公开(公告)号：CN103403883A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN103384917A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。

公开(公告)号：CN101897000B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880119998.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN101952937B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980105610.5

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101611471B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III-V族半导体外延结晶，氮化物系III-V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。

公开(公告)号：CN102460740A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026000.9

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/28 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L27/15 ,  B41J2/45 ,  H01L27/156

Abstract: 本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。

公开(公告)号：CN102449784A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022788.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山中贞则 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G01J5/024 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。

公开(公告)号：CN102439696A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022049.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  福原升

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。

公开(公告)号：CN102396059A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016486.8

申请日：2010-04-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01R31/025 ,  G01R31/129

Abstract: 本发明提供一种测量方法，用于测量包含基底基板及缓冲层的半导体基板的空穴或电子的移动所致的漏电流或提供绝缘击穿电压。具体是，该测量方法测量具有基底基板，及在基底基板上设置的缓冲层的半导体基板的漏电流或绝缘击穿电压，具有：在缓冲层设置含有由被施加电场时对缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从多个电极选择出的含有至少一个空穴注入电极的第1一对电极施加电压或电流时在第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压的步骤；根据第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压，测量半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或测量绝缘击穿电压的步骤。

公开(公告)号：CN102210010A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144603.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括具有单晶层且被热处理的被热处理部和应被保护不受因热处理而施加的热的影响的被保护部的底板基板进行热处理的制造半导体基板的方法，包括设置保护被保护部不受照射到底板基板的电磁波影响的保护层的步骤、和通过对底板基板整体照射电磁波而对被热处理部进行退火的步骤。