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公开(公告)号：CN117806865A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311814861.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 胡智超 , 余翔湛 , 刘立坤 , 史建焘 , 葛蒙蒙 , 苗钧重 , 郭明昊 , 高展鹏 , 陈东鑫 , 王钲皓 , 郭一澄 , 张森 , 程明明 , 张垚 , 李岱林 , 傅言晨 , 张靖宇 , 牟铎 , 周杰
IPC: G06F11/07 , G06F18/2413 , G06F18/2415
Abstract: 本发明公开了一种基于K近邻高斯混合模型的在线异常检测算法，属于在线异常检测技术领域。解决了现有技术中传统的流式数据在线异常检测算法存在的依赖训练数据以及不易区分异常数据和分布偏移的问题；本发明在高斯混合模型的基础上采用了K近邻的方法进行优化，将数据点的更新范围限制在局部，设计了动态维护高斯成分的机制，根据新增数据的K近邻和高斯成分的生命周期，动态的新增和删除高斯成分，有效的支持了异常点的检测和分布偏移的自适应，异常检测通过搜索查找到多个高斯成分构成最优决策集对上下文观测数据完成异常评价。本发明有效降低了异常点对全局的影响，消除了对全量样本数据的依赖，可以应用于流式数据在线异常检测。
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公开(公告)号：CN117737708A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410151107.X
申请日：2024-02-02
IPC: C23C16/511 , C23C16/02 , C23C14/35 , C23C16/56
Abstract: 一种多孔金刚石的制备方法，本发明为了解决现有制备多孔金刚石的方法成本高昂，难以高效制备的问题。制备方法：一、对金刚石进行清洗，再在900‑950℃温度下通过氢氧等离子体刻蚀处理，完成预处理；二、采用磁控溅射工艺在金刚石上依次镀有钛膜和铁膜；三、将镀有钛‑铁膜的金刚石放入MPCVD装置中，升高气压和功率，以950‑1000℃的温度进行金属催化氢氧等离子体刻蚀；四、将刻蚀后的金刚石浸入混酸溶液中进行高温酸洗处理。本发明直接在金刚石表面制备多孔结构，多孔结构分布更密集更均匀且呈现三维刻蚀结构，多孔结构普通孔隙直径约1‑20μm，大孔孔隙直径约50μm以上，大幅提升了金刚石的比表面积。
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公开(公告)号：CN117613104A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311602489.5
申请日：2023-11-28
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16 , C23C14/24 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 一种通过表面刻蚀终端增强性能的金刚石肖特基二极管及其制备方法，本发明要解决现有肖特基二极管受表面终端影响大，肖特基势垒大，开启电压大，正向电流小的问题。本发明金刚石肖特基二极管是在掺硼金刚石衬底上沉积有金刚石本征层，对金刚石本征层进行离子刻蚀，在掺硼金刚石衬底的底面沉积金属膜层作为欧姆电极，在离子刻蚀后的金刚石本征层上沉积薄金属电极作为肖特基电极。本发明改进的表面刻蚀增强性能的金刚石肖特基二极管具有更低势垒的肖特基电极，经刻蚀后的金刚石表面受终端影响小，电子亲合能更低。本发明通过刻蚀金刚石表面氧终端，形成无终端金刚石表面，具有更低的肖特基势垒。
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公开(公告)号：CN116743473B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310783622.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 余翔湛 , 刘立坤 , 王久金 , 史建焘 , 胡智超 , 葛蒙蒙 , 羿天阳 , 龚家兴 , 李竑杰 , 刘奉哲 , 孔德文 , 程明明 , 郭一澄 , 张森 , 高展鹏 , 王钲皓
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明提出一种基于并行度量学习的入侵检测方法，属于入侵检测技术领域。一种基于并行度量学习的入侵检测方法由嵌入模块、度量模块和分类器组成模型；嵌入模块用于接收五元组数据，度量模块用于获得预测相似度，分类器用于获取预测类别；具体实现过程：S1.训练模型；S2.将网络流量输入模型中，模型输出识别结果，若网络流量为非入侵流量，输出结果为0，否则，输出结果为1。解决现有技术中模型的识别效率低实时性差的技术问题；本发明只需利用嵌入模块对网络流量进行特征提取，再将所提取的特征输入分类器中，即可获得最终的识别结果，无需再和支持集中的样本一一比较，可大幅提升识别效率和识别准确率。
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公开(公告)号：CN116776248A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310746661.8
申请日：2023-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 胡智超 , 余翔湛 , 冯帅 , 刘立坤 , 史建焘 , 葛蒙蒙 , 孔德文 , 羿天阳 , 龚家兴 , 李竑杰 , 刘奉哲 , 王钲皓 , 郭一澄 , 张森 , 程明明 , 高展鹏
IPC: G06F18/2415 , G06F18/213 , G06F18/214
Abstract: 本发明提出一种基于虚拟对数的分布外检测方法，属于分布外检测技术领域。包括：S1.对流量进行特征提取，作为样本特征；S2.将样本特征输入到分类模型中，输出模型原始输出；S3.对样本特征进行特征分解；S4.令虚拟对数等于样本特征在主空间上的特征残差，加入到模型原始输出；S5.结合模型原始输出计算softmax函数值，将输入的多维向量的每一维映射到(0,1)区间的值，值的累积和为1；将虚拟对数所在维度对应的函数值，作为样本的分布外得分；S6.设置分布外阈值，判断输入样本是否为分布外样本。解决依赖单一输入源，检测精确度不高的问题。兼顾样本原始特征又利用深度学习模型学习到的知识，不需要重新训练模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116072744A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
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公开(公告)号：CN114657533B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210360654.X
申请日：2022-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/52 , C01B32/26 , B82Y30/00
Abstract: 一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法，本发明是为了解决现有以金属衬底，采用CVD法制备纳米金刚石得到的纳米金刚石数量少、形状不规则的问题。制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法：一、清洗Mo片及Mo托；二、将Mo片放置在MPCVD装置的沉积系统腔体内，Mo托放置在Mo片上，抽真空后通入H2和CH4，调节微波功率，进行气相沉积，得到带有纳米金刚石的Mo片；三、关闭沉积系统，冷却后将带有纳米金刚石的Mo片放入去离子水中超声，得到纳米金刚石分散液。本发明通过Mo托将等离子体位置提高，使等离子体边缘远离Mo片，减小H等离子体刻蚀，在Mo衬底上制备得到了具有规则晶型的纳米金刚石颗粒。
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公开(公告)号：CN111584382B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010345111.1
申请日：2020-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法，本发明属于半导体材料及器件技术领域，它要解决现有在异质结两相相接界面处电荷状态分布、电子输运特性难以采用常规方法进行精确测量的问题。表征方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、通过CVD法在金刚石基底表面生长NV色心层；三、使用显微镜聚焦到金刚石上生长的NV色心层，测得测试点处的第一次拉曼光谱；四、在生长NV色心层的金刚石表面生长待测的异质结；五、再次测得测试点处的拉曼光谱；将测试点处的第一次拉曼光谱与第二次拉曼光谱进行对比。本发明通过在界面连接处的金刚石亚表面层使用MPCVD法生长含有NV色心的薄层，能够准确的表征出异质界面状态的改变。
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公开(公告)号：CN115367695A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211027028.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微流道的制备方法，本发明的目的是为了解决金刚石微流道加工困难，封闭微流道引入其余材料进行键合，密封性不好的问题。制备方法：一、金刚石预处理；二、按照微流道图案进行光刻；三、采用磁控溅射工艺在金刚石表面镀铁膜；四、金属催化等离子体刻蚀；五、控制生长舱内甲烷体积含量为8％～10％，调整输入微波功率和反应舱气压，控制生长温度为950～980℃，使微流道横向生长；六、残余金属清洗。本发明金刚石微流道的制备方法中金属催化等离子体刻蚀工艺简单，刻蚀速度快，能够一次性同时刻蚀多条通道，对金刚石不产生烧蚀作用，金刚石原位横向生长闭合微流道，无需引入其余材料进行键合，密封性更好。
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公开(公告)号：CN112877773A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110034019.8
申请日：2021-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法，本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气，碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法：一、清洗金刚石籽晶；二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上，将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周；三、将反应舱内抽真空，随后通入高纯氢气，并升高气压与微波功率；四、在无气流稳定生长过程中，采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控，通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度；五、结束生长。本发明在无气流生长过程中，原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团，随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面，此过程持续循环进行，实现单晶金刚石的快速生长。
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