）激光棒（ 30）的载体缀合物（包括将所述载体顶部（23步）20）中，安装在高温下的安装的步骤，E）的多个半导体激光元件之后进行，冷却（1） 包括两件，步骤B）〜步骤E）的工序表示的顺序 在被执行。
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公开(公告)号：JP2015530755A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015533571
申请日：2013-09-25
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： ジークフリート ヘルマン , ジークフリート ヘルマン , マルム ノーヴィン フォン , マルム ノーヴィン フォン
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、オプトエレクトロニクスコンポーネントおよびオプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法であって、光を発生させるための活性領域を有するプラスにドープされた半導体層(2または3)およびマイナスにドープされた半導体層(3または2)を含む層構造体と、ミラー層(4)とを成長基板上に成長させ、接続層(8)によってキャリア(10)の第1の面に層構造体を固定し、キャリア(10)の第2の面を介して層構造体用の電気コンタクト部を導入し、成長基板を除去する、オプトエレクトロニクスコンポーネントおよびオプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法に関する。【選択図】図16
Abstract translation: 本发明是一种制造光电元件和光电元件的方法，半导体层掺杂正具有用于产生光（2或3）和负掺杂半导体层的有源区（3 或2）的层结构通过连接层（8），其包括反射镜层（4）和生长在生长衬底，层结构上，并固定到所述载体（10）的第一表面，所述载体（10 通过引入对层结构的电接触部分，去除生长衬底，在制造光电元件和光电元件的方法中的第二表面）。 .The 16
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公开(公告)号：JP2015530754A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015533538
申请日：2013-09-19
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： ユルゲン ムースブルガー , ユルゲン ムースブルガー
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L25/50 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、オプトエレクトロニクス部品に関する。本部品は、キャリア(140)と、キャリア(140)の上に配置されている第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ(101)と、第1の半導体チップ(101)の上に配置されており、第1の半導体チップ(101)によって放出された光放射を変換する役割を果たす第1の変換要素(110)と、キャリア(140)の上に配置されている第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ(102)と、第2の半導体チップ(102)の上に配置されており、第2の半導体チップ(102)によって放出された光放射を変換する役割を果たす第2の変換要素(120)と、を備えている。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、キャリア(140)の上に配置されている絶縁材料(150)を備えており、この絶縁材料は、第1および第2の半導体チップ(101;102)と第1および第2の変換要素(110,120)とを囲んでいる。第1の変換要素(110)は、階段状に具体化されており、第1および第2のセクション(111;112)を有し、第1のセクション(111)が横方向に第2のセクション(112)よりも突き出している。さらに、本発明は、このような部品を製造する方法に関する。【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2015527695A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2015518952
申请日：2013-06-10
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： ボリス アイヘンベルグ , ボリス アイヘンベルグ , ユルゲン ホルツ , ユルゲン ホルツ
CPC classification number: H05B33/089 , B60Q1/1415 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H05B33/0827 , H05B33/0845 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 放射を生成する目的で設けられている複数の部品(2)と、複数の行ライン(Z1,Z2)と、複数の列ライン(S1,S2,...,S5)とを備えた照明デバイスを開示する。部品それぞれは行ラインと列ラインとに導電接続されており、この照明デバイスは、少なくとも2つの部品が同時に動作するように設けられている。このような照明デバイスを備えた照明装置と、照明デバイスの動作方法をさらに開示する。
Abstract translation: 提供了用于产生辐射的目的的多个组件（2），所述照明装置包括多个行线（Z1，Z2）中，多条列线（S1，S2，...，S5）和 透露。 部分，每个部分被导电地连接到所述行线和列线，所述照明装置包括设置在至少两个部分，以便同时工作。 配备有这样的照明装置的照明装置，还公开了一种操作照明装置的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015526909A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015529003
申请日：2013-08-28
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： シュテファン イレク , イレク シュテファン , ザバティール マティアス , ザバティール マティアス , シュヴァーツ トーマス , シュヴァーツ トーマス , ヴァルター ヴェークライター , ヴェークライター ヴァルター
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: オプトエレクトロニクス半導体モジュールはオプトエレクトロニクス半導体チップを含んでおり、このオプトエレクトロニクス半導体チップは、上面及び下面を備えている電気絶縁性の成形体に埋設されている。更に成形体にはスルーコンタクトが埋設されており、このスルーコンタクトは成形体の上面と下面との間の導電性の接続部を形成している。成形体の上面には反射性の層が形成されており、この反射性の層は半導体チップの電気的なコンタクトとスルーコンタクトとの間の導電性の接続部を形成している。反射性の層は成形体の上面の少なくとも50%を覆っている。
Abstract translation: 光电子半导体模块包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片被嵌入在电绝缘的模制体包括上表面和下表面。 此外，该模制体被埋入镀通孔，该穿通接触形成模制体的上表面和下表面之间的导电连接。 该成形体的上表面形成有反射层形成，反射层形成的电接触和半导体芯片的通触点之间的导电连接。 反射层覆盖所述紧凑的顶表面的至少50％。
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公开(公告)号：JP2015517173A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2014559157
申请日：2013-02-22
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： ウーヴェ シュトラウス , シュトラウス ウーヴェ
CPC classification number: F21V13/14 , F21S41/16 , F21V7/05 , F21V7/22 , F21V9/16 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02B5/0242 , G02B5/0289 , G02B5/0294 , G02B5/136 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L2933/0091
Abstract: 変換部材(10)を提示する。当該変換部材(10)は、散乱層(12)と、反射層(14)と、前記散乱層(12)と前記反射層(14)との間に配置された変換層(16)とを含んでいる。前記変換層(16)とは反対側にある面から前記散乱層(12)に入射する一次ビーム(18)の第1の成分(20)を前記変換層(16)に通過させ、前記散乱層(12)に入射する前記一次ビーム(18)の第2の成分(22)を、前記散乱層(12)の、前記変換層(16)とは反対側にある面に向かって散乱させるように、前記散乱層(12)は構成されている。前記変換層(16)は少なくとも1つの変換手段(25)を含んでいる。前記一次ビーム(18)の前記第1の成分の少なくとも一部を前記一次ビーム(18)の波長とは異なる、より長い波長を有する二次ビーム(19)に変換するように、前記変換手段は構成されている。前記反射層(14)は、少なくとも前記二次ビーム(19)を反射する作用を有している。
Abstract translation: 呈现转换构件（10）。 所述转换部件（10）包含与散射层（12），反射层（14），所述散射层（12）和设置在所述（14）之间的反射层转换层和（16） 他们都出来了。 转换层（16）通过主光束的第一分量通过（18）入射到所述从上在转换层（16）的相对侧（12）和（20）的表面散射层，所述散射层 主光束入射（12）（18）（22）的所述第二部件，所述散射层（12），以便朝向杆面散射的相反侧到转换层（16） 散射层（12）被配置。 转换层（16）包含至少一个转换装置（25）。 从第一的主梁（18）的波长至少部分地在主光束分量（18），向二次光束（19）转换具有较长波长，并且所述转换装置的不同 它被配置。 反射层（14）具有至少反射第二光束（19）的函数。
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公开(公告)号：JP2015515757A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2015504910
申请日：2013-04-05
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： シュミットケ キャシー , シュミットケ キャシー , ブラウネ ベアト , ブラウネ ベアト , クルッパ ミヒャエル , クルッパ ミヒャエル
IPC: H01L33/56 , C08K9/04 , C08L101/00
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/395 , C08G79/04 , C08K3/36 , C08K5/52 , C08K5/5317 , C08K5/5333 , C08K5/5406 , C08K5/56 , C08K2003/2227 , C08K2003/2241 , C09C1/3607 , C09C1/3653 , C09C1/3669 , C09C1/3676 , C09C1/407 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0075 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 放射線を発する素子に関する。少なくとも1つの本願の実施態様の場合に、放射線を発する素子は、放射源(10)及びこの素子の光路中に配置された、ポリマー材料(PM)と充填材粒子(60)とを有する透明材料(50)を有する。この充填材粒子(60)は、無機充填材料(F)及びその表面に結合したホスホン酸誘導体又はリン酸誘導体(65)を有し、このホスホン酸誘導体又はリン酸誘導体を介して充填材粒子(60)はポリマー材料(PM)と架橋されている。
Abstract translation: 辐射与发出的元素。 透明材料具有本实施例中的至少一个，该发射辐射元件，设置在所述辐射源（10）的路径，并且该元件的情况下，聚合物材料（PM）和填充物颗粒及（60） 用（50）。 所述填料颗粒（60），无机填充材料（F），并具有结合至表面（65）膦酸衍生物或磷酸衍生物，经由膦酸衍生物或磷酸衍生物的填料颗粒（ 60）它是交联的与聚合材料（PM）。
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公开(公告)号：JP2015513770A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：JP2014560322
申请日：2013-03-04
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
CPC classification number: H01L33/486 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: オプトエレクトロニクスモジュール(100)であって、電磁放射を放出する目的で設けられている少なくとも1つの半導体チップ(10)と、オプトエレクトロニクスモジュール(100)の少なくとも1つの光学パラメータまたは電子パラメータを符号化するコンポーネント(50)を所定の位置に固定するように設計されている少なくとも1つの保持装置(20)と、を備えているオプトエレクトロニクスモジュール(100)、を開示する。さらに、オプトエレクトロニクスモジュール(100)の製造方法を開示する。
Abstract translation: 甲光电模块（100），以及至少一个半导体芯片提供了一种用于发射电磁辐射（10），编码至少一个光学参数或光电模块的电子参数的目的（100） 部件（50）的光电模块，其包括至少一个夹持装置被设计成固定到一个预定位置（20），（100），公开了。 进一步公开了一种制造的光电子模块（100）的方法。
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公开(公告)号：JP2015511758A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2014561346
申请日：2013-02-20
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： シュテファン イレック , シュテファン イレック , マティアス サバシル , マティアス サバシル , アレクサンダー リンコフ , アレクサンダー リンコフ , トーマス ブライヒアー , トーマス ブライヒアー , マルム ノーヴィン フォン , マルム ノーヴィン フォン , ヴォルフガング メンヒ , ヴォルフガング メンヒ
CPC classification number: H01L33/58 , F21Y2101/00 , F21Y2105/00 , F21Y2115/10 , G02B6/0015 , G02B6/0018 , G02B6/0025 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F1/133611 , G02F1/133615 , G02F2001/133607 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 少なくとも一実施形態においては、面光源(1)は、一次放射(P)を生成するための、放射主面(20)を有する1つまたは複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)を備えている。半導体チップ(2)の主放出方向(x)に沿って放射主面(20)の下流に散乱体(3)が配置されている。散乱体(3)は、一次放射(P)を散乱させるように設計されている。散乱体(3)の主放出方向(y)は、半導体チップ(2)の主放出方向(x)に対して斜めの向きにある。
Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）被用于产生一个初级辐射（P），一个或多个具有辐射主表面（20）的光电子半导体芯片的设置有（2）。 沿半导体芯片（2）（X）（3）设置的主发射方向下游散射辐射主表面（20）。 散射体（3）它被设计，以便散射初级辐射（P）。 散射体（3）（Y）的主发射方向是倾斜方向相对于所述半导体芯片（2）的主排放方向（x）。
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