公开(公告)号：CN103262248A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059464.4

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  古川彰彦 ,  日野史郎 ,  渡边宽 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够防止在关断时流入栅电极的沟槽底部的保护扩散层的位移电流所引起的栅绝缘膜的破坏，同时使单元间距变窄而提高电流密度的沟槽栅型的半导体装置。该半导体装置具备埋入到贯通基区3的沟槽5的栅电极7。栅电极7在俯视时配设为格子状，在其底部的漂移层2a形成保护扩散层13。由栅电极7划分的至少一个区段是在整体形成了沟槽5的保护触点区域20。在保护触点区域20，配设连接沟槽5的底部的保护扩散层13和源电极9的保护触点21。

公开(公告)号：CN102870217A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180016343.1

申请日：2011-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

公开(公告)号：CN101946322A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN101395701B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780007843.2

申请日：2007-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚健一 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  大森达夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。

公开(公告)号：CN100593243C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200680038948.X

申请日：2006-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤平景子 ,  三浦成久 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失(高沟道迁移率以及低栅极阈值电压)并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层具有第一区域和第二区域。第一区域为从表面到第一预定深度的区域。第二区域为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域的杂质浓度低于第二区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101395701A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007843.2

申请日：2007-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚健一 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  大森达夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。

公开(公告)号：CN101366105A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200680052573.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  藤平景子 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其的目的在于恰当地决定场缓和区的杂质浓度分布并降低通态电阻。为了实现上述目的，该半导体装置具备：基板(1)、第1漂移层(2)、第2漂移层(3)、第1阱区(4a)、第2阱区(4b)、电流控制区(15)以及电场缓和区(8)。第1阱区(4a)，毗连第2漂移层(3)的与外周附近邻接的端部以及外周附近的下方的第1漂移层(2)而配置。电场缓和区(8)与第1阱区(4a)邻接地配置于第1漂移层(2)上。

公开(公告)号：CN101310388A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680038948.X

申请日：2006-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤平景子 ,  三浦成久 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失(高沟道迁移率以及低栅极阈值电压)并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层(2)具有第一区域(2a)和第二区域(2b)。第一区域(2a)为从表面到第一预定深度的区域。第二区域(2b)为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域(2a)的杂质浓度低于第二区域(2b)的杂质浓度。