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公开(公告)号：CN118265302A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311443525.8
申请日：2023-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开集成电路装置和包括集成电路装置的电子系统。所述集成电路装置包括：基底，包括存储器单元区域和连接区域；栅极堆叠件，包括在基底上在竖直方向上彼此分开的多个栅电极；多个栅极连接开口，在连接区域中布置为从栅极堆叠件的上表面向内延伸，在所述多个栅极连接开口中的每个的底表面处暴露所述多个栅电极中的一个栅电极；多个栅极连接结构，分别覆盖所述多个栅极连接开口的至少内侧表面，所述多个栅极连接结构中的每个与所述一个栅电极连接；以及多个栅极接触件，分别连接到所述多个栅极连接结构的上端。
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公开(公告)号：CN110867448B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910762891.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括沿第一方向布置的单元阵列区域和第一连接区域；以及衬底上的第一块结构，第一块结构包括：下叠层，包括竖直堆叠在衬底上的多个下电极；以及暴露下叠层的中间叠层，中间叠层包括竖直堆叠在下叠层上的多个中间电极，其中，在单元阵列区域上，第一块结构在与第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度，并且其中，在第一连接区域上，第一块结构在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN116390480A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211710689.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括形成将位线或字线与上连接图案彼此电连接的信号路径的接触插塞，下绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分；接触插塞穿透第二绝缘部分并接触上连接图案；第一绝缘部分包括第一下层和第二下层，第二下层具有小于第一下层的厚度；第二绝缘部分包括接触第二下层并覆盖上连接图案的上表面的一部分的第一上层以及在第一上层上的第二上层，第二上层具有大于第一上层的厚度；并且第二下层和第一上层的材料不同于第一下层和第二上层的材料。
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公开(公告)号：CN116322055A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211531855.8
申请日：2022-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 讨论了一种三维半导体存储器件和包括其的电子系统。该器件可以包括：堆叠结构，包括交替堆叠在基板上的电极层和电极间绝缘层；一个或更多个垂直半导体结构，延伸到堆叠结构中并与基板相邻；一个或更多个垂直导电结构，在第一方向上排列在所述一个或更多个垂直半导体结构中的相邻垂直半导体结构之间，并且延伸到堆叠结构中且与基板相邻；以及在堆叠结构上的导电线部分，在第一方向上延伸以将所述一个或更多个垂直导电结构彼此连接。导电线部分和垂直导电结构可以被连接以形成单个单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114725116A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111659089.9
申请日：2021-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , G11C16/04
Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置包括：第一衬底，包括杂质区，所述杂质区包括第一导电类型的杂质；电路器件，位于所述第一衬底上；下互连结构，电连接到所述电路器件；第二衬底，位于所述下互连结构上并且包括所述第一导电类型的半导体；栅电极，位于所述第二衬底上并且在与所述第二衬底的上表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿过所述栅电极；以及连接结构。所述沟道结构可以垂直于所述第二衬底的所述上表面延伸。所述沟道结构可以包括沟道层。所述连接结构可以将所述第一衬底的所述杂质区连接到所述第二衬底，并且所述连接结构可以包括通路，所述通路包括第二导电类型的半导体。
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公开(公告)号：CN110971496B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911225470.7
申请日：2014-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/28 , H04W12/06 , H04W4/70 , H04W48/10 , H04W48/16 , H04W48/20 , H04W60/00 , H04W76/11 , H04W76/14 , H04W84/12 , H04W88/02
Abstract: 提供了用于智能家居设备的连接方法和装置。用于将用户设备连接到智能家居设备的方法可以包括：当检测到对智能家居设备的连接请求时，识别遵循第一通信模式的第一广播消息的接收；当接收到第一广播消息时，检查第一广播消息是否包含指示对遵循第一通信模式的智能家居功能的支持的信息；以及在检查结果的基础上，对智能家居设备进行遵循第一通信模式或第二通信模式的连接。
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公开(公告)号：CN113809092A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110654337.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。
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公开(公告)号：CN107277746B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201710227503.6
申请日：2017-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于物联网(IoT)的传感器网络、机对机(M2M)、机器类型通信(MTC)和技术。基于上述技术，本公开可以应用于智能服务，诸如但不限于，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或关系型汽车、卫生保健、数字教育、零售、安全和安全服务。一种用于操作被配置成处理终端的位置信息的管理服务器的方法包括：从移动终端接收移动终端的移动终端ID和由信标终端广播的信标终端的信标终端ID；生成第一位置信息，该第一位置信息与移动终端ID和信标终端ID相关并且表明移动终端的估计位置；以及基于第一位置信息来生成内容信息并且将内容信息传输到移动终端。
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公开(公告)号：CN108028841B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201680054074.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L29/06
Abstract: 公开了用于传感器网络、机器对机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。本公开可以被用于基于该技术的智能服务(例如，与智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、零售商业、安保和安全有关的服务)。在通信系统中发送数据的方法包括：通过将散列函数应用于原始数据来生成散列值；基于是否存在等于所生成的散列值的现有散列值来生成包括原始数据和所生成的散列值中的至少一个的消息；并发送该消息。
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