公开(公告)号：CN1610961A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN03801837.3

申请日：2003-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启 ,  桥仓学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68 ,  C23C16/44 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 一种配置有连接到固定器陶瓷基座的多个固定管状件和/或固定支撑件的晶片固定器，其中可以防止在加热操作期间由于热应力对固定管状件的损坏，并利用此晶片固定器制作获得高可靠性的半导体制作设备。至少两个固定管状件(5)和/或固定支撑件的一端连接到陶瓷基座(2)，而另一端连接进反应室(4)，其中假设陶瓷基座(2)达到的最高温度为T1，陶瓷基座(2)的热膨胀系数为α1，反应室(4)达到的最高温度为T2，反应室(4)的热膨胀系数为α2，在常温下在多个固定管状件(5)中的陶瓷基座(2)上的最长件间距离为L1，而在常温下在多个固定管状件(5)和/或固定支撑件中的反应室(4)上的最长件间距离为L2，则满足关系式|(T1×α1×L1)－(T2×α2×L2)|≤0.7mm。

公开(公告)号：CN1579007A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801379.7

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/027 ,  H05B3/74 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。

公开(公告)号：CN1320010A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01101673.6

申请日：2001-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  长尾俊二

IPC: H05B3/20 ,  H05K1/03 ,  C04B35/58

CPC classification number: H05B3/141

Abstract: 本发明公开了一种机械强度增加,抗热震性改善的陶瓷基体,将氮化铝,氮化硅,或碳化硅用作形成该陶瓷基体的主要成分,同时掺入合适的添加剂,以便控制其导热率以及使从加热元件到电极处的温度梯度变得松散,以向该陶瓷基体提供能够防止加热元件的电极和供给部件的连接件之间的接触件氧化的尺寸效应。在陶瓷基体表面上形成电极和加热元件的陶瓷加热器中,应满足A/B≥20的条件,假设A代表从加热元件(2)的电路和电极(3)之间的接触件到陶瓷基体(1a)紧靠电极(3)一端的距离,而B代表陶瓷基体(1a)的厚度,并且陶瓷基体(1a)的导热率被调整到30－80W/m.K。

公开(公告)号：CN1242349A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99110634.2

申请日：1999-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 汤盐泰久 ,  仲田博彦 ,  佐佐木一隆 ,  夏原益宏 ,  田中素之 ,  村濑康裕

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种抗热震性和强度均优良的氮化铝烧结体,可用作在严格热循环下使用的功率组件的散热基板或半导体器件的托架。采用稀土元素和碱土金属元素作为烧结助剂得到的氮化铝烧结体包含≥0.01重量%但≤5重量%的碱土金属元素化合物(以其氧化物计)和≥0.01重量%但≤10重量%的稀土元素化合物(以其氧化物计),残留在烧结体中的碳含量控制在0.005至0.1重量%,由此抑制了晶粒生长并且提高了烧结体的抗热震性和强度。

公开(公告)号：CN1121499A

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：CN95108652.9

申请日：1995-08-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 下田浩平 ,  仲田博彦

IPC: C04B41/90 ,  B32B18/00

CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00336 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12146 ,  Y10T428/12174 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12944 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/5116 ,  C04B35/581

Abstract: 一种带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，包括：含氮化铝作主要组分的陶瓷基片；形成在上述陶瓷基片至少一个面上的钨和/或钼基的金属化层；和形成在金属化层上的，厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm的镍基镀层。另一种方案中，镀层由第一层镍基镀层和第二层金基镀层构成，它们的厚度分别不超过2μm和1μm，第二镀层的表面粗糙度不超过2μm。这些金属化陶瓷基片是这样制备的；在AlN陶瓷基片素坯上涂敷W和/或Mo的金属化料浆，压平、烧结，并形成上述的一层或多层镀层。