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公开(公告)号：CN112786767B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110034154.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别背对设置在所述外延结构的两侧，且所述第一电极与所述中介基板电连接；当通过流体组装方式使所述微米级器件与支撑基板结合时，所述微米级器件的第二电极直接与所述电路布线层电连接，第一电极经所述中介基板与所述电路布线层电连接。本发明缩小了微米级芯片尺寸、大幅度降低了大规模微米级器件模组的成本，且可通过预选测试挑选微米级功能芯片和微米级器件，大幅度提升大规模微米级器件模组的良率。
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公开(公告)号：CN112038418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010952681.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。
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公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024821B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610545538.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方设置太赫兹波反射层，实现芯片对太赫兹波的二次吸收，从而提高探测器芯片的吸收效率。本发明的一种太赫兹波探测器件封装具有制作成本低、太赫兹波吸收效率高等优点，适于工业化生产，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106816417B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710033551.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种高密度封装及其制造方法，包含基板和芯片两部分，基板与芯片通过凸点阵列连接。一部分设置有硬质金属空心柱提供凹槽，另一部分设置有硬质金属凸点与凹槽一一对应，将凸点对应插入于凹槽中，高温加热使预先沉积或电镀的焊料熔融，实现基板与芯片的连接。凹槽开口可以是漏斗形貌，其倾斜角优选为45°左右。本发明采用一种高密度封装，并可结合漏斗状开口，以简易的操作提高互连对准精度，提高互连的可靠性和稳定性，得到的封装结构具有较好的共面性。同时，本发明解决了实际芯片的翘曲度所导致的焊接问题，解决了传统封装因焊料蔓延而导致的短路、桥接。综上，本发明有助于达到更高密度的封装，可进一步推动电子器件的微型化发展。
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公开(公告)号：CN104766915B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410004973.2
申请日：2014-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种集成传感单元的LED器件，在芯片上包含LED发光区域，以及传感单元；该传感单元为发光区域以外独立PN结的二极管；通过检测传感单元一定正向电流下的电压大小来监测该LED器件的结温，或通过检测传感单元一定反向电压下的电流大小来实时监测整个LED器件的亮度。本发明还涉及一种集成传感单元的LED芯片制造方法。本发明的LED提供了集成在芯片上的传感单元，可以通过对传感单元的电压和电流等参数简单测量，准确地实时反映出LED器件的结温、亮度信息，从而实现对LED的工作状态的实时监控和调整，以及根据其全生命周期历史工作状态预报其剩余寿命，实现LED器件的智能化。
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公开(公告)号：CN106816417A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710033551.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/56 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种高密度封装及其制造方法，包含基板和芯片两部分，基板与芯片通过凸点阵列连接。一部分设置有硬质金属空心柱提供凹槽，另一部分设置有硬质金属凸点与凹槽一一对应，将凸点对应插入于凹槽中，高温加热使预先沉积或电镀的焊料熔融，实现基板与芯片的连接。凹槽开口可以是漏斗形貌，其倾斜角优选为45°左右。本发明采用一种高密度封装，并可结合漏斗状开口，以简易的操作提高互连对准精度，提高互连的可靠性和稳定性，得到的封装结构具有较好的共面性。同时，本发明解决了实际芯片的翘曲度所导致的焊接问题，解决了传统封装因焊料蔓延而导致的短路、桥接。综上，本发明有助于达到更高密度的封装，可进一步推动电子器件的微型化发展。
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公开(公告)号：CN105206642A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510664592.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L27/156 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本发明采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out Wafer-Level Package，FOWLP)，减小了封装面积，提高了LED显示屏的分辨率；各LED芯片为结构和发光波段相同的同种LED芯片，通过在LED芯片上利用芯片自身发光固化的方式分别涂敷红光、绿光和蓝光荧光粉，使其分别发红光、绿光以及蓝光，从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致，改善显示屏的显色性能；本发明可以实现像素点间距小于1mm乃至小于0.1mm，实现LED显示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能，在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。
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