公开(公告)号：TWI590325B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW103111991

申请日：2014-03-31

Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 速水利泰 ,  HAYAMI, TOSHIHIRO ,  宮崎俊也 ,  MIYAZAKI, TOSHIYA

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：TWI537414B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW101119595

申请日：2012-05-31

Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 村上彰一 ,  MURAKAMI, SHOICHI ,  畑下晶保 ,  HATASHITA, MASAYASU

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TW201537633A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103111990

申请日：2014-03-31

Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 速水利泰 ,  HAYAMI, TOSHIHIRO ,  藤井竜介 ,  FUJII, RYOSUKE

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一種使用小型發熱體且加熱效率良好之加熱裝置，以及包含該裝置之一電漿處理裝置。該電漿處理裝置1包括：由設置於上方之一電漿源區域3a以及設置於下方之一處理空間4a所構成之一處理腔體2、用於載置一基板K設置於該處理空間4a內之一基台9、供應處理氣體至該電漿源區域3a內之一處理氣體供應機構7、以高頻電源將供應至電漿源區域3a之處理氣體電漿化之一電漿生成部5、供應高頻電源至電漿生成部5之一電漿生成用高頻電源6以及一加熱裝置13等所構成。該加熱裝置13，係由包含一導體且該導體之電阻率ρ〔Ω．m〕與磁導率μ〔H/m〕之乘積ρ．μ〔Ω．H〕達8.0×10-13以上之一發熱體14、供應高頻電源至發熱體14之一加熱用高頻電源16等所構成。該發熱體14係埋設於絶緣體15中，並附設於基台9內。

Abstract in simplified Chinese: 一种使用小型发热体且加热效率良好之加热设备，以及包含该设备之一等离子处理设备。该等离子处理设备1包括：由设置于上方之一等离子源区域3a以及设置于下方之一处理空间4a所构成之一处理腔体2、用于载置一基板K设置于该处理空间4a内之一基台9、供应处理气体至该等离子源区域3a内之一处理气体供应机构7、以高频电源将供应至等离子源区域3a之处理气体等离子化之一等离子生成部5、供应高频电源至等离子生成部5之一等离子生成用高频电源6以及一加热设备13等所构成。该加热设备13，系由包含一导体且该导体之电阻率ρ〔Ω．m〕与磁导率μ〔H/m〕之乘积ρ．μ〔Ω．H〕达8.0×10-13以上之一发热体14、供应高频电源至发热体14之一加热用高频电源16等所构成。该发热体14系埋设于绝缘体15中，并附设于基台9内。

公开(公告)号：TW201537609A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103111739

申请日：2014-03-28

Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 速水利泰 ,  HAYAMI, TOSHIHIRO ,  宮崎俊也 ,  MIYAZAKI, TOSHIYA

IPC: H01J37/32

Abstract: 電漿蝕刻裝置具備有：處理空間；腔室，其設定有電漿生成空間4；及線圈20，其係捲繞於處理腔室；而線圈20係連續地形成有6個內側突出部21及5個外側突出部22，該6個內側突出部21係較處理腔室2中被設定於與電漿生成空間4對應之部分外側的節距圓P更朝直徑方向內側突出，該5個外側突出部22係較上述節距圓P更朝直徑方向外側突出，且上述6個內側突出部21、5個外側突出部22及電力導入部20a、20b之間的間隙部分，係沿著節距圓P之圓周方向交替地且等間隔地配置。

Abstract in simplified Chinese: 等离子蚀刻设备具备有：处理空间；腔室，其设置有等离子生成空间4；及线圈20，其系卷绕于处理腔室；而线圈20系连续地形成有6个内侧突出部21及5个外侧突出部22，该6个内侧突出部21系较处理腔室2中被设置于与等离子生成空间4对应之部分外侧的节距圆P更朝直径方向内侧突出，该5个外侧突出部22系较上述节距圆P更朝直径方向外侧突出，且上述6个内侧突出部21、5个外侧突出部22及电力导入部20a、20b之间的间隙部分，系沿着节距圆P之圆周方向交替地且等间隔地配置。

公开(公告)号：TWI649777B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：TW104103407

申请日：2015-02-02

Applicant: 日商SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 速水利泰 ,  HAYAMI, TOSHIHIRO ,  富阪賢一 ,  TOMISAKA, KENICHI

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：TW201732072A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105107525

申请日：2016-03-11

Applicant: 大陽日酸股份有限公司 ,  TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION ,  SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 髙洋志 ,  TAKA, HIROSHI ,  山脇正也 ,  YAMAWAKI, MASAYA ,  村上彰一 ,  MURAKAMI, SHOICHI ,  畑下晶保 ,  HATASHITA, MASAYASU

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種氮化矽膜之製造方法，該氮化矽膜係在經控制於250℃以下的基板上，具有高氫氟酸耐性、高耐濕性、及適當的內部應力，本發明提供一種氮化矽膜30之製造方法，該製造方法是將有機矽烷氣當作原料氣體，在溫度250℃以下的基板20上，藉由電漿化學氣相沉積法而製造具有特定之氫氟酸耐性、耐濕性及內部應力之氮化矽膜30，其中，相對於1體積流量之有機矽烷氣，使用200至2000體積流量之添加有氫還原氣的處理氣體，將已收容有基板20之處理室40內的壓力調整到35至400Pa的範圍內，將對設置在處理室40內的電極施加之高頻電力密度調整到0.2至3.5W/cm2之範圍內。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种氮化硅膜之制造方法，该氮化硅膜系在经控制于250℃以下的基板上，具有高氢氟酸耐性、高耐湿性、及适当的内部应力，本发明提供一种氮化硅膜30之制造方法，该制造方法是将有机硅烷气当作原料气体，在温度250℃以下的基板20上，借由等离子化学气相沉积法而制造具有特定之氢氟酸耐性、耐湿性及内部应力之氮化硅膜30，其中，相对于1体积流量之有机硅烷气，使用200至2000体积流量之添加有氢还原气的处理气体，将已收容有基板20之处理室40内的压力调整到35至400Pa的范围内，将对设置在处理室40内的电极施加之高频电力密度调整到0.2至3.5W/cm2之范围内。

公开(公告)号：TW201537634A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103111991

申请日：2014-03-31

Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： 速水利泰 ,  HAYAMI, TOSHIHIRO ,  宮崎俊也 ,  MIYAZAKI, TOSHIYA

IPC: H01L21/3065

Abstract: 包括一處理腔體2，由一下殼體5及一上殼體6等構成。該處理腔體2內，由供應處理氣體之一處理氣體供應機構15、設置於該上殼體外側之一線圈20、供應高頻電源至該線圈20之一線圈電源供應機構25、載置一基板K所需之一基台30等構成。該上殼體6之內部空間，設定為一電漿源區域4，該上殼體6內徑為20mm以上且50mm以下。並透過頻率供應40MHz以上且100MHz以下，且功率大小為2W以上且50W以下之高頻電源至該線圈20，使該電漿源區域4內之處理氣體電漿化。

Abstract in simplified Chinese: 包括一处理腔体2，由一下壳体5及一上壳体6等构成。该处理腔体2内，由供应处理气体之一处理气体供应机构15、设置于该上壳体外侧之一线圈20、供应高频电源至该线圈20之一线圈电源供应机构25、载置一基板K所需之一基台30等构成。该上壳体6之内部空间，设置为一等离子源区域4，该上壳体6内径为20mm以上且50mm以下。并透过频率供应40MHz以上且100MHz以下，且功率大小为2W以上且50W以下之高频电源至该线圈20，使该等离子源区域4内之处理气体等离子化。

公开(公告)号：JP2014067841A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：JP2012211648

申请日：2012-09-26

Applicant: Spp Technologies Co Ltd ,  Sppテクノロジーズ株式会社

Inventor： TOMISAKA KENICHI

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating structure of a chamber capable of equalizing the temperature of a wall material constituting the chamber and consequently the temperature inside the chamber.SOLUTION: The chamber heating structure 200 comprises a heater 7 positioned on a wall material 12 constituting a chamber 1, a heater fixing member 8 for fixing the heater on the wall material and a high thermal conductive metallic foil 14 positioned between the wall material and the heater. The metallic foil is formed so that its surface becomes wrinkled by creping. The heater fixing member fixes the heater on the wall material in a state that the heater is pressed against the wall material until at least one part of the wrinkles on the surface of the metallic foil becomes deformed.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够使构成室的壁材料的温度均匀的室的加热结构，从而提供室内的温度。解决方案：室加热结构200包括位于壁材料12上的加热器7 构成室1，用于将加热器固定在壁材料上的加热器固定构件8和位于壁材料和加热器之间的高导热金属箔14。 金属箔形成为使其表面起皱起皱。 加热器固定部件在将加热器压靠在墙壁材料上的状态下将加热器固定在壁材料上，直到金属箔表面的至少一部分皱纹发生变形。

公开(公告)号：JP2014017497A

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：JP2013171099

申请日：2013-08-21

Applicant: Spp Technologies Co Ltd ,  Sppテクノロジーズ株式会社

Inventor： OISHI AKIMITSU ,  MURAKAMI SHOICHI

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate manufacturing method which can prevent etching into a lower electrode exposed by extended etching on a ferroelectric film when plasma etching a substrate including a structure in which a ferroelectric film composed of an oxide is sandwiched by an upper electrode film and a lower electrode film.SOLUTION: In a substrate manufacturing method, a mask formation process of forming an upper electrode film 54 into a mask pattern having a predetermined shape and a ferroelectric film etching process of plasma etching a ferroelectric film 53 by application of bias potential until a lower electrode film 52 is exposed by using a fluorocarbon gas as an etching gas and an upper electrode film 54 itself as a mask are sequentially performed. In the ferroelectric film etching process, the ferroelectric film 53 is etched while preventing by oxygen atoms generated by etching of the ferroelectric film 53, a polymer substance generated by plasma produced from the fluorocarbon gas from depositing on a bottom face of an etching processing part.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基板制造方法，其可以防止在等离子体蚀刻含有由氧化物构成的铁电体被上部电极夹持的结构的基板上时对强电介质膜进行延长蚀刻而露出的下部电极的蚀刻 膜和下电极膜。解决方案：在基板制造方法中，将上电极膜54形成为具有预定形状的掩模图案的掩模形成工艺和通过施加等离子体蚀刻铁电体膜53的铁电膜蚀刻工艺 通过使用碳氟化合物气体作为蚀刻气体而暴露下部电极膜52，并且依次进行上部电极膜54本身作为掩模。 在铁电膜蚀刻工艺中，在通过蚀刻强电介质膜53产生的氧原子防止强电介质膜53被蚀刻，由在碳化硅气体中产生的等离子体产生的聚合物物质沉积在蚀刻处理部分的底面上。

公开(公告)号：JP2013045933A

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：JP2011183502

申请日：2011-08-25

Applicant: Spp Technologies Co Ltd ,  Sppテクノロジーズ株式会社

Inventor： TAKAO KOICHI ,  FUJIWARA YUKI ,  IKEMOTO NAOYA

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure quicker restoration from a power saving mode than a conventional apparatus and achieve excellent substrate processing after restoration.SOLUTION: A plasma substrate processing apparatus processing a substrate in a processing chamber 11 by plasma, comprises: the processing chamber 11; a gas supply unit 20 supplying a processing gas to inside the processing chamber 11; a plasma production part 25 producing plasma from the processing gas supplied to inside the processing chamber 11; heaters 14a, 14b heating the processing chamber 11; and a control unit 40. The control unit 40 includes: a power saving mode execution part 47 causing power supply to the heaters 14a, 14b to be in a reduced or stopped state and causing power supply to the plasma production part 25 to be in a stopped state; and a restoration mode execution part 48 restoring power supply to the heaters 14a, 14b and causing power to be supplied to the plasma production part 25 to raise an internal temperature of the processing chamber 11 to a temperature suitable for substrate processing.

Abstract translation: 要解决的问题：确保从省电模式比常规设备更快地恢复，并且在恢复之后实现优异的基板处理。 解决方案：通过等离子体处理处理室11中的基板的等离子体基板处理装置包括：处理室11; 将处理气体供给到处理室11内部的气体供给单元20; 从供给到处理室11内部的处理气体产生等离子体的等离子体生成部25; 加热器14a，14b加热处理室11; 以及控制单元40.控制单元40包括：功率节省模式执行部分47，使得加热器14a，14b的电力供应处于减小或停止状态，并且使得等离子体产生部分25的电力供应到 停止状态 以及恢复模式执行部分48，恢复对加热器14a，14b的电力供应，并且向等离子体产生部分25提供电力，以将处理室11的内部温度升高到适合于基板处理的温度。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT