具有增進之後沉積加工過程的電化學製造方法 ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS WITH ENHANCED POST DEPOSITION PROCESSING
    42.
    发明专利
    具有增進之後沉積加工過程的電化學製造方法 ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS WITH ENHANCED POST DEPOSITION PROCESSING 失效
    具有增进之后沉积加工过程的电化学制造方法 ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS WITH ENHANCED POST DEPOSITION PROCESSING

    公开(公告)号:TWI280992B

    公开(公告)日:2007-05-11

    申请号:TW093112899

    申请日:2004-05-07

    IPC: C25D

    CPC classification number: C25D5/022 C25D1/003

    Abstract: 一種用來由多數黏接層製成3D結構的電化學製造方法,其中各層皆包含至少一結構材料(如鎳或鎳合金),及至少一犧牲材料(如銅)其將會在所有各層製成之後被由該結構材料蝕刻去除。一蝕刻劑包含亞氯酸鹽(如Enthone C-38)會混合一浸蝕抑制劑(如硝酸鈉),俾在除去犧牲材料時來防止結構材料的點蝕。一用來乾燥被蝕刻的結構而不會於該乾燥過程令表面黏附在一起的簡單方法係,在蝕刻之後將該結構浸於水中,嗣再浸入酒精中,然後將該結構置入一爐內來乾燥。

    Abstract in simplified Chinese: 一种用来由多数黏接层制成3D结构的电化学制造方法,其中各层皆包含至少一结构材料(如镍或镍合金),及至少一牺牲材料(如铜)其将会在所有各层制成之后被由该结构材料蚀刻去除。一蚀刻剂包含亚氯酸盐(如Enthone C-38)会混合一浸蚀抑制剂(如硝酸钠),俾在除去牺牲材料时来防止结构材料的点蚀。一用来干燥被蚀刻的结构而不会于该干燥过程令表面黏附在一起的简单方法系,在蚀刻之后将该结构浸于水中,嗣再浸入酒精中,然后将该结构置入一炉内来干燥。

    重金屬複合物之雙放射二分體以作為有機發光裝置之寬頻放射器 DUAL EMITTING DYADS OF HEAVY METAL COMPLEXES AS BROAD BAND EMITTERS FOR ORGANIC LEDS
    45.
    发明专利
    重金屬複合物之雙放射二分體以作為有機發光裝置之寬頻放射器 DUAL EMITTING DYADS OF HEAVY METAL COMPLEXES AS BROAD BAND EMITTERS FOR ORGANIC LEDS 审中-公开
    重金属复合物之双放射二分体以作为有机发光设备之宽带放射器 DUAL EMITTING DYADS OF HEAVY METAL COMPLEXES AS BROAD BAND EMITTERS FOR ORGANIC LEDS

    公开(公告)号:TW200600564A

    公开(公告)日:2006-01-01

    申请号:TW094102030

    申请日:2005-01-24

    IPC: C09K H05B

    Abstract: 本發明係提供一種有機發光裝置。該裝置具有一陽極,一陰極和一介於該陽極和陰極之間且電連接至該陽極和陰極的發射層。該發射層進一步包括具有兩個金屬中心的化合物,其中每一金屬的原子重量大於40。橋配位子,小分子,或聚合物係和該兩金屬中心配位,並且至少一個光活性配位子係與每個金屬鍵結。本發明具體實施例中,與該第一金屬鍵結之光活性配位子的轉移偶極矩係正交於和第二金屬鍵結的光活性配位子。在本發明另一具體實施例中,第一金屬中心和與第一金屬中心配位之橋配位子的原子形成一個平面,並且和與第二金屬中心配位之橋配位子的原子形成另一平面,而該等平面間所形成的角度介於約80度和100度間。在本發明又一具體實施例中,該橋配位子為二乙醯基丙酮酸酯。在本發明另一具體實施例中,聚合物或小分子係與兩金屬配位,並且之於第一金屬中心的金屬–配位子複合物係有別於之於第二金屬中心的金屬–配位子複合物。094102030-p01.bmp094102030-p02.bmp

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种有机发光设备。该设备具有一阳极,一阴极和一介于该阳极和阴极之间且电连接至该阳极和阴极的发射层。该发射层进一步包括具有两个金属中心的化合物,其中每一金属的原子重量大于40。桥配位子,小分子,或聚合物系和该两金属中心配位,并且至少一个光活性配位子系与每个金属键结。本发明具体实施例中,与该第一金属键结之光活性配位子的转移偶极矩系正交于和第二金属键结的光活性配位子。在本发明另一具体实施例中,第一金属中心和与第一金属中心配位之桥配位子的原子形成一个平面,并且和与第二金属中心配位之桥配位子的原子形成另一平面,而该等平面间所形成的角度介于约80度和100度间。在本发明又一具体实施例中,该桥配位子为二乙酰基丙酮酸酯。在本发明另一具体实施例中,聚合物或小分子系与两金属配位,并且之于第一金属中心的金属–配位子复合物系有别于之于第二金属中心的金属–配位子复合物。094102030-p01.bmp094102030-p02.bmp

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