公开(公告)号：JPWO2019035437A1

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：JP2018030178

申请日：2018-08-13

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  辰巳 夏生 ,  濱木 健成

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/02

Abstract: 固体炭素含有材料加工体の製造方法は、少なくとも表面が固体炭素で構成されている固体炭素含有材料を準備する工程と、固体炭素含有材料を加工する工程と、を含む。固体炭素含有材料を加工する工程は、固体炭素含有材料の表面の固体炭素を熱処理することにより、非ダイヤモンド炭素を形成するサブ工程と、非ダイヤモンド炭素の少なくとも一部を除去するサブ工程と、を含む。

公开(公告)号：JP6631517B2

公开(公告)日：2020-01-15

申请号：JP2016529653

申请日：2015-06-25

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 岡久 拓司 ,  山本 喜之 ,  西林 良樹 ,  辰巳 夏生

IPC: C01B32/25 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP6575522B2

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：JP2016540753

申请日：2015-08-07

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  辰巳 夏生 ,  角谷 均 ,  仲前 一男

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C01B32/26 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP6536847B2

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：JP2017188360

申请日：2017-09-28

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 植田 暁彦 ,  西林 良樹 ,  角谷 均

IPC: C23C16/27 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP6536527B2

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：JP2016201019

申请日：2016-10-12

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  辰巳 夏生 ,  角谷 均

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C01B32/28 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP2018162212A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018119677

申请日：2018-06-25

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  住友電工ハードメタル株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  植田 暁彦 ,  角谷 均 ,  小林 豊 ,  関 裕一郎 ,  高橋 利也

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C01B32/26 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B29/04 ,  C01B32/25 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20

Abstract: 【課題】ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドおよび当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具を提供する。 【解決手段】単結晶ダイヤモンド10は、表面10aを有する。単結晶ダイヤモンド10では、単結晶ダイヤモンド10の透過率が最大である部分および当該透過率が最小である部分を含み、1辺の長さが0.2mmである複数の正方形領域20aが連続した測定領域20を表面20aにおいて規定し、かつ、複数の正方形領域20aの各々における透過率の平均値を測定した場合において、一の正方形領域20aにおける透過率の平均値をT1とし、当該一の正方形領域20aと隣り合う他の正方形領域20aにおける透過率の平均値をT2としたときに、測定領域20の全域にわたり((T 1 −T 2 )/((T 1 +T 2 )/2)×100)/0.2≦20(%/mm)の関係が満たされる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2017014309A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016071600

申请日：2016-07-22

Applicant: 住友電工ハードメタル株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  株式会社アライドマテリアル

Inventor： 湯川 実 ,  末光 文也 ,  木下 卓哉 ,  住本 繁俊 ,  小林 豊 ,  植田 暁彦 ,  辰巳 夏生 ,  西林 良樹 ,  角谷 均

IPC: C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C01B32/26 ,  B21C3/02

CPC classification number: B21C3/025 ,  B21C3/02 ,  C23C16/27 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 線材の伸線加工を行うための孔がダイヤモンドに設けられたダイヤモンドダイスであって、ダイヤモンドは、CVD単結晶ダイヤモンドであり、孔の軸は、ダイヤモンドの結晶面の法線方向に対し傾斜している。

公开(公告)号：JP2018052807A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2017188360

申请日：2017-09-28

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 植田 暁彦 ,  西林 良樹 ,  角谷 均

IPC: C23C16/27 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/186 ,  B23B27/148 ,  B23B2226/31 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B30/00 ,  C30B31/22 ,  Y10T407/24 ,  Y10T428/30

Abstract: 【課題】高硬度且つ高靭性を両立して、工具作製時には加工しやすく、天然品や高温高圧合成Ib品を用いた工具と同等以上に割れや欠けが発生しにくく、切削時には長寿命且つ耐欠損性の高いCVDダイヤモンド単結晶及び該単結晶ダイヤモンドで刃先を構成する単結晶ダイヤモンド工具の提供。 【解決手段】CVDダイヤモンド単結晶であって、350nmの波長の光の吸収係数が異なる二層以上のダイヤモンド単結晶層で構成されており、一方の主面を含むダイヤモンド単結晶層の350nmの波長の光の吸収係数が25cm −1 未満であり、且つ、もう一方の主面を含むダイヤモンド単結晶層の350nmの波長の光の吸収係数が25cm −1 以上、80cm −1 以下であり、前記二層以上のダイヤモンド単結晶層のいずれも350nmの波長の光の吸収係数が80cm −1 を超えない、CVDダイヤモンド単結晶。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6228404B2

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：JP2013166558

申请日：2013-08-09

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  住友電工ハードメタル株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  角谷 均 ,  植田 暁彦 ,  小林 豊

IPC: C23C16/27 ,  C01B32/25 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP2016029018A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：JP2015213008

申请日：2015-10-29

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 西林 良樹 ,  植田 暁彦 ,  角谷 均

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B29/04

Abstract: 【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。 【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比(深さ/幅)2以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了在金刚石衬底上外延生长单晶金刚石时提供外延生长的单晶金刚石，其中来自衬底​​的金刚石缺陷的缺陷尽可能地减少。解决方案： 在单晶金刚石基板上通过气相外延生长法在单晶金刚石基板的缺陷位置上形成单晶金刚石膜，其中，在宽度比（深度/宽度）2的沟槽或孔中， 宽度和深度，并且其特征在于，所述凹槽或孔的部分在晶体中作为孔留下。图示：图1