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公开(公告)号：CN105738838A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610230407.2
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/035
CPC classification number: G01R33/022 , G01R33/0029 , G01R33/0356 , G01R33/0358
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器磁梯度计及高度平衡的磁场探测方法，包括：对称分布、面积相等、绕向相反的磁通耦合面及SQUID耦合线圈；对称分布的SQUID器件；反馈线圈；读出电路；以及对输出信号进行相减实现差模信号检测的减法电路。基于梯度线圈及SQUID耦合线圈得到方向相反的磁通信号；通过SQUID传感器进行磁通?电压的线性转换得到电压信号；将两种电压相间，消除输出信号中的共模信号，实现差模信号检测。本发明可调节消除超导量子干涉器磁梯度计的不平衡误差，达到消除共模信号的能力，无需使用屏蔽筒及额外的三轴磁强计补偿，结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN105428517A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510750190.3
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24 , H01L39/02 , H01L39/06 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L39/2493 , H01L21/76838 , H01L23/53285 , H01L39/025 , H01L39/06 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法，包括：于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层，露出第一超导材料层；刻蚀第一、第二超导材料层，形成双通道超导连接和约瑟夫森结；于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层；形成旁路电阻；沉积第三超导材料层，并形成配线。双通道超导连接包括：并联的第一、第二通道，第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极；所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图，在制备层间超导通道时，并联一个纯的超导连接通道，克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应，提高了超导电路器件的性能及其稳定性。
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公开(公告)号：CN105372606A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510079231.0
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种无死区时间的磁通量子计数装置及方法，通过对分别连接不同灵敏度SQUID的两个磁通锁定环进行复位后再锁定工作点，并利用磁通互锁单元使所述两个磁通锁定环中有一个在所述复位时另一个处于所述锁定工作点状态，从而可获取复位的磁通锁定环在复位至锁定间死区时间发生的磁通变化，以补偿并判断所述复位的磁通锁定环重新锁定后的工作点；本发明不但能通过有序地主动复位和重新锁定在SQUID的正常工作区间内无限扩展其读出电路量程，改善其整个量程内的线性度，而且能有效避免传统磁通量子计数方法在死区时间内存在工作点跳跃的风险，优化两个不同灵敏度SQUID结构设计和空间布局，降低通道串扰和磁梯度所引起的测量误差。
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公开(公告)号：CN118707412A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410836962.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID芯片、磁探测传感器及磁探测系统，其中，SQUID芯片包括参考电阻、SQUID器件及反馈线圈；参考电阻、SQUID器件及反馈线圈的第一端彼此相连并连接第一芯片端子，参考电阻的第二端分两路连接第二芯片端子及第三芯片端子，SQUID器件的第二端连接第四芯片端子，反馈线圈的第二端连接第五芯片端子。通过本发明提供的SQUID芯片、磁探测传感器及磁探测系统，解决了现有技术中SQUID器件的工作点受引线电阻影响发生漂移导致传感器运行不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN116482586A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310246263.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID检测电路、传感器及多通道磁测量系统，包括：参考电阻及X个SQUID检测模块，各SQUID检测模块均包括反馈线圈及SQUID器件；各SQUID器件的第一端均连接公共端并引出，各SQUID器件的第二端分别作为一引出端；各反馈线圈依次串联，反馈线圈串联结构的第一端连接公共端，第二端作为一引出端；参考电阻的一端连接所述公共端，另一端作为一引出端。本发明的引线数量少，低温液体损耗小；能有效消除引线电阻引起的电压偏移，避免工作点漂移；复用读出电路，减小电子电路体积、数据采集通道数及成本；室温电路简单、硬件成本低、运行效率高；无需移动探头，准确性高、操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244259B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1‑1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN115835767A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211493020.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
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公开(公告)号：CN112038479B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010922048.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电感可调的超导量子器件及其制备方法，器件包括：衬底、金属电阻层、第一绝缘层、第一超导薄膜层、第二绝缘层和第二超导薄膜层，第一超导薄膜层被刻蚀形成超导量子器件的环路和引线结构，第二超导薄膜层被刻蚀形成约瑟夫森结区、第三绝缘层、第三超导薄膜层，其厚度小于其穿透深度，其被刻蚀形成输入线圈、第四绝缘层，其形成有第二过孔，用于连接金属电阻层和引出约瑟夫森结的顶电极、第四超导薄膜层，其被刻蚀形成配线层、反馈线圈和引线管脚。本发明将超导体动态电感引入到超导量子器件输入电感设计中，有效解决了目前几何电感带来的分布电容大、集成度低、大电感不易实现、且环路电感Ls难减小等问题。
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公开(公告)号：CN111244259A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1-1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN106814403B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710031598.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/38
Abstract: 本发明提供一种补偿瞬变电磁信号负值的方法，其中，所述补偿瞬变电磁信号负值的方法至少包括如下步骤：根据瞬变电磁信号的测量数据曲线，选取负值段作为拟合段；对所述拟合段进行e指数拟合，以得到拟合数据；将所述测量数据与所述拟合数据作差，以补偿所述瞬变电磁信号负值。本发明的补偿瞬变电磁信号负值的方法，具有以下有益效果：采用本发明的方法，能够有效处理瞬变电磁信号的负值，从而得到较长时间的有效数据，有效提高地质探测深度。经过补偿后的瞬变电磁信号，就可以通过传统成熟的TEM数据处理解释方法对其进行解释，提高了电阻率解释的准确性。
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