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公开(公告)号：CN101256934A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810005732.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge磊晶膜生长。在Ge磊晶膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge磊晶膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge磊晶膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
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公开(公告)号：CN101188258A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710193656.X
申请日：2007-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/0682 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101188190A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710186484.3
申请日：2007-11-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L23/00
CPC classification number: H01L21/3247 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。
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公开(公告)号：CN101174596A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185126.0
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/186 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104701239B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715296B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310459652.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , C08L83/04
CPC classification number: H01L31/0488 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y10T156/10
Abstract: 制造太阳能电池组件的方法，该方法包括：将第一聚硅氧烷凝胶片材粘合至将成为太阳光入射表面的透明光接收面板的一个表面；将第二聚硅氧烷凝胶片材粘合至在太阳光入射表面对面侧上的光非接收面板或背板的一个表面；将太阳能电池串布置在光接收面板的第一聚硅氧烷凝胶片材上，并且以相框样形状沿第一聚硅氧烷凝胶片材的外周部分布置丁基橡胶；和将光接收面板和光非接收面板或背板覆盖在彼此上，使聚硅氧烷凝胶片材在内侧，并且在100‑150℃在真空中压制它们以用所述聚硅氧烷凝胶片材封装太阳能电池串并且通过所述丁基橡胶将光接收面板和光非接收面板或背板压力接合至彼此。
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公开(公告)号：CN103715297B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310460143.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 制造太阳能电池组件的方法，包括在真空中压制被提供在太阳能电池串的太阳光接收表面上的第一聚硅氧烷凝胶片材和被提供在所述太阳能电池串的对面侧太阳光非接收表面上的第二聚硅氧烷凝胶片材，以用所述第一和第二聚硅氧烷凝胶片材封装所述太阳能电池串；将所述第一聚硅氧烷凝胶片材的太阳光接收表面侧布置在透明光接收面板的一个表面上并且以相框样形状沿所述第一聚硅氧烷凝胶片材的外周部分布置丁基橡胶；和将所述光接收面板和所述光非接收面板或背板覆盖在彼此之上，使聚硅氧烷凝胶片材封装的太阳能电池串在内部，并且在100‑150℃在真空中压制它们，以通过丁基橡胶将所述光接收表面面板和所述光非接收表面面板或背板彼此压力接合。
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公开(公告)号：CN104253168A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410299871.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0481 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供太阳能电池组件，包括：第一基材(1a)，包括含布置在第一基材(1a)上的金属电极层、光电转换层和透光电极层的薄膜太阳能电池(2)，与第一基材上的太阳能电池相对的透明的第二基材(1b)，设置在第一和第二基材之间的透光有机硅凝胶层(3)，以及包含围绕有机硅凝胶层外周边的不透水蒸气的橡胶系热塑性密封材料的密封件(4’)。该组件具有长期可靠性和高效率。
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公开(公告)号：CN101285912B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810090978.6
申请日：2008-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/132 , G02B6/1347 , G02F1/0126 , G02F1/025 , G02F2202/105 , G02F2203/48 , Y10S438/967
Abstract: 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子-空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子-空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。
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公开(公告)号：CN101990697B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980112677.1
申请日：2009-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76254
Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。
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