公开(公告)号：WO2005068066A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：PCT/JP2005/000585

申请日：2005-01-19

Applicant: 安達宏昭 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  高野和文 ,  井上豪 ,  松村浩由 ,  村上聡

Inventor： 安達宏昭 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  高野和文 ,  井上豪 ,  松村浩由 ,  村上聡

IPC: B01J19/00

CPC classification number: B01L7/54 ,  B01D9/0013 ,  B01L3/06 ,  B01L2300/0829 ,  B01L2300/1822 ,  B01L2300/1894

Abstract: 　熱伝導体表面に温度勾配を形成することにより、その表面に配置された複数の試料を同時に異なる温度に調節することができ、且つ、熱伝導体表面の温度プロファイルを所望に応じて調整可能な温度調節装置を提供する。本発明の温度調節装置は、加熱冷却素子と、加熱冷却素子と熱的に接触させて配置された熱伝導体とを含み、この熱伝導体の温度に応じて、これと熱的に接触させて配置された試料の温度を調節するものである。この装置において、加熱冷却素子は、２個以上設けられ、これらが互いに異なる温度に設定されることにより、熱伝導体の前記試料と熱的に接触する面に温度勾配が形成される。熱伝導体は、比重をｄ［ｋｇ／ｍ 3 ］、比熱をｃ［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］、熱伝導率をＫ［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］としたとき、ｄｃ／Ｋで表される値が、互いに異なる２種以上の材料で構成されている。

Abstract translation: 通过在导热体表面产生温度梯度的温度控制器可以将设置在表面上的多个样品同时调整到不同的温度，并且可以根据需要调节导热体表面的温度分布。 提供了一种温度控制器，其包括加热/冷却装置和布置成与加热/冷却装置热接触的热导体，其中根据导热体的温度，调节与其热接触的样品的温度。 在温度控制器中，设置两个以上的加热/冷却装置，并且通过将它们设置为不同的温度，在与样品热接触的热导体的表面上产生温度梯度。 热导体由两种或更多种类型的材料组成，其值dc / K，其中比重称为d [kg / m 3]，比热为c [J /（kg.K）] 导热系数K [W /（mK）]彼此不同。

公开(公告)号：TWI378161B

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW094110876

申请日：2005-04-06

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  弘田龍 ,  中田成二

IPC: C30B ,  H01L

CPC classification number: C30B9/08 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/06 ,  C30B29/403

Abstract: 本發明之III族氮化物結晶基板之製造方法，其特徵在於：包含於反應容器(51)內導入含鹼金屬元素物(1)、含III族元素物(2)與含氮元素物(3)之步驟；於反應容器(51)內形成至少含有鹼金屬元素、III族元素以及氮元素之熔融液(5)之步驟；及自熔融液(5)使III族氮化物結晶(6)生長之步驟；於反應容器(51)內至少導入含鹼金屬元素物(1)之步驟中，於將水分濃度控制為1.0 ppm以下之乾燥容器(100)內處理含鹼金屬元素物(1)。藉此，可提供一種光吸收係數較小之III族氮化物結晶基板及其製造方法及III族氮化物半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之III族氮化物结晶基板之制造方法，其特征在于：包含于反应容器(51)内导入含碱金属元素物(1)、含III族元素物(2)与含氮元素物(3)之步骤；于反应容器(51)内形成至少含有碱金属元素、III族元素以及氮元素之熔融液(5)之步骤；及自熔融液(5)使III族氮化物结晶(6)生长之步骤；于反应容器(51)内至少导入含碱金属元素物(1)之步骤中，于将水分浓度控制为1.0 ppm以下之干燥容器(100)内处理含碱金属元素物(1)。借此，可提供一种光吸收系数较小之III族氮化物结晶基板及其制造方法及III族氮化物半导体设备。