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公开(公告)号：CN101140802B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710149028.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 在相变随机访问存储器(PRAM)设备中，利用多个编程循环，将数据编程到所选存储单元中。在每个编程循环中，在连续的时隙中，进行对包括所选存储单元的单元组的划分编程操作。
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公开(公告)号：CN1892889B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510136251.3
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350225A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810215428.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028
Abstract: 一种非易失性存储装置包括非易失性存储单元、读取电路和控制偏置生成电路。非易失性存储单元具有依赖于所存储的数据而变化的电阻值。读取电路通过接收控制偏置并基于控制偏置为非易失性存储单元提供读取偏置，来读取非易失性存储单元的电阻值。控制偏置生成电路接收输入偏置，基于输入偏置生成控制偏置，并提供控制偏置给读取电路。控制偏置对输入偏置的斜率小于1。
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公开(公告)号：CN101149971A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710154773.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
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公开(公告)号：CN1959846A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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公开(公告)号：CN1933023A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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公开(公告)号：CN1892889A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510136251.3
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
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