公开(公告)号：WO2007038971A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：PCT/EP2005/011642

申请日：2005-09-20

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. ,  LE CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  BUTTET, De Come ,  HEHN, Michel ,  ZOLL, Stephane

Inventor： BUTTET, De Come ,  HEHN, Michel ,  ZOLL, Stephane

IPC: G11C11/16

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307

Abstract: A Spin-Dependent Tunnelling (SDT) cell (5) comprises a first barrier layer (16) of a first material and a second barrier layer (18) of a second material sandwiched between a first ferromagnetic layer (14) and a second ferromagnetic layer (20). The first and second barrier layers (16, 18) are formed to a combined thicknesses so that Tunnelling Magnetoresistance versus voltage characteristic (24) of the cell (5) has a maximum (28) at a non-zero bias voltage.

Abstract translation: 旋转依赖隧道（SDT）单元（5）包括第一材料的第一阻挡层（16）和夹在第一铁磁层（14）和第二铁磁层（14）之间的第二材料的第二阻挡层（18） （20）。 第一和第二阻挡层（16,18）形成为组合的厚度，使得电池（5）的隧道磁阻对电压特性（24）在非零偏置电压下具有最大值（28）。

公开(公告)号：WO2013140094A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/FR2013/050598

申请日：2013-03-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  MERMOZ, Sébastien ,  SANCHEZ, Loïc

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (32, 50) sur un support (19, 43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément (10) sur le support (19, 43) ainsi qu'un dispositif correpondant. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support (19, 43), une couche (28, 48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement (30, 44) du plot d'assemblage (32, 50), la couche (28, 48) ayant une épaisseur supérieure à 10 nm; et (b) exposer la couche (28, 48) et l'emplacement (30, 44) à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage (32, 50) audit emplacement (30, 44), une goutte de liquide (16) ayant un angle de contact statique sur le plot d'assemblage (32, 50) inférieur ou égal à 15°, la goutte de liquide (16) ayant, après l'étape (b), un angle de contact statique sur la couche (28, 48) supérieur ou égal à 100°.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在支撑件（19,43）上制造至少一个衬垫组件（32,50）的方法，所述衬垫组件旨在实现用于自组装支撑件（19,43）上的至少一个元件（10）的方法 ）和相应的设备。 制造方法包括以下连续步骤：（a）在支撑件（19,43）上形成围绕垫组件（32,44）的位置（30,44）的至少一种氟化材料的层（28,48） ，50），所述层（28,48）具有大于10nm的厚度; 和（b）在存在臭氧的情况下将层（28,48）和位置（30,44）暴露于紫外线处理，以在所述位置（30,44）处形成焊盘组件（32,50） 在所述焊盘组件（32,50）上具有小于或等于15°的静态接触角的液体（16）在步骤（b）之后具有在所述层上的静态接触角的液体（16） 28，48）大于或等于100°。

公开(公告)号：WO2013120869A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/EP2013/052815

申请日：2013-02-13

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： OLLIER, Emmanuel ,  MONFRAY, Stéphane ,  SKOTNICKI, Thomas ,  SOUPREMANIEN, Ulrich

IPC: H02N2/18

CPC classification number: H02N2/185 ,  H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H02N2/18

Abstract: Dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant des cellules (C1, C2) comprenant : - une cavité (2) dont une paroi (2.1) est destinée à être en contact avec une source de chaleur (SC); - une cavité (4) dont une paroi (4.1) est destinée à être en contact avec une source froide (SF); - un canal primaire (6) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant un fluide sous forme de gouttes liquides, le canal primaire comportant des moyens assurant le transport de gouttes de fluide liquide de la cavité (4) vers la cavité (2); - au moins un canal secondaire (8) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant le fluide sous forme de gaz; - un matériau piézoélectrique (10) disposé dans l'une des (2) et (4) cavités; - un fluide sous forme liquide et gazeuse confiné dans la cellule.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将热能转换为电能的装置，包括：电池（C1，C2），包括：空腔（2），其壁（2.1）将与热源（SC）接触; 空腔（4），其壁（4.1）将与冷源（SF）接触; 在空腔（2）和空腔（4）之间的主要通道（6），其传送液滴形式的流体，主通道包括用于将液体流体的液体从空腔（4）输送到 空腔（2）; 在空腔（2）和空腔（4）之间的至少一个辅助通道（8），其以气体的形式传送流体; 布置在空腔（2）和（4）之一中的压电材料（10）; 以及限制在电池中的液体和气体形式的流体。

公开(公告)号：WO2012168592A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/FR2012/050618

申请日：2012-03-26

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  SKOTNICKI, Thomas

Inventor： SKOTNICKI, Thomas

IPC: H01L41/113 ,  F03G7/06

CPC classification number: H02N11/002 ,  F03G7/065 ,  H01L41/113 ,  H01L41/1134 ,  H01L41/183 ,  H02N2/18

Abstract: L'invention concerneun convertisseur thermo-mécano-électrique comprenant une pluralité d'éléments bistables à mémoire de forme (1) noyés dans un matériau élastique (10) solidaire d'un matériau piézoélectrique.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子机械转换器，其包括嵌入在弹性材料（10）中的多个双稳态形状存储元件（1），其牢固地紧固到压电材料上。

公开(公告)号：WO2011089178A2

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/EP2011/050739

申请日：2011-01-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  CREMER, Sébastien ,  LALANNE, Frédéric ,  VERNET, Marc

Inventor： CREMER, Sébastien ,  LALANNE, Frédéric ,  VERNET, Marc

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10882 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4094 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type DRAM (DM) comportant au moins un point-mémoire (CEL) incluant un transistor (TR) possédant une première électrode (E1), une deuxième électrode (E2) et une électrode de commande (EC), et un condensateur (CDS) couplé à ladite première électrode, et au moins une première ligne électriquement conductrice (BLT, BLC) couplée à la deuxième électrode et au moins une deuxième ligne électriquement conductrice (WL) couplée à l' électrode de commande, lesdites lignes électriquement conductrices (BLT, BLC, WL) étant disposées entre le transistor (TR) et le condensateur (CDS).

Abstract translation: 集成电路包括DRAM存储器件（DM），其包括至少一个包括具有第一电极（E1），第二电极（E2）和控制电极（EC））的晶体管（TR）的存储单元（CEL） 耦合到所述第一电极的电容器（CDS）和耦合到所述第二电极的至少一个导电线（BLT，BLC）和耦合到所述控制电极的至少一个第二导电线（WL），所述导电线 ，BLC，WL）位于晶体管（TR）和电容器（CDS）之间。

公开(公告)号：WO2009050379A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/FR2008/051717

申请日：2008-09-26

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  HALIMAOUI, Aomar ,  BENSAHEL, Daniel

Inventor： HALIMAOUI, Aomar ,  BENSAHEL, Daniel

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/76262 ,  H01L21/764

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de silicium (11) s'étendant sur une couche isolante, comprenant les étapes suivantes: former une couche de silicium-germanium sur au moins une portion d'une tranche de silicium (1); transformer des parties de la couche de silicium-germanium en plots (9) de silicium poreux; faire croître une couche de silicium monocristallin (11) sur la couche de silicium-germanium et sur les plots de silicium poreux (9); éliminer la couche de silicium-germanium; oxyder les plots de silicium poreux (9); et déposer un matériau isolant sous la couche de silicium (11).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在绝缘层上延伸的硅层（11）的方法，其包括以下步骤：在硅晶片（1）的至少一部分上形成硅 - 锗层; 将硅 - 锗层的部分转变成多孔硅垫（9）; 在硅 - 锗层和多孔硅垫（9）上生长单晶硅层（11）; 去除硅 - 锗层; 氧化多孔硅垫（9）; 以及在所述硅层（11）上沉积绝缘材料。

公开(公告)号：WO2006079765A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：PCT/FR2006/050078

申请日：2006-01-31

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  STMICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  ABELE, Nicolas ,  ANCEY, Pascal ,  TALBOT, Alexandre ,  SEGUENI, Karim ,  BOUCHE, Guillaume ,  SKOTNICKI, Thomas ,  MONFRAY, Stéphane ,  CASSET, Fabrice

Inventor： ABELE, Nicolas ,  ANCEY, Pascal ,  TALBOT, Alexandre ,  SEGUENI, Karim ,  BOUCHE, Guillaume ,  SKOTNICKI, Thomas ,  MONFRAY, Stéphane ,  CASSET, Fabrice

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H9/2405 ,  H03H3/0072 ,  H03H2009/02496

Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.

Abstract translation: 本发明涉及一种微谐振器，其包括由单晶硅制成的谐振元件（160）和位于靠近谐振元件的至少一个激活电极（120,121），由此将谐振元件放置在 覆盖衬底（110）的半导体层（110），所述激活电极以所述开口形成在半导体层级中。

公开(公告)号：WO2006037927A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/FR2005/050812

申请日：2005-10-05

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  MÜLLER, Markus ,  FROMENT, Benoît

Inventor： MÜLLER, Markus ,  FROMENT, Benoît

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28026 ,  H01L29/665

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS dont la grille comprend successivement une couche isolante (31), une couche d'un siliciure métallique (50), une couche d'un matériau conducteur d'encapsulation (53), et une couche de silicium polycristallin (55).

Abstract translation: 本发明涉及一种MOS晶体管，其栅极依次包括绝缘层（31），金属硅化物层（50），封装导电材料层（53）和多晶硅层（55）。

公开(公告)号：WO2006008356A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/FR2005/001400

申请日：2005-06-07

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  HALIMAOUI, Aomar ,  EL FARHANE, Rebha ,  FROMENT, Benoît

Inventor： HALIMAOUI, Aomar ,  EL FARHANE, Rebha ,  FROMENT, Benoît

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: La présente invention concerne un circuit intégré (CI) comprenant au moins un condensateur à électrodes métalliques dont une au moins des électrodes (10 ou 30) est formée de silicium ou d'un alliage de silicium à grains hémisphériques siliciuré au moins en surface. La présente invention concerne également un procédé de fabrication permettant d'obtenir un tel condensateur à électrodes métalliques siliciurées.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路（IC），其包括具有金属电极的至少一个电容器，由此所述电极（10或30）中的至少一个由硅或具有半球形晶粒的硅合金制成，并至少在表面上被硅化 它们。 本发明还涉及一种可用于获得一种这种具有硅化金属电极的电容器的制造方法。

公开(公告)号：WO2005078785A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/FR2005/000318

申请日：2005-02-10

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  REGNIER, Christophe ,  HUMBERT, Aurélie

Inventor： REGNIER, Christophe ,  HUMBERT, Aurélie

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/764 ,  H01L28/40

Abstract: Un procédé de réalisation d’un circuit électronique intégré comprend la formation, sur un substrat (100) dont une partie est en matériau absorbant, d’une portion (1) d’un matériau temporaire. Le matériau temporaire comprend du cobalt, du nickel, du titane, du tantale, du tungstène, du molybdène, du gallium, de l’indium, de l’argent, de l’or, du fer et/ou du chrome. Une portion rigide (3, 4) est formée en contact fixe avec le substrat, d’un côté de la portion de matériau temporaire (1) opposé à la partie du substrat en matériau absorbant. Le circuit est chauffé de sorte que le matériau temporaire est absorbé dans la partie du substrat en matériau absorbant. Un volume sensiblement vide (V) est ainsi créé à la place de la portion de matériau temporaire (1). Ledit volume sensiblement vide peut remplacer un matériau diélectrique situé entre des armatures d’un condensateur.

Abstract translation: 一种用于形成集成电子电路的方法包括在基板（100）上形成临时材料的一部分（1），其中一部分由吸收材料制成。 临时材料包括钴，镍，钛，钽，钨，钼，镓，铟，银，金，铁和/或铬。 从临时材料（1）的与吸收材料制成的基板的一部分相对的部分的一侧，与基板形成固定接触的刚性部分（3,4）。 电路被加热，使得临时材料被吸收到由吸收材料制成的基底的部分中。 因此，在临时材料（1）的部分的位置处产生基本上空的体积（V）。 基本上空的体积可以替代位于电容器的增强件之间的介电材料。