公开(公告)号：CN102129172A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110005991.9

申请日：2011-01-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 土门大将 ,  增永惠一 ,  田中启顺 ,  渡边聪

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/30

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0045

Abstract: 负性抗蚀剂组合物，其包括包含具有烷基硫基基团重复单元且具有1000-2500的MW的基础聚合物，产酸剂和碱性组分，典型地为包含羧基、但不包括活性氢的胺化合物。其可以形成具有低LER值的45-nm线间隔的图案。

公开(公告)号：CN101900939A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194426.7

申请日：2010-05-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田中启顺 ,  增永惠一 ,  土门大将 ,  渡边聪

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382

Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物，其至少包含：(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合；(B)酸产生剂；(C)作为碱性成份的含氮化合物，其中，作为该基质高分子，是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子，或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子，且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元，源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔％以上。

公开(公告)号：CN101625524A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140187.4

申请日：2009-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边聪 ,  田中启顺 ,  渡边武 ,  金生刚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

公开(公告)号：CN101387831A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810173799.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 武田隆信 ,  渡边保 ,  小板桥龙二 ,  增永惠一 ,  田中启顺 ,  渡边修

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/20

Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。