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公开(公告)号：KR101492891B1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130076981
申请日：2013-07-02
Applicant: (주) 파루
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
Abstract: 인쇄공정을 이용한 플렉시블 CMOS 형태의 저전압용 구동 집적 회로 제조 방법 및 이를 이용한 RFID 태그가 개시된다. 본 발명의 집적회로 제조방법은 인쇄방법을 사용하여 p형 단일벽 탄소나노튜브(SWNT;Single-wall Nanotube) 기반 트랜지스터(TR;transistor)를 인쇄한 다음, 인쇄된 SWNT 기반 TR의 표면에 전구체와 올리고머가 용해된 N형 도핑 잉크를 사용하여 트랜지스터 채널에 중첩 인쇄하여 소정의 P형 SWNT 기반 TR을 N형 SWNT 기반 트랜지스터로 전환하여 CMOS(Complementary metal oxide semiconductor)형태의 트랜지스터로 변환하여 구성함으로써, 기존 Si에 기반한 스마트폰 및 그 외의 이동식 단말기와 상호 감응이 가능하도록 하여 RFID 및 USN 분야를 실제적으로 모든 생활과 산업에 활용할 수 있도록 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101487443B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130071389
申请日：2013-06-21
Applicant: (주) 파루
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 유전막 표면 개질용 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트전극과 상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 인쇄된 유전체층과, 상기 인쇄된 유전체층의 상부에 연속으로 R2R 그라비아 공정을 이용해 인쇄된 표면개질제로 구성된 자기조립분자막(Self-assembled monolayer: SAM)과, 상기 SAM의 상부에 인쇄된 탄소나노튜브층(Carbon nanotube)으로 구성된 활성층(SWNT;Single-Wall ), 및 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여 유전막 표면 개질용 트랜지스터를 구성함으로써, 유전막 표면 개질을 통한 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140116250A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：KR1020130029300
申请日：2013-03-19
Applicant: (주) 파루
Abstract: The present invention relates to a core cell using conductive ink and an apparatus for manufacturing the same and, more specifically, to a core cell using conductive ink which uses a roll-to-roll gravure printing method capable of a continuous process to be able to manufacture the core cell having the uniform depth, mesh point, and number of lines, and having various sizes; and to an apparatus for manufacturing the same.
Abstract translation: 本发明涉及使用导电油墨的芯电池及其制造装置，更具体地说，涉及一种使用导辊油墨的芯电池，其使用能够连续工艺的卷对卷凹版印刷方法， 制造具有均匀深度，网点和线数的核心单元，并具有各种尺寸; 以及制造该装置的装置。
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公开(公告)号：KR101433638B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130051210
申请日：2013-05-07
Applicant: (주) 파루
IPC: G06K19/07 , G06K19/077
CPC classification number: G06K19/022 , G06K19/07718 , G06K19/07773 , H05K1/09
Abstract: Disclosed are a method to manufacture an RFID tag for a low voltage and the RFID tag using the same. The method of manufacturing the RFID tag for a low voltage having a predetermined memory capacity is by firstly to print out a transistor (TR) based on a P-type single-wall carbon nanotube (SWNT) on a flexible film substrate; and then to print out an RFID tag circuit of a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) type by switching a predetermined P-type TR to an N-type SWNT-based transistor by using an N-doping ink on the surface, thereby enabling to manufacture the RFID tag for a 4-96 bit low-voltage capable of driving a DC 5V.
Abstract translation: 公开了一种制造低电压RFID标签的方法和使用其的RFID标签。 制造具有预定存储容量的低电压的RFID标签的方法是首先在柔性膜基板上印刷基于P型单壁碳纳米管（SWNT）的晶体管（TR）; 然后通过在表面上使用N掺杂油墨将预定的P型TR切换到N型SWNT基晶体管，从而打印互补金属氧化物半导体（CMOS）型的RFID标签电路，从而能够 制造能够驱动DC 5V的4-96位低电压的RFID标签。
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