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公开(公告)号：CN111575668A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010290064.5
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN111564534A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010264527.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性能SiC基集成光学器件。
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公开(公告)号：CN111540710A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010393159.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。
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公开(公告)号：CN110880920A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201811035898.0
申请日：2018-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底，具有相对的第一表面及第二表面；自第一表面进行第一离子注入，形成第一缺陷层，自第二表面进行第二离子注入，形成第二缺陷层；提供具有第一键合面的第二衬底及具有第二键合面的第三衬底，将第一键合面与第一表面键合，第二键合面与第二表面键合；剥离第一衬底，在第二衬底上形成第一剥离层，在第三衬底上形成第二剥离层，获得第一异质薄膜结构以及第二异质薄膜结构，本发明采用双面进行离子注入和进行双面键合的方式，解决了异质衬底制备中，由于热失配导致的键合晶圆解键合甚至碎裂的问题，提高了衬底的产量以及效率，本发明的方案为高效声表面波滤波器的制备提供衬底支持。
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公开(公告)号：CN110854062A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911175985.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法，其中，氧化镓半导体结构包括硅衬底、介电层及氧化镓薄膜，通过具有高介电常数的介电层，将氧化镓单晶晶片与具有高热导率的硅衬底键合，采用该方法键合技术成熟，且介电层可阻挡电子向衬底迁移，能够有效解决高温环境下器件性能下降的问题，从而可制备具有高导热性、耐击穿电压高及高温下性能稳定的氧化镓半导体结构。本发明解决了氧化镓同质衬底导热性差、氧化镓与硅衬底耐击穿电压低及氧化镓与氧化硅衬底键合技术不成熟等问题，极大的提高了氧化镓器件的性能和设计灵活性，且采用业界最重要的硅衬底，对氧化镓器件的快速发展意义重大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110632687A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810651434.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。
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公开(公告)号：CN109727850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量-注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
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公开(公告)号：CN109671612A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811359791.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；从注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层；将注入面与高热导率衬底键合，得到第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，由此得到第二复合结构和第三复合结构；对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。本发明还提供一种由此得到的氧化镓半导体结构。根据本发明的制备方法形成的氧化镓半导体结构，氧化镓单晶薄膜与高热导率衬底集成，有效提高了氧化镓单晶薄膜的导热性。
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公开(公告)号：CN106209003B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极‑单晶氧化物‑金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
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公开(公告)号：CN106711026A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710071303.6
申请日：2017-02-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种InP薄膜异质衬底的制备方法，至少包括：提供InP衬底，且所述InP衬底具有注入面；于所述注入面进行离子共注入，以在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；提供异质衬底，将所述InP衬底与所述异质衬底进行键合，所述InP衬底的注入面为键合面；沿所述缺陷层剥离部分所述InP衬底，使所述InP衬底的一部分转移至所述异质衬底上，以在所述异质衬底上形成InP薄膜，获得InP薄膜异质衬底。通过上述方案，有效地降低剥离及转移InP薄膜所需的单一离子注入的剂量，同时避免了文献中所报道的采用零度以下低温注入的方法剥离InP材料，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；不需要低温或高温注入，从而降低控制注入温度所需的额外能耗。
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